偏光薄膜制造用的处理槽及偏光薄膜的制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供不容易被所容纳的处理液侵蚀的偏光薄膜制造用的处理槽及偏光薄膜的制造装置。在由薄膜原卷(3)制作偏光薄膜时使用的用于容纳处理液的处理槽中，前述处理槽具有金属制的槽主体(11)以及覆盖前述槽主体(11)的内表面的被覆层(12)，前述被覆层(12)由伸长率为150％以上的被覆材料形成。

Processing tank for polarizing film manufacturing and manufacturing device for polarizing film

【技术实现步骤摘要】
偏光薄膜制造用的处理槽及偏光薄膜的制造装置
本专利技术涉及在将薄膜原卷浸渍于处理液来制造偏光薄膜时使用的处理槽及偏光薄膜的制造装置。
技术介绍
一直以来，使用偏光薄膜作为液晶显示装置、偏光太阳镜等的构成材料。作为前述偏光薄膜，例如已知有用碘等二色性物质进行染色而得到的薄膜。这种偏光薄膜例如通过将作为薄膜原卷的聚乙烯醇系薄膜依次浸渍于溶胀处理槽、染色处理槽、交联处理槽、拉伸处理槽和洗涤处理槽来得到(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-210520号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在前述交联处理槽等各处理槽中容纳有交联处理液等各处理液。前述处理槽由金属制的槽主体以及被覆槽主体的内表面的被覆层构成。被覆层用于防止金属制的槽主体被交联处理液等处理液侵蚀，由纤维增强环氧树脂等FRP(纤维增强复合材料)形成。然而，在长期使用过程中，有时前述被覆层会产生裂纹或被覆层会从槽主体局部剥离。一旦产生被覆层的裂纹或剥离，处理液会自该部分与槽主体接触，因此槽主体会被处理液侵蚀，不得不修补/更换处理槽。本专利技术的目的在于提供不容易被所容纳的处理液侵蚀的偏光薄膜制造用的处理槽和偏光薄膜的制造装置。用于解决问题的方案关于本专利技术的偏光薄膜制造用的处理槽，在用于容纳由薄膜原卷制作偏光薄膜时使用的处理液的处理槽中，前述处理槽具有金属制的槽主体以及覆盖前述槽主体的内表面的被覆层，前述被覆层由伸长率为150％以上的被覆材料形成。本专利技术的优选的偏光薄膜制造用的处理槽中，前述被覆层由伸长率为350％～450％的被覆材料形成。本专利技术的优选的偏光薄膜制造用的处理槽中，前述槽主体的热膨胀系数为10×10-6/℃～24×10-6/℃。本专利技术的优选的偏光薄膜制造用的处理槽中，前述被覆材料含有聚脲树脂。本专利技术的优选的偏光薄膜制造用的处理槽中，前述被覆层的厚度为1.0mm以上。本专利技术的优选的偏光薄膜制造用的处理槽中，前述槽主体由不锈钢形成。本专利技术的优选的偏光薄膜制造用的处理槽用于对薄膜原卷进行交联的交联处理槽和对薄膜原卷进行拉伸的拉伸处理槽中的至少任一者。根据本专利技术的另一方面，提供偏光薄膜的制造装置。本专利技术的偏光薄膜制造的制造装置具有上述任一处理槽、容纳在前述处理槽中的处理液、以及将薄膜原卷输送并浸渍于前述处理槽内的处理液中的输送装置。本专利技术的优选的偏光薄膜的制造装置中，前述处理液含有碘化合物和硼化合物中的至少一者。本专利技术的优选的偏光薄膜的制造装置中，前述处理液的温度为40℃以上。专利技术的效果本专利技术的偏光薄膜制造用的处理槽不容易被处理液侵蚀，能够长期用于偏光薄膜的制造而无需修补/更换。此外，具有前述处理槽的制造装置能够降低处理槽的维修频率，能够长期制作偏光薄膜。附图说明图1是本专利技术的1个实施方式的偏光薄膜制造用的处理槽的剖视图。图2是示出本专利技术的偏光薄膜的制造装置的示意图。附图标记说明1处理槽1A溶胀处理槽1B染色处理槽1C交联处理槽1D拉伸处理槽1E洗涤处理槽11槽主体12被覆层2偏光薄膜的制造装置3薄膜原卷具体实施方式在本说明书中，以“下限值X～上限值Y”表示的数值范围是指为下限值X以上且上限值Y以下。在分别记载有多个前述数值范围的情况下，可以选择任意的下限值和任意的上限值来设定“任意的下限值～任意的上限值”。各附图是为了参考而给出的，应注意各附图所示的构件等的尺寸、比例尺和形状有时会与实际的不同。本专利技术的偏光薄膜制造用的处理槽是用于容纳由薄膜原卷制作偏光薄膜时使用的处理液的容器。