电阻器件制造技术

本发明专利技术提供一种电阻器件，其包含：基板，其具有相对的上表面及下表面；对电极，其间隔地设置于基板的上表面上；第一沟槽，其自基板的上表面朝着下表面的方向延伸而形成，并且由第一侧壁及第一底面所界定，其中基板的上表面至第一沟槽的第一底面具有第一深度；以及电阻层，设置于基板的上表面上并电连接对电极，其中电阻层覆盖第一侧壁、第一底面及部分上表面。通过具有沟槽的基板以增加电流路径，进而获得具较高电阻值的电阻器件。

Resistance device

【技术实现步骤摘要】
电阻器件
本专利技术是有关一种电阻器件，特别是一种基板上具有沟槽以使电阻层的电流路径增加的电阻器件。
技术介绍
电阻器件是电子电路中常见的组件，因应各种不同设计目的，电子电路设计可能需要具有高阻值的电阻器件。请参阅图1，已知的电阻器件10包含基板1、对电极2、电阻层3、保护层4以及焊垫5。电阻层3设置于基板1上并与对电极2电连接，保护层4覆盖于电阻层3上以绝缘并保护电阻层3。其中，电阻层3为二维平面的结构，其电流路径局限于对电极的距离，因而无法获得较高的电阻值范围，故对于需要高阻值的电阻器件的电路设计可能会产生限制。因此，如何使固定尺寸的电阻器件产生较大的电阻值便是目前极需努力的目标。
技术实现思路
于此提供一种电阻器件，通过沟槽的设计以使得基板上表面至沟槽底面具有高低落差，因而使覆盖于沟槽上的电阻层具有增加的电流路径，进而获得较高的电阻值范围。举例来说，在相同的尺寸的前提之下，相较于一般电阻器件的电阻值，本专利技术所提供的具有沟槽设计的电阻器件可具有110％至700％的电阻值。也就是说，若一般的电阻器件具有100Ω的电阻值，则本专利技术的具有沟槽设计的电阻器件可具有110Ω至700Ω的电阻值。本专利技术一实施例的电阻器件包含：基板，其具有相对的上表面及下表面；对电极(pairofelectrodes)，其间隔地设置于基板的上表面上；第一沟槽，其自该基板的该上表面朝着该下表面的方向延伸而形成，并且由一第一侧壁及一第一底面所界定，其中该基板的该上表面至该第一沟槽的该第一底面具有一第一深度；以及一电阻层，设置于该基板的该上表面上并电连接该对电极，其中该电阻层覆盖该第一侧壁、该第一底面及部分该上表面。较佳地，第一沟槽可为多个，电阻层覆盖部分或全部该些第一沟槽的侧壁和底面。较佳地，第一沟槽可为多个，电阻层覆盖每一第一沟槽的部分或全部的第一侧壁和第一底面。较佳地，该侧壁和该底面夹一角度，该角度的范围为100度至170度，且该侧壁是朝向该第一沟槽外而倾斜于该底面。较佳地，沟槽空间可为倒梯形。较佳地，电阻器件可更包含第二沟槽，其自该基板的该上表面朝着该下表面的方向延伸而形成，并且由一第二侧壁及一第二底面所界定，一电极材料填充该第二沟槽的该第二侧壁及该第二底面形成该对电极。较佳地，更包含一保护层覆盖该电阻层及被该电阻层暴露出的该上表面以及填充入该第一沟槽中。较佳地，电阻器件可更包含第三沟槽，其自该基板的该上表面朝着该下表面的方向延伸而形成，并且由一第三侧壁及一第三底面所界定，该保护层覆盖该第三沟槽的该第三侧壁及该第三底面并填充入该第三沟槽中。较佳地，该对电极至该基板的该下表面具有一第一距离，该第一距离的范围为10μm至3mm。较佳地，第一深度可为第一距离的5％～90％。本专利技术另一实施例的电阻器件包含：基板，其具有相对的上表面及下表面；对电极(pairofelectrodes)，其间隔地设置于基板的上表面上；第一沟槽，其自基板的上表面朝着下表面的方向延伸而形成，并且由第一侧壁及第一底面所界定，其中基板的上表面至第一沟槽的第一底面具有第一深度；电阻层，设置于基板的上表面上并电连接对电极，其中电阻层覆盖第一侧壁、第一底面及部分上表面；第二沟槽，其自基板的上表面朝着下表面的方向延伸而形成，并且由第二侧壁及第二底面所界定，电极材料填充第二沟槽中以形成对电极；以及第三沟槽，其自基板的上表面朝着下表面的方向延伸而形成，并且由第三侧壁及第三底面所界定，其中，保护层覆盖第三沟槽的第三侧壁及第三底面并填充入第三沟槽中。以下通过具体实施例配合所附的图式详加说明，当更容易了解本专利技术的目的、
技术实现思路
、特点及其所达成的功效。附图说明图1为已知的电阻器件的剖面示意图。图2为根据本专利技术一实施例的电阻器件100的俯视透视图。图3为沿着图2的A-A’沿线、加上保护层14的电阻器件100的剖面示意图。图4为根据本专利技术一实施例的第一沟槽及电阻层的剖面放大图。图5为根据本专利技术另一实施例的电阻器件200的俯视透视图。图6为沿着图5的B-B’沿线、加上保护层14的电阻器件200的剖面示意图。图7为根据本专利技术又一实施例的电阻器件300的俯视透视图。图8为沿着图7的C-C’沿线、加上保护层14的电阻器件300的剖面示意图。图9为根据本专利技术一实施例的电阻器件400的俯视透视图。图10为根据本专利技术另一实施例的电阻器件500的俯视透视图。图11为根据本专利技术又一实施例的电阻器件600的俯视透视图。图12为根据本专利技术再一实施例的电阻器件700的俯视透视图。附图标号1、11基板2、12对电极3、13电阻层4、14保护层5、15焊垫16第一沟槽17第二沟槽18第三沟槽10、100、200、300、400、500、600、700电阻器件111上表面112下表面161第一侧壁162第一底面171第二侧壁172第二底面181第三侧壁182第二底面X第一距离H第一深度θ角度具体实施方式以下将详述本专利技术的各实施例，并配合图式作为例示。除了这些详细说明之外，本专利技术亦可广泛地施行于其它的实施例中，任何所述实施例的轻易替代、修改、等效变化都包含在本专利技术的范围内，并以申请专利范围为准。在说明书的描述中，为了使读者对本专利技术有较完整的了解，提供了许多特定细节；然而，本专利技术可能在省略部分或全部特定细节的前提下，仍可实施。此外，众所周知的步骤或器件并未描述于细节中，以避免对本专利技术形成不必要的限制。图式中相同或类似的器件将以相同或类似符号来表示。特别注意的是，图式仅为示意之用，并非代表器件实际的尺寸或数量，有些细节可能未完全绘出，以求图式的简洁。请参照图2至图4，根据本专利技术的一实施例的电阻器件100包含基板11、一对电极(pairofelectrodes)12、第一沟槽16、以及电阻层13。基板11具有彼此相对的上表面111及下表面112，基板的材料可以是陶瓷材料、玻璃材料、树脂材料、塑胶材料或其他可绝缘的材料。对电极12是间隔地设置于基板11的上表面111上。第一沟槽16是自基板11的上表面111朝着下表面112的方向延伸而形成，并且由第一侧壁161及第一底面162所界定，其中基板11的上表面111至第一沟槽16的第一底面162具有第一深度H。电阻层13是设置于基板11的上表面111上并电连接该对电极12，其中电阻层13覆盖第一沟槽16的第一侧壁161、第一底面162以及一部分的上表面111，但电阻层13未填充整个第一沟槽16。本专利技术所述的电阻器件100可更包含保护层14，其可覆盖电阻层13及被电阻层13所暴露出的基板11的上表面111。本专利技术所述的电阻器件可更包含一或多个焊垫15，其设置于基板11的下表面112上。其次，如图4所示，于一实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻器件，其特征在于，包含：/n一基板，其具有相对的一上表面及一下表面；/n一对电极，其间隔地设置于该基板的该上表面上；/n一第一沟槽，其自该基板的该上表面朝着该下表面的方向延伸而形成，并且由一第一侧壁及一第一底面所界定，其中该基板的该上表面至该第一沟槽的该第一底面具有一第一深度；以及/n一电阻层，设置于该基板的该上表面上并电连接该对电极，其中该电阻层覆盖该第一侧壁、该第一底面及部分该上表面。/n

