三电平H桥电路、高压功率单元及高压变频器制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种三电平H桥电路、高压功率单元及高压变频器，涉及变频器技术领域。其中，所述三电平H桥电路包括二极管以及IGBT，所述二极管以及所述IGBT均为独立封装，所述二极管以及所述IGBT均焊接在PCB板上。通过将三电平H桥电路的元器件(二极管以及IGBT)独立封装且焊接于同一PCB板上，一方面能够提高信号传递的稳定性，另一方面，可省去铜排和连接线缆，降低产品的尺寸以及成本。

Three level H-bridge circuit, high voltage power unit and high voltage inverter

【技术实现步骤摘要】
三电平H桥电路、高压功率单元及高压变频器
本技术涉及变频器
，尤其涉及一种三电平H桥电路、高压功率单元及高压变频器。
技术介绍
目前高压变频器广泛采用单元串联的形式，单元逆变使用H桥电路。大多数的高压功率单元H桥电路都采用两电平的方案。其缺点在于，功率单元数量较多导致移相变压器和变频器整机的尺寸都比较大，成本也比较高。现有单元串联的高压三电平方案的H桥电路采用2个三电平IGBT模块构成I型三电平拓扑，每个IGBT模块中包含4个IGBT、6个二极管。这种三电平方案的模块体积较大，需要采用螺丝与铜排进行固定，驱动部分需要门极板并通过线缆与驱动板进行连接，通常适合电流在82A以上的功率单元，在电流在82A以下小功率的应用场景下，其体积和成本都存在很大的劣势。
技术实现思路
本技术实施例旨在解决现有三电平H桥电路体积大以及成本高的问题。为了解决上述问题，第一方面，本技术实施例提出一种三电平H桥电路，所述三电平H桥电路包括二极管以及IGBT，所述二极管以及所述IGBT均为独立封装，所述二极管以及所述IGBT均焊接在P本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三电平H桥电路，其特征在于，所述三电平H桥电路包括二极管以及IGBT，所述二极管以及所述IGBT均为独立封装，所述二极管以及所述IGBT均焊接在PCB板上。/n

【技术特征摘要】
1.一种三电平H桥电路，其特征在于，所述三电平H桥电路包括二极管以及IGBT，所述二极管以及所述IGBT均为独立封装，所述二极管以及所述IGBT均焊接在PCB板上。


2.根据权利要求1所述的三电平H桥电路，其特征在于，所述二极管以及所述IGBT的封装方式包括TO247封装。


3.根据权利要求1所述的三电平H桥电路，其特征在于，所述三电平H桥电路包括两二极管单元以及两IGBT单元，所述二极管单元包括两个串联的二极管，所述IGBT单元包括四个串联的IGBT，两所述二极管单元分别与两所述IGBT单元中处于中间的两个IGBT并联。


4.根据权利要求3所述的三电平H桥电路，其特征在于，所述三电平H桥电路还包括第一电容，所述第一电容分别与各所述二极管单元以及各所述IGBT单元连接。


5.根据权利要求4所述的三电平H桥电路，其特征在于，所述三电平H桥电路还包括第二电容，所述第二电容分别与各所述二极管单元以及各所述IGBT单元连...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔鹏，申大力，陈星，唐小伟，花熙文，杜尚琛，
申请(专利权)人：苏州英威腾电力电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32