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一种基于MOS管的施密特电路制造技术
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下载一种基于MOS管的施密特电路的技术资料
文档序号:24503477
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本发明公开了一种基于MOS管的施密特电路,包括:包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和第三PMOS管、第三NMOS管,该电路仅由五个MOS管构成,而且输出信号和输入信号同相,不需要再另外经过一级反相器;很显然,...
该专利属于上海芯跳科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海芯跳科技有限公司授权不得商用。
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