一种PSD位置传感器的放大电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PSD位置传感器的放大电路，利用跨阻放大电路将由PSD位置传感器的输出电流信号放大为电压信号并进行滤波，然后由电压放大电路对电压信号进行放大。因此，本实用新型专利技术可将PSD位置传感器产生的微弱电流信号放大为电压信号，并在滤波处理后进行再次放大，以使PSD位置传感器所在系统能准确提取PSD位置传感器产生的微弱电流信号，从而保证系统操作的准确性。

An amplifying circuit of PSD position sensor

【技术实现步骤摘要】
一种PSD位置传感器的放大电路
本技术涉及传感器领域，特别涉及一种PSD位置传感器的放大电路。
技术介绍
PSD位置传感器(半导体光电位置传感器)是一种基于横向光电效应的新型光电半导体光电位置传感器，具有位置分率高、响应速度快和光谱响应范围宽的特点。由于PSD位置传感器以其特有的性能被广泛应用于光学位置与角度的测量与控制、远程光学控制系统及位置等领域。在实际应用中，由于对准物体面与PSD位置传感器之间有一定的距离，PSD光敏面上接收到的光能量较小，致使PSD位置传感器输出的光电流极其微弱，容易导致PSD位置传感器所在系统无法感应到PSD位置传感器输出的光电流而产生误操作的情况。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种PSD位置传感器的放大电路，以解决PSD位置传感器输出的光电流极其微弱，容易导致PSD位置传感器所在系统无法感应到PSD位置传感器输出的光电流而产生误操作的情况。根据本技术的实施例，提供了1.一种PSD位置传感器的放大电路，其特征在于，包括两个放大电路，两个所述放大电路分别与PSD位置传感器的电流输出电极连接，每个所述放大电路分别包括顺次连接的跨阻放大电路和电压放大电路；所述跨阻放大电路包括跨阻放大器T1、第一电阻R1、第二电阻R2、第二电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第三电容C3、第一电容C1和第二电容C2；所述跨阻放大器T1的反向输入端与所述PSD位置传感器的电流输出电极连接，所述跨阻放大器T1的反向输入端分别通过第二电容C2和第三电阻R3与所述跨阻放大器T1的输出端连接；所述跨阻放大器T1的正向输入端通过所述第一电容C1接地，所述跨阻放大器T1的正向输入端还通过所述第二电阻R2接地，所述跨阻放大器T1通过所述第一电阻R1与电源VCC连接；所述第三电容C3与所述跨阻放大器T1的输出端连接，所述第三电容C3还通过第五电阻R5与电源连接，所述第三电容C3还通过第四电阻R4接地；所述电压放大电路包括电压放大器T2、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8和第四电容C4；所述电压放大器T2的反向输入端通过第六电阻R6与第三电容C3连接，所述电压放大器T2的反向输入端分别通过第七电阻R7和第四电容C4与电压放大器T2的输出端连接，所述电压放大器T2的输出端还与所述第八电阻R8连接。具体地，所述电源电压为5V，所述跨阻放大器T1的正向输入端和电压放大器T2的正向输入端连接有1.6V的虚地电压。具体地，所述跨阻放大器T1的放大倍数为100倍，所述电压放大器T2的放大倍数为11倍。本技术实施例提供了一种PSD位置传感器的放大电路，利用跨阻放大电路将由PSD位置传感器的输出电流信号放大为电压信号并进行滤波，然后由电压放大电路对电压信号进行放大。因此，本技术可将PSD位置传感器产生的微弱电流信号放大为电压信号，并在滤波处理后进行再次放大，以使PSD位置传感器所在系统能准确提取PSD位置传感器产生的微弱电流信号，从而保证系统操作的准确性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实施例提供的一种PSD位置传感器的放大电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。根据本技术的实施例，如图1所示，提供了一种PSD位置传感器的放大电路，其特征在于，包括两个放大电路，两个放大电路分别与PSD位置传感器的电流输出电极连接，每个放大电路分别包括顺次连接的跨阻放大电路和电压放大电路；跨阻放大电路包括跨阻放大器T1、第一电阻R1、第二电阻R2、第二电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第三电容C3、第一电容C1和第二电容C2；跨阻放大器T1的反向输入端与PSD位置传感器的电流输出电极连接，跨阻放大器T1的反向输入端分别通过第二电容C2和第三电阻R3与跨阻放大器T1的输出端连接；跨阻放大器T1的正向输入端通过第一电容C1接地，跨阻放大器T1的正向输入端还通过第二电阻R2接地，跨阻放大器T1通过第一电阻R1与电源VCC连接；第三电容C3与跨阻放大器T1的输出端连接，第三电容C3还通过第五电阻R5与电源连接，第三电容C3还通过第四电阻R4接地；电压放大电路包括电压放大器T2、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8和第四电容C4；电压放大器T2的反向输入端通过第六电阻R6与第三电容C3连接，电压放大器T2的反向输入端分别通过第七电阻R7和第四电容C4与电压放大器T2的输出端连接，电压放大器T2的输出端还与第八电阻R8连接。