作为由薄膜原卷制造偏光薄膜的方法，例如具有用溶胀处理液使薄膜原卷溶胀的工序、用染色处理液对经溶胀的薄膜原卷进行染色的工序以及用交联处理液对经染色的薄膜原卷进行交联的工序，优选还具有用洗涤处理液洗涤薄膜原卷的工序。此外，前述制造方法还具有：在前述交联工序之后在拉伸处理液中对薄膜原卷进行拉伸的工序，或者，在选自前述溶胀工序、染色工序和交联工序中的至少1个工序中对薄膜原卷进行拉伸的工序，或者，在选自前述溶胀工序、染色工序和交联工序中的至少1个工序中对薄膜原卷进行拉伸且在交联工序之后在拉伸处理液中对薄膜原卷进行拉伸的工序。本专利技术的处理槽以容纳有前述溶胀处理液等处理液的状态设置在偏光薄膜的生产线中。[偏光薄膜制造用的处理槽]图1是偏光薄膜制造用的处理槽1的剖视图。参照图1，处理槽1具有金属制的槽主体11以及覆盖前述槽主体11的内表面的被覆层12。在本专利技术中，前述被覆层12由伸长率为150％以上的被覆材料形成。具体而言，槽主体11的形状只要为能够在内部容纳处理液且具有可搬入和搬出薄膜原卷的出入口的形状，则没有特别限定。图示例中，槽主体11形成为具有底面部111和从底面部111的周围竖起的周壁面部112的、上表面开口型的凹状。上表面开口型的槽主体11中，其上表面开口部成为薄膜原卷的出入口。需要说明的是，形成有薄膜原卷的出入口的盖材(未图示)可以覆盖前述槽主体11的上表面开口部。此外，薄膜原卷的出入口可以形成在槽主体11的周壁面部112的上方部(未图示)。槽主体11优选其热膨胀系数为10×10-6/℃～24×10-6/℃，进而，更优选为10×10-6/℃～18×10-6/℃，进一步优选为15×10-6/℃～18×10-6/℃。通过对热膨胀系数为前述范围的槽主体11设置伸长率为150％以上的被覆层12，即使长期使用处理槽1，也能够防止被覆层12的裂纹或剥离。前述热膨胀系数是指以平均每1℃的变化率表示因温度的上升而产生的物体的长度/体积的变化的值。槽主体11的热膨胀系数为不含被覆层12等的槽主体11自身的热膨胀系数。通常，槽主体11的热膨胀系数与形成槽主体11的金属的热膨胀系数相等。此外，前述热膨胀系数为0℃～100℃下的平均值。前述热膨胀系数依据JISZ2285：2003(金属材料的线热膨胀系数的测定方法)进行测定。对形成槽主体11的金属没有特别限定，优选使用具有前述10×10-6/℃～24×10-6/℃的热膨胀系数的金属。例如，作为形成槽主体11的金属，可列举出不锈钢、铁、铝、合金等，优选使用不锈钢。不锈钢在JIS标准中规定有SUS304、SUS305、SUS316、SUS410、SUS430等各种材质。本专利技术可以从这些不锈钢中适当选择并使用，优选使用SUS316L或SUS304。需要说明的是，SUS304的热膨胀系数为17.3×10-6/℃，SUS316L的热膨胀系数为16.0×10-6/℃。槽主体11的壁厚只要为具有能够容纳处理液的机械强度的程度，则没有特别限定，壁厚过大时，材料费用会上涨。从该角度来看，槽主体11的壁厚例如为0.5mm～10mm，优选为2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏光薄膜制造用的处理槽，/n其是用于容纳由薄膜原卷制作偏光薄膜时使用的处理液的处理槽，其中，/n所述处理槽具有金属制的槽主体以及覆盖所述槽主体的内表面的被覆层，/n所述被覆层由伸长率为150％以上的被覆材料形成。/n

【技术特征摘要】
20181212 JP 2018-2322401.一种偏光薄膜制造用的处理槽，
其是用于容纳由薄膜原卷制作偏光薄膜时使用的处理液的处理槽，其中，
所述处理槽具有金属制的槽主体以及覆盖所述槽主体的内表面的被覆层，
所述被覆层由伸长率为150％以上的被覆材料形成。


2.根据权利要求1所述的偏光薄膜制造用的处理槽，其中，所述被覆层由伸长率为350％～450％的被覆材料形成。


3.根据权利要求1或2所述的偏光薄膜制造用的处理槽，其中，所述槽主体的热膨胀系数为10×10-6/℃～24×10-6/℃。


4.根据权利要求1或2所述的偏光薄膜制造用的处理槽，其中，所述被覆材料含有聚脲树脂。


5.根据权利要求1或2所述的偏光...

【专利技术属性】
技术研发人员：田村透，桑木清和，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP