【技术实现步骤摘要】
高压组件及探测器
本申请涉及医疗器械
，尤其涉及一种高压组件及探测器。
技术介绍
以光子计数型多能谱CT的探测器包含多个具有能量直接转接材料(晶体半导体)的探测器模块，每个晶体半导体被划分成二维阵列像素。对于这种晶体半导体探测器，需要在晶体上下正对两面施加一对上千伏偏置高压，以在晶体中形成一个稳定的强电场。然而，该上千伏的高压布线十分困难，对系统设计带来挑战。
技术实现思路
本申请提供一种结构简单且接触稳定的高压组件及探测器。本申请提供一种高压组件，包括高压底板以及与所述高压底板电性接触的多个探测器模块，所述探测器模块包括晶体基板、连接至所述晶体基板的阳极的晶体、连接至所述晶体基板的高压转接板以及连接所述晶体与所述高压转接板的高压阴极板，所述高压转接板与所述高压底板其中之一设有第一连接件与第二连接件，另一个设有第一接触件与第二接触件，所述第一连接件受力后可相对所述第一接触件产生位移，第二连接件受力后可相对所述第二接触件产生位移，所述高压转接板与所述高压底板通过所述第一连接件与所述第一接触件电...
【技术保护点】
1.一种高压组件，其特征在于，包括高压底板以及与所述高压底板电性接触的多个探测器模块，所述探测器模块包括晶体基板、连接至所述晶体基板的阳极的晶体、连接至所述晶体基板的高压转接板以及连接所述晶体与所述高压转接板的高压阴极板，所述高压转接板与所述高压底板其中之一设有第一连接件与第二连接件，另一个设有第一接触件与第二接触件，所述第一连接件受力后可相对所述第一接触件产生位移，第二连接件受力后可相对所述第二接触件产生位移，所述高压转接板与所述高压底板通过所述第一连接件与所述第一接触件电性接触以及所述第二连接件与所述第二接触件电性接触，以在所述晶体的两端施加高压。/n
【技术特征摘要】
1.一种高压组件，其特征在于，包括高压底板以及与所述高压底板电性接触的多个探测器模块，所述探测器模块包括晶体基板、连接至所述晶体基板的阳极的晶体、连接至所述晶体基板的高压转接板以及连接所述晶体与所述高压转接板的高压阴极板，所述高压转接板与所述高压底板其中之一设有第一连接件与第二连接件，另一个设有第一接触件与第二接触件，所述第一连接件受力后可相对所述第一接触件产生位移，第二连接件受力后可相对所述第二接触件产生位移，所述高压转接板与所述高压底板通过所述第一连接件与所述第一接触件电性接触以及所述第二连接件与所述第二接触件电性接触，以在所述晶体的两端施加高压。
2.根据权利要求1所述的高压组件，其特征在于，所述晶体包括碲化镉晶体或碲锌镉晶体。
3.根据权利要求1所述的高压组件，其特征在于，所述探测器模块还包括连接至所述晶体基板的数据采集板，所述晶体基板设有ASIC芯片采集处理脉冲信号并把所述信号传输至所述数据采集板。
4.根据权利要求3所述的高压组件，其特征在于，所述探测器模块包括高压连接板，所述高压连接板连接所述高压阴极板与所述第一连接件，所述数据采集板连接所述晶体基板与所述第二连接件，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李双学，相欣，胡小青，阳松波，
申请(专利权)人：东软医疗系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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