芯片封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种芯片封装结构，其包括重分布线路结构层、至少一芯片、及封装材料。重分布线路结构层包括至少一晶体管。芯片设置于重分布线路结构层上，并且与重分布线路结构层电连接。封装材料设置于重分布线路结构层上，并且包覆至少一芯片。在芯片封装结构包括一个或是多个芯片时，芯片的位置被作为至少一晶体管位置配置的参考。

Chip packaging structure

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构
本专利技术涉及一种封装结构，特别是涉及一种芯片封装结构。
技术介绍
在芯片封装结构中，为了提供芯片或是系统的静电放电防护功能，在不增加芯片封装结构的尺寸的情况下，可以将静电放电防护功能整合至芯片或系统封装结构中，例如将具有静电放电防护功能的晶体管整合于系统封装结构中。另外，也可将具有开关控制功能的晶体管整合于系统封装结构中。在具有封装材料及重分布线路结构层(RDL)的芯片封装结构中，可以在重分布线路结构层设置具有静电放电防护功能或其他功能的晶体管，但当支撑基板被取下后，晶体管失去支撑基板的支撑力，会因封装材料产生的机械应力，导致其功能异常甚至失效。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种芯片封装结构，其在重分布线路结构层中设置有晶体管，芯片的位置被作为晶体管的位置配置的参考。本专利技术实施例提供一种芯片封装结构，其在重分布线路结构层中设置有晶体管，并且晶体管的配置位置可使晶体管在支撑基板被取下后受到较小的应力，维持晶体管的功能。本专利技术实施例的一种芯片封装结构包括重分布线路结构层、第一芯片、第二芯片以及封装材料。重分布线路结构层包括至少一晶体管。第一芯片及第二芯片设置于重分布线路结构层上，并且与重分布线路结构层电连接。封装材料设置于重分布线路结构层上，具有远离重分布线路结构层的第一表面，并且包覆第一芯片与第二芯片，第一芯片与第二芯片在第一表面上的垂直投影分别为第一投影及第二投影，所述第一投影及所述第二投影分别具有靠近彼此的边缘a11及边缘a12，a11及a12分别为所述第一投影及所述第二投影靠近彼此的边缘所对应的参考号，边缘a11的中心与边缘a12的中心的距离为D1，其中至少一晶体管在第一表面上的垂直投影的位置满足下列条件(1)至条件(2)的其中之一:条件(1):位于边缘a11与距边缘a11的D1/3的位置之间；条件(2):位于距边缘a11的D1/3的位置与2D1/3的位置之间。本专利技术实施例的一种芯片封装结构包括重分布线路结构层、第一芯片以及封装材料。重分布线路结构层包括至少一晶体管。第一芯片设置于重分布线路结构层上，并且与重分布线路结构层电连接。封装材料设置于重分布线路结构层上，具有远离重分布线路结构层的第一表面，并且包覆第一芯片。第一芯片在垂直于第一表面的方向上的厚度为t，第一芯片在第一表面上的垂直投影具有四个边缘，四个边缘形成一面积为A的矩形，其中至少一晶体管在第一表面上的垂直投影的位置位于由各别平行四个边缘且距四个边缘的垂直距离为t的四条直线所围成的四边形内，四边形的面积大于A。本专利技术实施例的一种芯片封装结构，包括重分布线路结构层、第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片以及封装材料。重分布线路结构层包括至少一晶体管。第一芯片、第二芯片、第三芯片及第四芯片阵列排列地设置于重分布线路结构层上，且与重分布线路结构层电连接，其中第一芯片与第三芯片为对角线设置。封装材料设置于重分布线路结构层上，具有远离重分布线路结构层的第一表面，并且包覆第一芯片、第二芯片、第三芯片及第四芯片。