一种激光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种激光二极管及其制作方法。其中，所述激光二极管包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活性层，表面具有脊状条的P型层以及DBR覆盖层；其特征在于，所述脊状条的端面为第一斜面，所述脊状条与所述DBR覆盖层的接触面包括第一斜面。所述制作方法包括步骤：在衬底上依次外延生长N型层、活性层和P型层，并制作带有脊状条的P型层；沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂，得到脊状条的端面为第一斜面；进行DBR覆盖层生长，所述DBR覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述第一斜面。它旨在解决垂直腔面造成边角的DBR覆盖不好，侧镀的DBR又会影响到激光二极管的共晶，从而导致的激光二极管电性不良。

A laser diode and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种激光二极管及其制作方法
本专利技术涉及半导体发光二极管领域，尤其涉及一种激光二极管及其制作方法。
技术介绍
GaN基的发光二极管和激光二极管已经取得了广泛研究和市场应用；特别是在激光显示和激光投影，例如GaN蓝色和绿色激光二极管(英文为LaserDiode,简称LD)，激光二极管的结构主要是边发射脊波导结构。激光二极管采用边发射脊波导结构，需要在Bar两端镀上分布式布拉格反射镜(distributedBraggreflection，DBR)制作法布里-珀罗(F-P)腔形成共振；常规腔面都是直角形状造成边角的DBR覆盖不好，应力大易破裂，侧镀的DBR又会影响到LD的共晶，从而影响电性。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的至少在于提供一种激光二极管及其制作方法，旨在解决垂直腔面造成边角的DBR覆盖不好，侧镀的DBR又会影响到LD的共晶，从而导致的LD电性不良。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术的一个实施方式提供一种激光二极管，包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光二极管，包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活性层，表面具有脊状条的P型层以及DBR覆盖层；其特征在于，所述脊状条的端面为第一斜面，所述脊状条与所述DBR覆盖层的接触面包括第一斜面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光二极管，包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活性层，表面具有脊状条的P型层以及DBR覆盖层；其特征在于，所述脊状条的端面为第一斜面，所述脊状条与所述DBR覆盖层的接触面包括第一斜面。


2.根据权利要求1所述的一种激光二极管，其特征在于，所述第一斜面与脊状条的下表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。


3.根据权利要求1所述的一种激光二极管，其特征在于，所述衬底的端面为第二斜面，所述衬底与所述DBR覆盖层的接触面包括第二斜面。


4.根据权利要求3所述的一种激光二极管，其特征在于，所述第二斜面与所述衬底的上表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。


5.根据权利要求1所述的一种激光二极管，其特征在于，所述第一斜面位于所述P型层上。


6.根据权利要求1所述的一种激光二极管，其特征在于，所述N型层包括N型金属层。


7.根据权利要求1所述的一种激光二极管，其特征在于，所述P型层包括P型金属层。


8.根据权利要求1所述的一种激光二极管，其特征在于，所述P型层还包括上波导层。


9.一种激光二极管的制作方法，其特征在于，包括步骤：
在...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟志白，李佳恩，卓昌正，徐宸科，康俊勇，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35