【技术实现步骤摘要】
一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法
本专利技术属于磁畴调控
，特别涉及一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法。
技术介绍
薄膜的磁畴动力学对于磁存储和逻辑器件的潜在应用具有重要意义。利用电场调控磁畴是实现低功耗、高密度存储的可行办法之一。其中，由于材料选择的灵活性，应变调制的磁电耦合效应在电场调控的众多途径中受到了广泛关注。然而，由于在磁电异质结中施加电场获得的应变具有单轴性，除非磁性膜具有较强的形状各向异性或单向交换耦合，否则利用应变是难以实现大于90°的磁化翻转。而大于90°的磁化翻转对于信息的非易失性存储十分重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法，以解决上述问题。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法，包括以下步骤：步骤1，制备磁电异质结；步骤2，电场诱导产生的剪切应变和直流偏置磁场共同作用于磁电异质结；步骤3，对比剪切应变作用前的磁畴和剪切应变作用后的磁畴，利...
【技术保护点】
1.一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1，制备磁电异质结；/n步骤2，电场诱导产生的剪切应变和直流偏置磁场共同作用于磁电异质结；/n步骤3，对比剪切应变作用前的磁畴和剪切应变作用后的磁畴，利用剪切应变实现电场诱导局域磁畴翻转。/n
【技术特征摘要】
1.一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，制备磁电异质结；
步骤2，电场诱导产生的剪切应变和直流偏置磁场共同作用于磁电异质结；
步骤3，对比剪切应变作用前的磁畴和剪切应变作用后的磁畴，利用剪切应变实现电场诱导局域磁畴翻转。
2.根据权利要求1所述的一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法，其特征在于，步骤1中，制备磁电异质结，具体包括：
1)将压电单晶基片依次经过丙酮、酒精、去离子水清洗干净，并用氮气吹干表面；
2)将1)中已经清洗好的基片固定于托盘上并放置于磁控溅射的腔室中，按照正确的实验过程调整好参数，依次经过抽真空、充氩气、氩离子轰击靶材的工艺流程进行正确的磁性膜制备实验；
3)重复2)，在压电单晶基片另一侧制备金属电极，得到磁电异质结。
3.根据权利要求1所述的一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法，其特征在于，步骤2中，具体包括：
1)以磁性膜为上电极、金属电极为下电极，沿压电单晶基片厚度方向施加大于压电单晶基片矫顽场的电场，对压电单晶基片进行初始极化，根据施...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，胡忠强，周子尧，王志广，吴金根，赵星儿，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。