天线封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供一种天线封装结构及封装方法，所述天线封装结构于重新布线层上形成馈电线及馈电线金属栅栏；馈电线与重新布线层电连接，馈电线至少包括两个；馈电线金属栅栏位于任意两个馈电线之间；封装层覆盖馈电线及馈电线金属栅栏，且封装层的顶面显露馈电线及馈电线金属栅栏；金属天线位于封装层上，金属天线与馈电线电连接；金属天线栅栏位于封装层上，金属天线栅栏与馈电线金属栅栏相接触，且金属天线栅栏位于任意两个金属天线之间。本发明专利技术在不增加天线封装的面积的前提下，有效的阻隔天线，增加天线的隔离度；且可形成堆叠设置的具有多层天线结构的天线封装，具有高效率及高整合性。

Antenna packaging structure and packaging method

【技术实现步骤摘要】
天线封装结构及封装方法
本专利技术属于半导体封装
，涉及一种天线封装结构及封装方法。
技术介绍
随着高科技电子产品的普及以及人们需求的增加，特别是为了配合移动的需求，大多高科技电子产品都增加了无线通讯的功能。然而，天线与天线之间会存在互相干扰的现象，因此天线与天线之间须具有隔离度。天线的隔离度是指一个天线发射信号，通过另一个天线接收的信号与该发射天线信号的比值，天线的隔离度取决于天线辐射方向图、天线的空间距离、天线增益。为了尽量减少天线之间的干扰，所采取的抑制措施中，通常做法就是增加空间隔离度，以增加空间的距离。天线封装(AiP)是基于封装材料与工艺将天线与芯片集成在封装内实现系统级无线功能的一门技术。AiP技术顺应了硅基半导体工艺集成度提高的潮流，为系统级无线芯片提供了良好的天线解决方案，因而深受广大芯片及封装制造商的青睐。对于AiP，目前为了避免天线与天线之间的干扰，通常采用的抑制干扰措施即通过增加天线的间距来解决，但采用该方法会增加天线封装的面积，相应的也会使得电子产品占据较大的面积，这与人们所追求的小型化、便捷式的电子产品相违背。鉴于此，提供一种新型的天线封装结构及封装方法，在不增加天线封装的面积的前提下，用以增加天线的隔离度实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种天线封装结构及封装方法，用于在不增加天线封装的面积的前提下，增加天线的隔离度。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种天线封装结构，所述天线封装结构包括：重新布线层；馈电线，所述馈电线位于所述重新布线层上，所述馈电线与所述重新布线层电连接；所述馈电线至少包括两个；馈电线金属栅栏，所述馈电线金属栅栏位于所述重新布线层上，且所述馈电线金属栅栏位于任意两个所述馈电线之间；封装层，所述封装层覆盖所述馈电线及所述馈电线金属栅栏，且所述封装层的顶面显露所述馈电线及所述馈电线金属栅栏；金属天线，所述金属天线位于所述封装层上，所述金属天线与所述馈电线电连接；金属天线栅栏，所述金属天线栅栏位于所述封装层上，所述金属天线栅栏与所述馈电线金属栅栏相接触，且所述金属天线栅栏位于任意两个所述金属天线之间。可选地，所述馈电线金属栅栏包括金属线及金属框中的一种或组合。可选地，所述馈电线金属栅栏与所述馈电线采用相同的材料。可选地，所述金属天线栅栏与所述金属天线采用相同的材料。可选地，所述金属天线栅栏的俯视形状包括环形。可选地，所述重新布线层上包括层叠的N层天线结构，其中N≥2。可选地，所述馈电线金属栅栏包括金线、银线、铜线及铝线中的一种或组合；所述馈电线包括金线、银线、铜线及铝线中的一种或组合。可选地，所述馈电线的线径的范围包括1mil～10mil。可选地，所述馈电线的高度的范围包括25μm～1500μm。可选地，所述封装层包括聚酰亚胺层、硅胶层及环氧树脂层中的一种或组合。本专利技术还提供一种天线封装方法，包括以下步骤：提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；于所述分离层上形成重新布线层；于所述重新布线层上形成馈电线，所述馈电线与所述重新布线层电连接；所述馈电线至少包括两个；于所述重新布线层上形成馈电线金属栅栏，所述馈电线金属栅栏位于任意两个所述馈电线之间；采用封装层覆盖所述馈电线及所述馈电线金属栅栏，且所述封装层的顶面显露所述馈电线及所述馈电线金属栅栏；于所述封装层表面形成金属天线，所述金属天线与所述馈电线电连接；于所述封装层表面形成金属天线栅栏，所述金属天线栅栏与所述馈电线金属栅栏相接触，且所述金属天线栅栏位于任意两个所述金属天线之间；去除所述分离层与所述支撑基底。可选地，所述馈电线金属栅栏包括金属线及金属框中的一种或组合。可选地，所述馈电线金属栅栏与所述馈电线采用相同的材料。可选地，所述金属天线栅栏与所述金属天线采用相同的材料。可选地，所述重新布线层上包括层叠的N层天线结构，其中N≥2。可选地，形成所述馈电线金属栅栏的方法包括焊线、电镀、化学镀及回流焊中的一种或组合。可选地，所述馈电线金属栅栏包括金线、银线、铜线及铝线中的一种或组合；所述馈电线包括金线、银线、铜线及铝线中的一种或组合。可选地，所述馈电线的线径的范围包括1mil～10mil。可选地，所述馈电线的高度的范围包括25μm～1500μm。可选地，所述封装层包括聚酰亚胺层、硅胶层及环氧树脂层中的一种或组合。