一种施密特触发器及其控制方法技术

本发明专利技术公开了一种施密特触发器及其控制方法，该施密特触发器包括：输入端；低转换点电压电路，连接于所述输入端；高转换点电压电路，连接于所述输入端；转换点电压切换电路，分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路；以及输出端，分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路。该发明专利技术的有益效果为：采用该施密特触发器简单的电路结构，不仅实现施密特触发器不同转换点电压的切换功能，而且极大的减小了整个电路的面积与功耗，降低芯片制作成本。

A Schmitt trigger and its control method

The invention discloses a Schmitt trigger and its control method, the Schmitt trigger comprises: an input terminal, a low conversion point voltage circuit connected to the input terminal, a high conversion point voltage circuit connected to the input terminal, a conversion point voltage switching circuit respectively connected to the low conversion point voltage circuit and the high conversion point voltage circuit, and an output terminal, respectively Connected to the low conversion point voltage circuit and the high conversion point voltage circuit. The beneficial effect of the invention is: adopting the simple circuit structure of the Schmitt trigger, not only realizing the switching function of different switching point voltages of the Schmitt trigger, but also greatly reducing the area and power consumption of the whole circuit, and reducing the chip production cost.

【技术实现步骤摘要】
一种施密特触发器及其控制方法
本专利技术涉及集成电路芯片
，尤其涉及一种施密特触发器及其控制方法。
技术介绍
随着半导体集成电路的发展，集成电路芯片所用工艺越来越先进，低压低功耗逐渐成为消费类芯片的主流发展方向，同时芯片内部电路集成度越来越高，节省面积成为一颗成功的芯片的主要竞争手段之一。通常情况下，芯片内部电路所产生的精确可控的电压大多采用复杂的电路结构、精确的电阻以及相关特殊器件，但是占据了芯片内部电路面积的绝大部分，极大地增加了一颗芯片的成本；如何有效的降低功耗，减小芯片的面积，成为集成电路设计的一大难题，现有的施密特触发器电路在工作时出于稳定性与简易性考虑，施密特触发器电路的转换点电压与迟滞范围为固定值，但是针对系统电路中对施密特触发器的转换点电压和迟滞范围的不同要求，会采用不同尺寸的晶体管来设计多个不同转换点电压的施密特触发器，但是这种方法通常会占据较大的芯片面积，增加芯片的成本，同时芯片的整体瞬态功耗会增加。若改变施密特触发器电路的结构，通过引入复杂控制电路来控制不同的转换点电压与迟滞范围的切换，同样会引入较大的功耗与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种施密特触发器，其特征在于，包括：/n输入端；/n低转换点电压电路，连接于所述输入端；/n高转换点电压电路，连接于所述输入端；/n转换点电压切换电路，分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路；以及/n输出端，分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种施密特触发器，其特征在于，包括：
输入端；
低转换点电压电路，连接于所述输入端；
高转换点电压电路，连接于所述输入端；
转换点电压切换电路，分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路；以及
输出端，分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路。


2.根据权利要求1所述的施密特触发器，其特征在于，所述高转换点电压电路包括：
第一MOS管，所述第一MOS管的G极连接于所述输入端；
第二MOS管，所述第二MOS管的G极连接于所述输入端，所述第二MOS管的S极连接于所述第一MOS管的D极，所述第二MOS管的D极连接于所述输出端；以及
第三MOS管，所述第三MOS管的S极连接于所述第一MOS管的D极及所述第二MOS管的S极之间，所述第三MOS管的G极连接于所述输出端。


3.根据权利要求2所述的施密特触发器，其特征在于，所述低转换点电压电路包括：
第四MOS管，所述第四MOS管的D极连接于所述输出端，所述第四MOS管的G极连接于所述输入端；
第五MOS管，所述第五MOS管的D级连接于所述第四MOS管的S极，所述第五MOS管的G极连接于所述输入端；以及
第六MOS管，所述第六MOS管的S极连接于所述第五MOS管的D极及所述第四MOS管的S极之间，所述第六MOS管的G极连接于所述输出端。


4.根据权利要求3所述的施密特触发器，其特征在于，所述转换点电压切换电路包括：
第七MOS管，所述第七MOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖永贵，张亭，
申请(专利权)人：深圳市汇春科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44