第一芯片、第二芯片、第三芯片及第四芯片在第一表面上的垂直投影分别为第一投影、第二投影、第三投影及第四投影，所述第一投影与所述第二投影分别具有靠近彼此的边缘a11及边缘a12，a11及a12分别为所述第一投影及所述第二投影靠近彼此的边缘所对应的参考号，其中边缘a11的中心与边缘a12的中心的距离为D1，所述第一投影与所述第四投影分别具有靠近彼此的边缘a21及边缘a23，a21及a23分别为所述第一投影与所述第四投影靠近彼此的边缘所对应的参考号，所述边缘a21的中心与所述边缘a23的中心的距离为D2，其中在平行于第一投影与第二投影的排列方向上，至少一晶体管在第一表面上的垂直投影的位置满足下列条件(i)至条件(ii)的其中之一:条件(i):位于边缘a11与距边缘a11的D1/3的位置之间；条件(ii):位于距边缘a11的D1/3的位置与2D1/3的位置之间，并且，在平行于第一投影与第四投影的排列方向上，至少一晶体管在第一表面上的垂直投影的位置满足下列条件(a)至条件(b)的其中之一:条件(a):位于边缘a21与距边缘a21的D2/3的位置之间；条件(b):位于距边缘a21的D2/3的位置与2D2/3的位置之间。为让本专利技术更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明图1是本专利技术第一实施例的芯片封装结构的剖面示意图；图2是本专利技术第二实施例的芯片封装结构的剖面示意图；图3是本专利技术第三实施例的芯片封装结构的上视图；图4是本专利技术第四实施例的完成芯片封装结构后取下支撑基板的示意图；图5是本专利技术第五实施例的芯片封装结构中的晶体管设置位置的上视示意图；图6A为两个芯片在封装材料的远离重分布线路结构层的第一表面的垂直投影示意图；图6B是本专利技术第六实施例的芯片封装结构中的晶体管设置位置的上视示意图；图6C是本专利技术第七实施例的芯片封装结构中的晶体管设置位置的上视示意图；图6D是本专利技术第八实施例的芯片封装结构中的晶体管设置位置的上视示意图；图6E是本专利技术第九实施例的芯片封装结构中的晶体管设置位置的上视示意图；图7A及图7B分别是本专利技术第十实施例及第十一实施例的芯片封装结构中的晶体管设置位置的上视示意图；图8A为四个芯片在封装材料的远离重分布线路结构层的第一表面的垂直投影示意图；图8A-1为将图8A四个芯片的垂直投影示意图分为中央区与周边区的示意图；图8B是本专利技术第十二实施例的芯片封装结构中的晶体管设置位置的上视示意图；图9A至图9C分别为本专利技术第十三至第十五实施例的芯片封装结构中周边区的晶体管设置位置的上视示意图；图10A至图10C分别为本专利技术第十六至第十八实施例的芯片封装结构中中央区的晶体管设置位置的上视示意图；图11A至图11G分别为本专利技术第十九至第二十五实施例的芯片封装结构中的晶体管设置位置的上视示意图；图12为本专利技术二十六实施例的芯片封装结构中的晶体管设置位置的上视示意图。符号说明100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G：芯片封装结构110、110A：重分布线路结构层112：晶体管114：导电通孔116：重分布线路120、120-A、120-B：芯片120C、120D、120E、120F、120G：垂直投影130：封装材料140：基板a1、a2、a3、a4：边缘a11、a12、a21、a23：边缘b1、b2、b3、b4：直线A：矩形B：四边形AA、AB：面积A120D、A120E、A120F、A120G：四边形C1：第一重分布线路C2：第二重分布线路DI1、DI2、DI3：介电层D1、D2：距离l1、l2：连线l3、l4：外公切线PIN本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：/n重分布线路结构层，包括至少一晶体管；/n第一芯片及第二芯片，设置于所述重分布线路结构层上，并且与所述重分布线路结构层电连接；以及/n封装材料，设置于所述重分布线路结构层上，具有远离所述重分布线路结构层的第一表面，并且包覆所述第一芯片与所述第二芯片，所述第一芯片与所述第二芯片在所述第一表面上的垂直投影分别为第一投影及第二投影，所述第一投影及所述第二投影分别具有靠近彼此的边缘a11及边缘a12，a11及a12分别为所述第一投影及所述第二投影靠近彼此的边缘所对应的参考号，所述边缘a11的中心与所述边缘a12的中心的距离为D

