【技术实现步骤摘要】
一种像素补偿电路
本技术涉及像素补偿电路的设计,尤其涉及一种上下分层的新型AMOLED像素补偿电路设计。
技术介绍
当今,随着科技水平的不断提升,人们对显示器画面的要求也在提高,即对高解析度的需求增大,例如VR,AR,MR等显示器的解析度高达2000PPI以上。对于OLED面板来说,面内2T1CPixel电路会受到Vth漂移的影响导致面板发光亮度不均匀,需要补偿电路提升面板显示效果,而为了达到更好地补偿效果,补偿电路会有多个TFT,可能会有4T,5T,6T…,这样TFT过多会使Pixel所占面积增大,进而导致面板容纳的Pixel数量减少,即解析度变低,无法满足高解析度的要求。因此,如何提高OLED面板的解析度,制造一种在补偿效果良好基础上具有超高解析度的OLED面板是一项重要的课题。
技术实现思路
因此,需要提供一种新的分层式的像素补偿电路,达到减小TFT排布面积,提高面板解析度的技术效果。为实现上述目的,专利技术人提供了一种像素补偿电路,包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、 ...
【技术保护点】
1.一种像素补偿电路,其特征在于,包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、电容C,所述T1的源极与T3的源极连接,T1的漏极与T5的栅极和T6的栅极连接,所述T3的漏极与T5的源极连接,T5的漏极与T6的源极连接,所述T1的源极还与T2的栅极和T4的漏极连接,所述T4的源极与T2的源极、T7的漏极连接,所述T2的漏极通过电容与T5的源极连接,所述T2的漏极还与T8的漏极和T9的源极连接,T9的漏极还与有机发光二极管的正极连接;/n其中T1、T3、T5、T6为多晶硅薄膜晶体管,设置于基板与介质层之间,所述T2、T4、T7、T8、T9为氧化物薄膜晶体 ...
【技术特征摘要】
1.一种像素补偿电路,其特征在于,包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、电容C,所述T1的源极与T3的源极连接,T1的漏极与T5的栅极和T6的栅极连接,所述T3的漏极与T5的源极连接,T5的漏极与T6的源极连接,所述T1的源极还与T2的栅极和T4的漏极连接,所述T4的源极与T2的源极、T7的漏极连接,所述T2的漏极通过电容与T5的源极连接,所述T2的漏极还与T8的漏极和T9的源极连接,T9的漏极还与有机发光二极管的正极...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢昭阳,罗敬凯,
申请(专利权)人:福建华佳彩有限公司,
类型:新型
国别省市:福建;35
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