如上所述，本专利技术的天线封装结构及封装方法，在不增加天线封装的面积的前提下，通过位于任意两个馈电线之间的馈电线金属栅栏及位于任意两个金属天线之间的金属天线栅栏，有效的阻隔天线，增加天线的隔离度；且可形成堆叠设置的具有多层天线结构的天线封装，具有高效率及高整合性。附图说明图1显示为本专利技术中的天线封装方法的流程示意图。图2显示为实施例一中的天线封装结构的俯视结构示意图。图3～图8显示为实施例一中的天线封装方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图8还显示为图2中沿A-A’的剖面结构示意图。图9显示为图2中沿B-B’的剖面结构示意图。图10显示为实施例二中的天线封装结构的俯视结构示意图。图11～图16显示为实施例二中的天线封装方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图16还显示为图10中沿C-C’的剖面结构示意图。图17显示为图10中沿D-D’的剖面结构示意图。元件标号说明101、201支撑基底102、202分离层103、203重新布线层113、213介质层123、223金属布线层114、214、134金属连接块124、224馈电线234粘合剂144、244馈电线金属栅栏154、254封装层164、264金属天线174、274金属天线栅栏具体实施方式现有的，为了减少天线之间的干扰，也有采用在天线和天线之间添加金属隔离网进行屏蔽的方式。本专利技术运用金属隔离的原理，将金属隔离引入到天线封装工艺中，在不增加天线封装的面积的前提下，以增加天线的隔离度。以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图17。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一如图1，本实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种天线封装结构，其特征在于，所述天线封装结构包括：/n重新布线层；/n馈电线，所述馈电线位于所述重新布线层上，所述馈电线与所述重新布线层电连接；/n所述馈电线至少包括两个；/n馈电线金属栅栏，所述馈电线金属栅栏位于所述重新布线层上，且所述馈电线金属栅栏位于任意两个所述馈电线之间；/n封装层，所述封装层覆盖所述馈电线及所述馈电线金属栅栏，且所述封装层的顶面显露所述馈电线及所述馈电线金属栅栏；/n金属天线，所述金属天线位于所述封装层上，所述金属天线与所述馈电线电连接；/n金属天线栅栏，所述金属天线栅栏位于所述封装层上，所述金属天线栅栏与所述馈电线金属栅栏相接触，且所述金属天线栅栏位于任意两个所述金属天线之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种天线封装结构，其特征在于，所述天线封装结构包括：
重新布线层；
馈电线，所述馈电线位于所述重新布线层上，所述馈电线与所述重新布线层电连接；
所述馈电线至少包括两个；
馈电线金属栅栏，所述馈电线金属栅栏位于所述重新布线层上，且所述馈电线金属栅栏位于任意两个所述馈电线之间；
封装层，所述封装层覆盖所述馈电线及所述馈电线金属栅栏，且所述封装层的顶面显露所述馈电线及所述馈电线金属栅栏；
金属天线，所述金属天线位于所述封装层上，所述金属天线与所述馈电线电连接；
金属天线栅栏，所述金属天线栅栏位于所述封装层上，所述金属天线栅栏与所述馈电线金属栅栏相接触，且所述金属天线栅栏位于任意两个所述金属天线之间。


2.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述馈电线金属栅栏包括金属线及金属框中的一种或组合。


3.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述馈电线金属栅栏与所述馈电线采用相同的材料。


4.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述金属天线栅栏与所述金属天线采用相同的材料。


5.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述金属天线栅栏的俯视形状包括环形。


6.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述重新布线层上包括层叠的N层天线结构，其中N≥2。


7.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述馈电线金属栅栏包括金线、银线、铜线及铝线中的一种或组合；所述馈电线包括金线、银线、铜线及铝线中的一种或组合。


8.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述馈电线的线径的范围包括1mil～10mil。


9.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述馈电线的高度的范围包括25μm～1500μm。


10.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述封装层包括聚酰亚胺层、硅胶层及环氧树脂层中的一种或组合。


11.一种天线封装方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32