【技术特征摘要】
20181211 TW 1071446471.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
重分布线路结构层，包括至少一晶体管；
第一芯片及第二芯片，设置于所述重分布线路结构层上，并且与所述重分布线路结构层电连接；以及
封装材料，设置于所述重分布线路结构层上，具有远离所述重分布线路结构层的第一表面，并且包覆所述第一芯片与所述第二芯片，所述第一芯片与所述第二芯片在所述第一表面上的垂直投影分别为第一投影及第二投影，所述第一投影及所述第二投影分别具有靠近彼此的边缘a11及边缘a12，a11及a12分别为所述第一投影及所述第二投影靠近彼此的边缘所对应的参考号，所述边缘a11的中心与所述边缘a12的中心的距离为D1，
其中所述至少一晶体管在所述第一表面上的垂直投影的位置满足下列条件(1)至条件(2)的其中之一:
条件(1):位于所述边缘a11与距所述边缘a11的D1/3的位置之间，
条件(2):位于距所述边缘a11的D1/3的位置与2D1/3的位置之间。


2.如权利要求1所述的芯片封装结构，若满足所述条件(1)，则所述至少一晶体管在所述第一表面上的垂直投影的位置更包括位于所述边缘a12与距所述边缘a12的D1/3的位置之间。


3.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中所述至少一晶体管在所述第一表面上的垂直投影位于所述边缘a11、所述边缘a12及所述第一投影及所述第二投影的两条外公切线所形成的四边形的范围内。


4.如权利要求1所述的芯片封装结构，还包括第三芯片及第四芯片，与所述第一芯片及所述第二芯片阵列排列的设置于所述重分布线路结构层上，其中所述第一芯片与所述第三芯片为对角线设置，所述封装材料包覆所述第三芯片及所述第四芯片，所述第三芯片与所述第四芯片在所述第一表面上的垂直投影分别为第三投影及第四投影，所述第一投影与所述第四投影分别具有靠近彼此的边缘a21及边缘a23，a21及a23分别为所述第一投影与所述第四投影靠近彼此的边缘所对应的参考号，所述边缘a21的中心与所述边缘a23的中心的距离为D2，
其中在平行于所述第一投影与所述第二投影的排列方向上，所述至少一晶体管在所述第一表面上的垂直投影的位置满足下列条件(i)至条件(ii)的其中之一:
条件(i):位于所述边缘a11与距所述边缘a11的D1/3的位置之间，
条件(ii):位于距所述边缘a11的D1/3的位置与2D1/3的位置之间，并且
在平行于所述第一投影与所述第四投影的排列方向上，所述至少一晶体管在所述第一表面上的垂直投影的位置满足下列条件(a)至条件(b)的其中之一:
条件(a):位于所述边缘a21与距所述边缘a21的D2/3的位置之间，
条件(b):位于距所述第边缘a21的D2/3的位置与2D2/3的位置之间。


5.如权利要求4所述的芯片封装结构，若满足条件(i)，则所述至少一晶体管在所述第一表面上的垂直投影的位置还包括位于所述边缘a12与距所述边缘a12的D1/3的位置之间。


6.如权利要求4所述的芯片封装结构，若满足条件(a)，则所述至少一晶体管在所述第一表面上的垂直投影的位置还包括位于所述边缘a23边缘与距所述边缘a23的D2/3的位置之间。


7.如权利要求4所述的芯片封装结构，所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片及所述第四芯片为相同种类或相同功能的芯片，或为不同种类或不同功能的芯片。


8.如权利要求1所述的芯片封装结构，所述重分布线路结构层还包括至少一重分布线路，所述至少一重分布线路电连接于所述至少一晶体管，其中所述至少一重分布线路包括电压源线路及接地线路，所述至少一晶体管电连接至所述电压源线路、所述接地线路、及所述第一芯片或所述第二芯片的引脚端。


9.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中所述至少一晶体管包括薄膜晶体管。


10.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中所述封装材料包括环氧树脂。


11.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中所述重分布线路结构层还包括多个介电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑惟元，杨镇在，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71