片状压敏电阻制造技术

本发明专利技术提供一种片状压敏电阻，其在素体内包含两个功能层(即，第一功能层和第二功能层)，两个功能层具有实质上相同的静电电容。在片状压敏电阻中，通过碱金属含有部，素体从外表面被高电阻化，但碱金属含有部未到达第一功能层和第二功能层。因此，碱金属含有部不会影响到第一功能层和第二功能层的静电电容，抑制片状压敏电阻的寄生电容。因此，片状压敏电阻包含抑制了电容偏差的两个功能层。

Sheet varistor

【技术实现步骤摘要】
片状压敏电阻
本专利技术涉及片状压敏电阻(CHIPVARISTOR)。
技术介绍
作为片状压敏电阻，已知有具有压敏电阻素体和端子电极的层叠型片状压敏电阻，该压敏电阻素体具有功能层(压敏电阻层)和以夹着功能层的方式与功能层相接配置的内部电极；该端子电极以与对应于压敏电阻素体的端部的内部电极连接的方式配置(例如，参照日本特开2002－184608号公报)。
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术的专利技术人例如为了保护车载用的差分传输用收发装置以使其免受ESD(ElectrostaticDischarge：静电放电)那样的浪涌电压的影响，对将片状压敏电阻应用在差分传输用收发装置上的技术进行了深入研究，其结果，得到了分别安装于两个信道的片状压敏电阻间的电容偏差成为通信错误的原因这样的见解。本专利技术的专利技术人进行了深入研究以后，重新发现了通过抑制上述电容偏差，能够降低信号错误的技术。根据本专利技术，提供一种能够实现高的信号精度的片状压敏电阻和差分传输用收发装置。用于解决技术问题的技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片状压敏电阻，其特征在于，具有：/n素体，其具有相互相对的第一面和第二面，且具有层叠结构；/n第一导体，其在所述素体的规定的层内，沿着第一面和第二面的相对方向延伸；/n第二导体，其在所述素体的与所述第一导体不同的层内，沿着第一面和第二面的相对方向延伸，形成在所述素体的层叠方向上与所述第一导体重叠的重叠部；/n第三导体，其在所述素体的位于所述第一导体和所述第二导体的中间的层内，沿着与所述第一导体以及所述第二导体交叉的方向延伸，具有在所述素体的层叠方向上与所述重叠部重叠的功能部，在所述功能部与所述第一导体之间形成第一功能层，并且在所述功能部与所述第二导体之间形成第二功能层；/n第一电极，其...

【技术特征摘要】
20181212 JP 2018-2327151.一种片状压敏电阻，其特征在于，具有：
素体，其具有相互相对的第一面和第二面，且具有层叠结构；
第一导体，其在所述素体的规定的层内，沿着第一面和第二面的相对方向延伸；
第二导体，其在所述素体的与所述第一导体不同的层内，沿着第一面和第二面的相对方向延伸，形成在所述素体的层叠方向上与所述第一导体重叠的重叠部；
第三导体，其在所述素体的位于所述第一导体和所述第二导体的中间的层内，沿着与所述第一导体以及所述第二导体交叉的方向延伸，具有在所述素体的层叠方向上与所述重叠部重叠的功能部，在所述功能部与所述第一导体之间形成第一功能层，并且在所述功能部与所述第二导体之间形成第二功能层；
第一电极，其设置于所述素体的所述第一面侧，与所述第一导体连接；
第二电极，其设置于所述素体的所述第二面侧，与所述第二导体连接；
第三电极，其设置于所述素体的表面，与所述第三导体连接；和
碱金属含有部，其是通过含有碱金属而提高了电阻的所述素体的一部分，该碱金属含有部构成所述素体的表面，并且沿着所述第一导体、所述第二导体以及所述第三导体与所述素体的界面从所述素体的表面向内部延伸，
所述碱金属含有部未到达所述第一功能层和所述第二功能层。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：内田雅幸，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP