【技术实现步骤摘要】
用于碳化硅外延的加热装置
本技术涉及碳化硅外延生长
，具体是涉及一种用于碳化硅外延的加热装置。
技术介绍
随着5G移动通讯技术、新能源汽车、高速轨道交通、移动互联、可见光通讯、高压智能电网等市场的巨大拉动下，全球对于碳化硅和氮化镓为代表的具有带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强等特征的宽禁带半导体材料(第三代半导体材料)的关注度日益提高，对于高质量晶片的需求也越来越高。一些高压双极性器件，需晶片外延膜厚度超过50μm,一些高压、大电流、高可靠性SiC电子器件的不断发展对SiC外延薄膜提出了更多苛刻的要求。碳化硅外延是在表面生长一层或数层碳化硅薄膜，目前主流的方法是通过化学气相沉积的方法进行同质外延生长，工艺在1600℃左右的超高温度下进行，同时对于温度场的均匀性也有很大的要求。目前主要的加热方式有红外加热、电阻丝外壁加热、射频加热、电磁感应加热。红外加热利用定向好、快速等优点，但一般用于温度比较低的加热环境，当温度提高时红外加热比较慢；电阻丝加热是通电后自身发热再传导到反应区，其热效...
【技术保护点】
1.一种用于碳化硅外延的加热装置，包括外延生长反应腔和绕设于外延生长反应腔外的电磁感应线圈；其特征在于，所述电磁感应线圈包括多个线圈匝，所述电磁感应线圈的匝间距自线圈端部向线圈中部逐渐递增。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅外延的加热装置，包括外延生长反应腔和绕设于外延生长反应腔外的电磁感应线圈；其特征在于，所述电磁感应线圈包括多个线圈匝，所述电磁感应线圈的匝间距自线圈端部向线圈中部逐渐递增。
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述电磁感应线圈为方形或圆形。
3.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述电磁感应线圈与电源柜相连，电源柜输出频率为3kHz至8kHz。
4.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述外延生长反应腔内部设有保温石墨罩，保温石墨罩为筒状结构，前后两端设有端盖。
5.根据权利要求4所述的加热装置，其特征在于，所述保温石墨罩内设有加热石墨罩；所述加...
【专利技术属性】
技术研发人员：傅林坚，沈文杰，周建灿，邵鹏飞，汤承伟，周航，潘礼钱，
申请(专利权)人：杭州弘晟智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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