微发光元件及图像显示元件制造技术

微发光元件在与光放出面侧相反一侧的面上配置有与第二导电层导通的第一金属膜，第一金属膜覆盖第二导电层，从形成在发光层的周围倾斜面到光放出面的第一导电层侧面的第一倾斜角度比倾斜面的第二倾斜角度大，倾斜面及第一导电层侧面均由第二金属膜覆盖，在倾斜面与第二金属膜之间配置有第一透明绝缘膜。

Microluminescent elements and image display elements

【技术实现步骤摘要】
微发光元件及图像显示元件
本专利技术涉及微发光元件及包含该微发光元件的图像显示元件。
技术介绍
已提出一种在驱动电路基板(drivingcircuitsubstrate)上配置有多个构成像素的微发光元件的显示元件。例如，在专利文献1所公开的技术中，在硅基板上形成驱动电路，并在驱动电路上配置发出紫外光的微小的发光二极管(LED)阵列。另外，在所述技术中公开了通过在发光二极管阵列上设置将紫外光转换为红色、绿色及蓝色可见光的波长转换层(wavelengthconversionlayer)来显示彩色图像的小型显示元件。此种显示元件虽然小型但具有亮度高且耐久性也高的特性。因此，希望作为用于眼镜型终端(glasses-likedevices)、抬头显示器(HUD：Head-UpDisplay)等显示装置的显示元件。作为此种显示元件的制造方法，由于驱动电路基板的材料与微发光元件的材料不同，因此通常采用在分别形成两者之后将其贴合的方法。关于对制造方法及制造成本产生较大影响的微发光元件的电极配置，提出了多种结构及其制造方法。例如，可列举：如专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光元件，其具有从光放出面侧起依次层叠了第一导电层、发光层、及与所述第一导电层的导电型相反的第二导电层而成的化合物半导体，其特征在于，/n在与所述光放出面侧相反一侧的面上配置有与所述第二导电层导通的第一金属膜，所述第一金属膜覆盖所述第二导电层，/n在所述发光层的周围形成有倾斜面，从所述倾斜面到所述光放出面为止的第一导电层侧面的第一倾斜角度是大于所述倾斜面的第二倾斜角度的角度，/n所述倾斜面及所述第一导电层侧面均由第二金属膜覆盖，在所述倾斜面与所述第二金属膜之间配置有第一透明绝缘膜。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/7737241.一种微发光元件，其具有从光放出面侧起依次层叠了第一导电层、发光层、及与所述第一导电层的导电型相反的第二导电层而成的化合物半导体，其特征在于，
在与所述光放出面侧相反一侧的面上配置有与所述第二导电层导通的第一金属膜，所述第一金属膜覆盖所述第二导电层，
在所述发光层的周围形成有倾斜面，从所述倾斜面到所述光放出面为止的第一导电层侧面的第一倾斜角度是大于所述倾斜面的第二倾斜角度的角度，
所述倾斜面及所述第一导电层侧面均由第二金属膜覆盖，在所述倾斜面与所述第二金属膜之间配置有第一透明绝缘膜。


2.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，
在所述第一导电层侧面与所述第二金属膜之间配置有第二透明绝缘膜。


3.根据权利要求2所述的微发光元件，其特征在于，
所述第二透明绝缘膜是所述第一透明绝缘膜延伸至所述第一导电层侧面与所述第二金属膜之间的膜。


4.一种微发光元件，其具有从光放出面侧起依次层叠了第一导电层、发光层及导电型与所述第一导电层相反的第二导电层而成的化合物半导体，其特征在于，
在与所述光放出面侧相反一侧的面上配置有与所述第二导电层导通的第一金属膜，所述第一金属膜覆盖所述第二导电层，
在所述发光层的周围形成有倾斜面，所述倾斜面延伸至所述光放出面且由第二金属膜覆盖，在所述倾斜面与所述第二金属膜之间配置有第一透明绝缘膜。


5.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，
在所述第二导电层与所述第一金属膜之间配置有第三透明绝缘膜。


6.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，
在从与所述光放出面侧相反一侧俯视观察时，所述第二金属膜与所述第一金属膜重叠配置。


7.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，
所述第一透明绝缘膜的膜厚为75nm以上。


8.根据权利要求7所述的微发光元件，其特征在于，
所述第一透明绝缘膜的膜厚为400nm以上。


9.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，
所述第二倾斜角度为60°以下。


10.根据权利要求9所述的微发光元件，其特征在于，
所述第二倾斜角度为50°以下。


11.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于，
所述第一金属膜在所述化合物半导体侧具有以银或铝为主成分的层。


12.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：井口胜次，栗栖崇，前川真澄，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP