【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膜
本专利技术涉及膜。
技术介绍
以往，由于介电常数高，提出了在膜电容器用膜中使用聚偏二氟乙烯(PVdF)。另外，还示出了使用由偏二氟乙烯(VdF)、四氟乙烯(TFE)形成的共聚物的方法。例如，专利文献1中记载了一种膜，其特征在于，其使用了VdF与TFE的共聚物，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8以上，由频率1kHz、30℃下的相对介电常数A与频率1kHz、150℃下的相对介电常数B根据下式计算出的变化率为-8％～+8％。变化率(％)＝(B－A)/A×100另外，在专利文献2中，作为机械强度提高的氟树脂膜，记载了一种高强度的氟树脂膜，其特征在于，介电常数为5以下，MD方向和TD方向的拉伸断裂强度均为40MPa以上。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2017/014123号专利文献2：日本特开2002-219750号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题功率半导体被广泛地用于家电设备、车载设备等中，与以往使用的硅系半导...
【技术保护点】
1.一种膜，其特征在于，其在频率1kHz、160℃下的介质损耗角正切为0.02％以下，160℃下的绝缘击穿强度为400V/μm以上。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171108 JP 2017-2156591.一种膜，其特征在于，其在频率1kHz、160℃下的介质损耗角正切为0.02％以下，160℃下的绝缘击穿强度为400V/μm以上。
2.如权利要求1所述的膜，其中，该膜在160℃下的体积电阻率为1.0E16Ω·cm以上。
3.如权利要求1或2所述的膜，其中，该膜包含聚合物。
4.如权利要求3所述的膜，其中，所述聚合物的结晶度为65％以上。
5.如权利要求3或4所述的膜，其中，所述聚合物是熔点为270℃以上的含氟聚合物。
6.如权利要求3、4或5所述的膜，其中，所述聚合物是相对介电常数为2.5以下的含氟聚合物。
7.如权利要求3、4、5或6所述的膜，其中，所述聚合物是选自由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共...
【专利技术属性】
技术研发人员：立道麻有子，硲武史，小松信之，樋口达也，横谷幸治，桧垣章夫，田中友启，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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