TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理方法技术

本发明专利技术提供TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理方法，包括如下步骤，步骤1，先在TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆的图形面喷涂一层光刻胶，再将所述晶圆的中心位置遮挡后进行定向曝光，该晶圆未曝光的区域为边缘区域，最后去除该晶圆边缘区域的光刻胶；步骤2，将步骤1得到的晶圆去胶处理后浸泡在腐蚀液中，得到去除面铜，以及铜凸点或铜凸块的晶圆；步骤3，将步骤2得到的晶圆图形面的光刻胶去除，并对所得晶圆的背面进行减薄处理，完成TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理。本发明专利技术将晶圆自身的硬翘曲转变为软翘曲，从而更容易实现晶圆与抛光垫的完全接触，实现全局平坦化。

Pretreatment before chemical mechanical polishing of TSV copper hard warped wafer

【技术实现步骤摘要】
TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理方法
本专利技术属于半导体与先进封装交叉
，具体为TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理方法。
技术介绍
在半导体TSV(英文全称为ThroughSiliconVia)互连工艺中，为了满足器件的导通需求，需要通过盲孔电镀铜工艺将硅通孔填充满来实现芯片正面与背面的电互连。在半导体TSV互连工艺中，硅通孔刻蚀的完成需要依次通过CVD工艺、PVD工艺完成阻挡层、种子层的制备，然后通过盲孔电镀铜工艺使金属铜沿孔壁内的种子层缓慢沉积，直至硅通孔内铜柱填充完全。在CVD工艺、PVD工艺以及盲孔电镀铜工艺中，往往因表面沉积或电镀上不同厚度的介质层而产生应力，导致晶圆产生不同程度的硬翘曲。此外，由于在盲孔电镀铜工艺中，电流往往会在夹具与晶圆边缘接触的地方聚集，形成不规则的铜凸点或铜凸块，导致TSV盲孔电镀晶圆整面铜层厚度一致性差。由于晶圆硬翘曲的大小不一，方向不可控，在化学机械抛光(简写为CMP)过程中无法保证晶圆工艺面与抛光垫完全接触，抛光后往往会出现抛光均匀性较差、局部严重过抛本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理方法，其特征在于，包括如下步骤，/n步骤1，先在TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆的图形面喷涂一层光刻胶，再将所述晶圆的中心位置遮挡后进行定向曝光，该晶圆未曝光的区域为边缘区域，最后去除该晶圆边缘区域的光刻胶；/n步骤2，将步骤1得到的晶圆去胶处理后浸泡在腐蚀液中，得到去除面铜，以及铜凸点或铜凸块的晶圆；/n步骤3，将步骤2得到的晶圆图形面的光刻胶去除，并对所得晶圆的背面进行减薄处理，完成TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理。/n

【技术特征摘要】
1.TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理方法，其特征在于，包括如下步骤，
步骤1，先在TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆的图形面喷涂一层光刻胶，再将所述晶圆的中心位置遮挡后进行定向曝光，该晶圆未曝光的区域为边缘区域，最后去除该晶圆边缘区域的光刻胶；
步骤2，将步骤1得到的晶圆去胶处理后浸泡在腐蚀液中，得到去除面铜，以及铜凸点或铜凸块的晶圆；
步骤3，将步骤2得到的晶圆图形面的光刻胶去除，并对所得晶圆的背面进行减薄处理，完成TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理。


2.根据权利要求1所述的TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理方法，其特征在于，步骤1中所述的光刻胶为正性光刻胶。


3.根据权利要求1所述的TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理方法，其特征在于，步骤1中所述边缘区域的尺寸为5-10mm。


4.根据权利要求1所述的TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理方法，其特征在于，步骤2中，采用等离子干法将步骤1得到的晶圆去胶。


5.根据权利要求1所述的TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳永豪，吴道伟，刘建军，牛昊，梅志鹏，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61