由于PSD位置传感器的工作原理为在光束入射到PSD位置传感器的光敏层上时，在入射位置上产生于入射辐射成正比的信号电荷，该电荷形成光电流，该光电流分别流向位于两端的电极，由两端电极输出的电流，即可确定光束的瞬态位置。但是，由于PSD位置传感器所产生的电流信号较为微弱，因此，本实施例通过跨阻放大器T1将PSD位置传感器的电流输出电极输出的微弱电流放大为电压信号，在通过低通滤波电路对电压信号进行滤波，然后再由电压放大器T2再次将电压信号进行放大，由于放大后的电压信号与PSD位置传感器产生的电流信号成正比，因此，PSD位置传感器所在的系统可以根据处理后的电压信号确定光束的瞬态位置。其中，电源电压为5V，跨阻放大器T1的正向输入端和电压放大器T2的正向输入端连接有1.6V的虚地电压VGND。跨阻放大器T1的放大倍数为100倍，电压放大器T2的放大倍数为11倍。跨阻放大器T1可将1.5uA的电流信号放大成150mV的电压信号，电容C1和C2用于滤除电流信号的高频(10kHz以上)噪声。第四电阻R4和第五电阻R5起到分压的作用。本技术实施例提供了一种PSD位置传感器的放大电路，利用跨阻放大电路将由PSD位置传感器的输出电流信号放大为电压信号并进行滤波，然后由电压放大电路对电压信号进行放大。因此，本技术可将PSD位置传感器产生的微弱电流信号放大为电压信号，并在滤波处理后进行再次放大，以使PSD位置传感器所在系统能准确提取PSD位置传感器产生的微弱电流信号，从而保证系统操作的准确性。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的技术后，将容易想到本技术的其它实施方案。本申请旨在涵盖本技术的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本技术的一般性原理并包括本技术未公开的本
中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PSD位置传感器的放大电路，其特征在于，包括两个放大电路，两个所述放大电路分别与PSD位置传感器的电流输出电极连接，每个所述放大电路分别包括顺次连接的跨阻放大电路和电压放大电路；/n所述跨阻放大电路包括跨阻放大器T1、第一电阻R1、第二电阻R2、第二电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第三电容C3、第一电容C1和第二电容C2；所述跨阻放大器T1的反向输入端与所述PSD位置传感器的电流输出电极连接，所述跨阻放大器T1的反向输入端分别通过第二电容C2和第三电阻R3与所述跨阻放大器T1的输出端连接；/n所述跨阻放大器T1的正向输入端通过所述第一电容C1接地，所述跨阻放大器T1的正向输入端还通过所述第二电阻R2接地，所述跨阻放大器T1通过所述第一电阻R1与电源VCC连接；/n所述第三电容C3与所述跨阻放大器T1的输出端连接，所述第三电容C3还通过第五电阻R5与电源连接，所述第三电容C3还通过第四电阻R4接地；/n所述电压放大电路包括电压放大器T2、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8和第四电容C4；所述电压放大器T2的反向输入端通过第六电阻R6与第三电容C3连接，所述电压放大器T2的反向输入端分别通过第七电阻R7和第四电容C4与电压放大器T2的输出端连接，所述电压放大器T2的输出端还与所述第八电阻R8连接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种PSD位置传感器的放大电路，其特征在于，包括两个放大电路，两个所述放大电路分别与PSD位置传感器的电流输出电极连接，每个所述放大电路分别包括顺次连接的跨阻放大电路和电压放大电路；
所述跨阻放大电路包括跨阻放大器T1、第一电阻R1、第二电阻R2、第二电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第三电容C3、第一电容C1和第二电容C2；所述跨阻放大器T1的反向输入端与所述PSD位置传感器的电流输出电极连接，所述跨阻放大器T1的反向输入端分别通过第二电容C2和第三电阻R3与所述跨阻放大器T1的输出端连接；
所述跨阻放大器T1的正向输入端通过所述第一电容C1接地，所述跨阻放大器T1的正向输入端还通过所述第二电阻R2接地，所述跨阻放大器T1通过所述第一电阻R1与电源VCC连接；
所述第三电容C3与所述跨阻放大器T1的输出端连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨璘，
申请(专利权)人：沈阳中光电子有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21