【技术特征摘要】
20181205 TW 1071436171.一种电阻器件，其特征在于，包含：
一基板，其具有相对的一上表面及一下表面；
一对电极，其间隔地设置于该基板的该上表面上；
一第一沟槽，其自该基板的该上表面朝着该下表面的方向延伸而形成，并且由一第一侧壁及一第一底面所界定，其中该基板的该上表面至该第一沟槽的该第一底面具有一第一深度；以及
一电阻层，设置于该基板的该上表面上并电连接该对电极，其中该电阻层覆盖该第一侧壁、该第一底面及部分该上表面。


2.如权利要求1所述的电阻器件，其特征在于，该第一沟槽为多个，该电阻层覆盖部分或全部该些第一沟槽的该些第一侧壁和该些第一底面。


3.如权利要求1所述的电阻器件，其特征在于，该第一沟槽为多个，该电阻层覆盖每一该第一沟槽的部分或全部的该些第一侧壁和该些第一底面。


4.如权利要求1所述的电阻器件，其特征在于，该侧壁和该底面夹一角度，该角度的范围为100度至170度，且该侧壁是朝向该第一沟槽外而倾斜于该底面。


5.如权利要求1所述的电阻器件，其特征在于，该沟槽空间为一倒梯形。


6.如权利要求1所述的电阻器件，其特征在于，还包含一第二沟槽，其自该基板的该上表面朝着该下表面的方向延伸而形成，并且由一第二侧壁及一第二底面所界定，一电极材料填充该第二沟槽中以形成该对电极。


7.如权利要求1所述的电阻器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭顺和，
申请(专利权)人：光颉科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71