一种双面热管冷却的IGBT封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双面热管冷却的IGBT封装结构，该IGBT封装结构包括上水冷板、下水冷板、上热管、下热管、IGBT芯片、FWD芯片、焊料层、上下覆铜基板以及上下绝缘基板。采用上下覆铜基板结构将IGBT的发射极和FWD的阳极通过覆铜基板连接，减少键合引线，从而实现双面热管冷却的IGBT封装结构，提升模块的可靠性；该实用新型专利技术芯片与覆铜基板之间的优选焊料层及形成方式有助于发挥材料的高温特性，同时提高热量从芯片到基板的纵向热传导能力，从而降低模块的最高温度，提升模块的使用寿命。

A double side heat pipe cooled IGBT package structure

【技术实现步骤摘要】
一种双面热管冷却的IGBT封装结构
本技术涉及IGBT散热和封装
，具体涉及一种双面热管冷却的IGBT封装结构。
技术介绍
IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管(igbt)构成的功率模块，是在家用电器、工业、可再生能源、UPS(UninterruptedPowerSupply，不间断电源)、铁路、电机驱动和EV(ElectricVehicle，电动汽车)和HEV(HybirdElectircVehicle，混合动力汽车)等电力电子应用中应用最广泛的电力设备，由于其结构中存在双极晶体管，因此具有很高的电流处理能力，数百安培，阻断电压高达6500V。IGBT的散热很重要，散热不好会严重影响IGBT的使用寿命。由于IGBT在电力电子装置上的重要作用，对于IGBT的散热要求来越来越高。尤其是在电动汽车和混合动力汽车的应用中，IGBT功率模块是逆变器和变换器系统的核心部件，决定着系统的性能、可靠性、体积、重量和成本。为了实现更高的功率密度，电动汽车和混合动力汽车早期开发阶段的带水冷翅片的传统功率模块结构。数据表明，传统功率模块结构约35％本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面热管冷却的IGBT封装结构，其特征在于，包括：/n上水冷板(1)、下水冷板(2)、上热管(3)、下热管(4)、IGBT芯片(11)和FWD芯片(12)；所述上水冷板(1)与上热管(3)连接、所述下水冷板(2)与下热管(4)连接，所述IGBT芯片(11)电连接在上热管(3)和下热管(4)之间，所述FWD芯片(12)电连接在上热管(3)和下热管(4)之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种双面热管冷却的IGBT封装结构，其特征在于，包括：
上水冷板(1)、下水冷板(2)、上热管(3)、下热管(4)、IGBT芯片(11)和FWD芯片(12)；所述上水冷板(1)与上热管(3)连接、所述下水冷板(2)与下热管(4)连接，所述IGBT芯片(11)电连接在上热管(3)和下热管(4)之间，所述FWD芯片(12)电连接在上热管(3)和下热管(4)之间。


2.根据权利要求1所述的一种双面热管冷却的IGBT封装结构，其特征在于，所述IGBT芯片(11)上表面通过第二焊料层(9)与第二覆铜层(8)的下表面连接，所述FWD芯片(12)的上表面通过第三焊料层(10)与第二覆铜层(8)的下表面连接，所述第二覆铜层(8)的上表面与第一绝缘基板(7)的下表面连接，第一绝缘基板(7)的上表面连接第一覆铜层(6)的下表面连接，第一覆铜层(6)的上表面通过第一焊料层(5)连接上热管(3)。


3.根据权利要求1所述的一种双面热管冷却的IGBT封装结构，其特征在于，所述IGBT芯片(11)下表面通过第四焊料层(13)与第三覆铜层(15)的上表面连接，所述FWD芯片(12)的下表面通过第五焊料层(14)与第三覆铜层(15)的上表面连接，所述第三覆铜层(15)的下表面与第二绝缘基板(16)的上表面连接，第二绝缘基板(16)的下表面连接第四覆铜层(25)的上表面，第四覆铜层(25)的下表面通过第六焊料层(17)与下热管(4)的上表面连接。


4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：上海睿驱微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31