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一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法,包括以下步骤:步骤1,制备磁电异质结;步骤2,电场诱导产生的剪切应变和直流偏置磁场共同作用于磁电异质结;本发明所需的磁电异质结由常见的商用菱方相压电单晶基片和工业上常用的磁性单层薄膜构成,结构简单。既...
该专利属于西安交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安交通大学授权不得商用。

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