【技术实现步骤摘要】
一种延时电路
本专利技术涉及半导体制造
,特别涉及一种延时电路。
技术介绍
目前,延时电路在集成电路中的应用较为广泛,精确的延时电路能够改善集成电路的性能,特别是在存储器应用中,对存储单元进行读写等操作时,都需要延时电路实现时序控制。相关技术中,主要通过向延时电路提供一脉冲信号作为输入信号,并基于所述输入信号实现对所述延时电路中的电容的充电和放电,来使所述延时电路输出具有一定时间延迟的输出信号,以实现对时序的控制。但相关技术中延时电路的电容充放电时间均比较长,使得延时电路的充电延时和放电延时均较大。而在某些应用中,只需要充电延时,放电延时希望尽可能小,所以,相关技术中延时电路放电延时较大难以满足要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种延时电路,以解决相关技术中延时电路放电延时较大的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种延时电路,所述延时电路包括充放电电容以及并联连接的第一电路和第二电路;其中,所述第一电路的输入端连接至信号输入端,所述第一电路的 ...
【技术保护点】
1.一种延时电路,其特征在于,所述延时电路包括充放电电容以及并联连接的第一电路和第二电路;/n其中,所述第一电路的输入端连接至信号输入端,所述第一电路的输出端连接至所述第一节点,以和所述充放电电容连接;所述第二电路的输入端连接至所述信号输入端,所述第二电路的输出端连接至所述第一节点,以和所述充放电电容连接;/n以及,所述第二电路包括反相器和至少一个开关晶体管,所述反相器的输入端连接至信号输入端,所述反相器的输出端连接所述开关晶体管的基极,所述开关晶体管的集电极连接至所述第一节点,以和所述充放电电容连接,以及所述开关晶体管的发射极接地。/n
【技术特征摘要】
1.一种延时电路,其特征在于,所述延时电路包括充放电电容以及并联连接的第一电路和第二电路;
其中,所述第一电路的输入端连接至信号输入端,所述第一电路的输出端连接至所述第一节点,以和所述充放电电容连接;所述第二电路的输入端连接至所述信号输入端,所述第二电路的输出端连接至所述第一节点,以和所述充放电电容连接;
以及,所述第二电路包括反相器和至少一个开关晶体管,所述反相器的输入端连接至信号输入端,所述反相器的输出端连接所述开关晶体管的基极,所述开关晶体管的集电极连接至所述第一节点,以和所述充放电电容连接,以及所述开关晶体管的发射极接地。
2.如权利要求1所述的延时电路,其特征在于,所述开关晶体管为NPN型晶体管。
3.如权利要求1所述的延时电路,其特征在于,所述第一电路包括一第一电阻,所述第一电阻的输入端与所述信号输入端连接,所述第一电阻的输出端连接至所述第一节点。
4.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:高婷婷,倪昊,郁红,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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