一种基于MOS管的施密特电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于MOS管的施密特电路，包括：包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和第三PMOS管、第三NMOS管，该电路仅由五个MOS管构成，而且输出信号和输入信号同相，不需要再另外经过一级反相器；很显然，由五个MOS管构成的施密特电路具有电路更简单、更实用、且更节省芯片面积的特点，尤其在电路规模比较大、需要利用的施密特电路比较多的时候，这些优点将更加突出。

A Schmitt circuit based on MOS transistor

【技术实现步骤摘要】
一种基于MOS管的施密特电路
本专利技术涉及施密特电路
，特别涉及一种基于MOS管的施密特电路。
技术介绍
施密特电路是一种特殊门电路，它有阈值电压即正向阈值电压和负向阈值电压；正向阈值电压是输入电平从低电平上升的过程中电路状态转换时对应的输入电压的值；负向阈值电压是输入电平从高电平下降的过程中电路状态转换时对应的输入电压的值；通过电路内部的正反馈，电路状态转换时的输出电压波形变得很陡，鉴于施密特电路的这些特点，施密特电路被广泛应用于信号波形的整形、信号内噪声的清除、脉冲鉴幅等领域，传统的施密特电路一般由6个MOS管构成，且信号波形从输入到输出经历过一次反相，需要再经过一级至少由2个MOS管构成的反相器，才能恢复成对应原来输入信号的电平，从而使得芯片面积较大，施密特电路较为复杂。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种基于MOS管的施密特电路，以解决现有技术中施密特电路一般由6个MOS管构成，且信号波形从输入到输出经历过一次反相，需要再经过一级至少由2个MOS管构成的反相器的技术问题。<br>为实现上述目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MOS管的施密特电路，其特征在于，包括：包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和第三PMOS管；所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极电连接，所述第一PMOS管的源极与电源电连接，所述第一PMOS管的漏极第一NMOS管的漏极电连接，所述第一PMOS管的衬底与电源电连接；所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏的衬底接地；所述第二PMOS管的栅极分别与所述第二NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极电连接，所述第二PMOS管的源极与电源电连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极电连接，所述第二PMOS管的衬底与电源...

【技术特征摘要】
1.一种基于MOS管的施密特电路，其特征在于，包括：包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和第三PMOS管；所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极电连接，所述第一PMOS管的源极与电源电连接，所述第一PMOS管的漏极第一NMOS管的漏极电连接，所述第一PMOS管的衬底与电源电连接；所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏的衬底接地；所述第二PMOS管的栅极分别与所述第二NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极电连接，所述第二PMOS管的源极与电源电连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极电连接，所述第二PMOS管的衬底与电源电压电连接；所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的衬底接地；所述第三PMOS管的栅极与所述第二PMOS管MP2的漏极电连接，所述第三PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极电连接，所述第三PMOS管的源极与电源电压电连接，所述第三PMOS管的衬底与电源电压电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹琳琳，尹喜珍，
申请(专利权)人：上海芯跳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31