一种三电平全桥LLC故障封脉冲的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种三电平全桥LLC故障封脉冲的装置，包括故障检测单元、数字信号处理器单元、缓冲芯片单元、驱动芯片单元；故障检测单元的一端与缓冲芯片单元的第一使能端口连接，故障检测单元的一端还与数字信号处理器单元的一端连接，故障检测单元的另一端为采集端口；数字信号处理器单元的另一端与缓冲芯片单元的一端连接；缓冲芯片单元的另一端与驱动芯片单元的一端连接；驱动芯片单元的另一端连接DC‑DC变换器中桥臂所包括的内管和外管中的各MOS管。通过硬件和软件相结合封脉冲，在故障检测单元检测到有故障发生时，先关外管再关内管，提高了故障封脉冲的速度，提高了DC‑DC变换器的可靠性，延长了主回路中功率器件的寿命。

A device of three-level full bridge LLC fault sealing pulse

【技术实现步骤摘要】
一种三电平全桥LLC故障封脉冲的装置
本技术涉及变换器控制
，尤其涉及一种三电平全桥LLC故障封脉冲的装置。
技术介绍
氢燃料电池是利用氢气作为燃料，空气作为氧化剂进行化学反应转换电能，反应物为水且噪声小，真正实现零排放，对环境无污染，被视为未来汽车最理想的能源来源。目前，作为氢燃料电池DC-DC变换器(即直流-直流变换器)，通常采用如图1所示的三电平全桥LLC的电路拓扑。如图1所示，该三电平全桥LLC的电路中设置有第一桥臂B1和第二桥臂B2；所述第一桥臂B1设置有第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4；所述第二桥臂B2设置有第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8。其中，所述第一MOS管Q1和第四MOS管Q4是所述第一桥臂B1的外管，所述第二MOS管Q2和第三MOS管Q3是所述第一桥臂B1的内管；所述第五MOS管Q5和第八MOS管Q8是所述第二桥臂B2的外管，所述第六MOS管Q6和第七MOS管Q7是所述第二桥臂B2的内管。对于三电平全桥LLC电路中桥臂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三电平全桥LLC故障封脉冲的装置，用于DC-DC变换器中桥臂的故障封脉冲，其特征在于，包括故障检测单元、数字信号处理器单元、缓冲芯片单元、驱动芯片单元；/n所述故障检测单元的一端与所述缓冲芯片单元的第一使能端口连接，所述故障检测单元的一端还与所述数字信号处理器单元的一端连接，所述故障检测单元的另一端为用于采集故障信号的采集端口；/n所述数字信号处理器单元的另一端与所述缓冲芯片单元的一端连接；/n所述缓冲芯片单元的另一端与所述驱动芯片单元的一端连接；/n所述驱动芯片单元的另一端中第一输出端与DC-DC变换器中桥臂所包括的外管中的各MOS管连接，所述驱动芯片单元的另一端中第二输出端与DC-...

【技术特征摘要】
1.一种三电平全桥LLC故障封脉冲的装置，用于DC-DC变换器中桥臂的故障封脉冲，其特征在于，包括故障检测单元、数字信号处理器单元、缓冲芯片单元、驱动芯片单元；
所述故障检测单元的一端与所述缓冲芯片单元的第一使能端口连接，所述故障检测单元的一端还与所述数字信号处理器单元的一端连接，所述故障检测单元的另一端为用于采集故障信号的采集端口；
所述数字信号处理器单元的另一端与所述缓冲芯片单元的一端连接；
所述缓冲芯片单元的另一端与所述驱动芯片单元的一端连接；
所述驱动芯片单元的另一端中第一输出端与DC-DC变换器中桥臂所包括的外管中的各MOS管连接，所述驱动芯片单元的另一端中第二输出端与DC-DC变换器中桥臂所包括的内管中的各MOS管连接；
所述故障检测单元，用于检测故障信号，且在检测到故障信号时触发所述数字信号处理器单元的中断和触发所述缓冲芯片单元的第一使能端口电平拉高；
所述数字信号处理器单元，用于在故障检测单元检测到故障信号时延时向所述缓冲芯片单元发送PWM驱动信号；
所述缓冲芯片单元，用于在第一使能端口被拉高时，输出第一低电平信号，并在接收到PWM驱动信号时，输出第二低电平信号；
所述驱动芯片单元，用于对所检测到的所述第一低电平信号进行隔离和放大以驱动硬件封波所述外管，并对所检测到的所述第二低电平信号进行隔离和放大以驱动软件封波所述内管。


2.根据权利要求1所述的三电平全桥LLC故障封脉冲的装置，其特征在于，所述故障检测单元包括采集端口、与逻辑门电路单元、二极管钳位电路单元、三极管开关电路单元、恒高电平电路单元、故障信号端口；
所述采集端口的一端与DC-DC变换器连接，所述采集端口的另一端与所述与逻辑门电路单元的一端连接；
所述与逻辑门电路单元的另一端与所述二极管钳位电路单元的一端连接；
所述二极管钳位电路单元的另一端与所述三极管开关电路单元的一端连接；
所述恒高电平电路单元的一端与所述三极管开关电路单元的一端连接；
所述三极管开关电路单元的另一端与所述缓冲芯片单元的第一使能端口连接，还与第一直流电压连接；
所述故障信号端口与所述恒高电平电路单元的另一端连接；
其中，所述采集端口所采集的初始电平为高电平，所述故障信号端口初始电平为高电平，所述三极管开关电路单元中输出至所述缓冲芯片单元的第一使能端口的初始电平为低电平；若采集端口所采集的电平其中一路由高电平变为低电平，所述故障信号端口由高电平变为低电平，所述三极管开关电路单元中输出至所述缓冲芯片单元的第一使能端口由低电平变为高电平。


3.根据权利要求2所述的三电平全桥LLC故障封脉冲的装置，其特征在于，所述采集端口包括输出过压信号采集端口、谐振电流过流信号采集端口、驱动芯片故障信号采集端口、输入信号过压信号采集端口；所述输出过压信号采集端口、谐振电流过流信号采集端口、驱动芯片故障信号采集端口、输入信号过压信号采集端口均与所述与逻辑门电路单元的一端连接。


4.根据权利要求3所述的三电平全桥LLC故障封脉冲的装置，其特征在于，所述与逻辑门电路单元包括第一与门和第二与门；所述输出过压信号采集端口与所述第一与门的第一输入端连接，所述谐振电流过流信号采集端口与所述第一与门的第二输入端连接，所述驱动芯片故障信号采集端口与所述第二与门的第一输入端连接，所述输入信号过压信号采集端口与所述第二与门的第二输入端连接；所述第一与门的输出端与所述二极管钳位电路单元的一端连接，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：石增，宋晨，王国建，
申请(专利权)人：深圳市英威腾电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44