衰减耦合电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种衰减耦合电路。本实用新型专利技术衰减耦合电路，包括：输入端口、输出端口、耦合端口、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述输入端口、第一电阻的一端和所述第二电阻的一端连接在一起；所述第二电阻远离所述输入端口的一端接地；所述第一电阻远离所述输入端口的一端、所述第三电阻的一端和所述输出端口连接在一起；所述第三电阻远离所述输出端口的一端、所述耦合端口和所述第四电阻的一端连载一起；所述第四电阻远离所述耦合端口的一端接地。本实用新型专利技术的有益效果：将功率耦合植入到PI形或者T形衰减器中，巧妙进行阻抗配合，即保证了端口较好的驻波，同时又实现了功率耦合的功能，结构紧凑，实用价值高。

Attenuating coupled circuit

【技术实现步骤摘要】
衰减耦合电路
本技术涉及衰减耦合领域，具体涉及一种衰减耦合电路。
技术介绍
功率衰减与功率耦合是射频电路中很常见的电路，尤其是板间连接需要在输出端口加入衰减器以减小端口驻波，同时会需要一个低耦合系数的功率耦合以便于功率检测或者调试时候备用。传统技术存在以下技术问题：参阅图4，现有衰减耦合电路不能很好地兼顾端口具有较好地驻波和功率耦合功能。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种衰减耦合电路，功率耦合植入到PI形或者T形衰减器中，即保证了端口较好地驻波，同时又实现了功率耦合的功能。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种衰减耦合电路，包括：输入端口、输出端口、耦合端口、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述输入端口、所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端连接在一起；所述第二电阻远离所述输入端口的一端接地；所述第一电阻远离所述输入端口的一端、所述第三电阻的一端和所述输出端口连接在一起；所述第三电阻远离所述输出端口的一端、所述耦合端口和所述第四电阻的一端连接在一起；所述第四电阻远离所述耦合端口的一端接地。在其中一个实施例中，第一电阻＝17.6Ω，第二电阻＝292.4Ω，第三电阻＝242.4Ω，第四电阻＝50Ω，耦合端口接入50Ω。一种衰减耦合电路，包括：输入端口、输出端口、耦合端口、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述第一电阻的一端、所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端连接在一起；所述第一电阻远离所述第二电阻的一端连接所述输入端口；所述第二电阻远离所述第一电阻的一端连接所述输出端口；所述第三电阻远离所述第一电阻的一端、所述第四电阻的一端和耦合端口连接在一起；所述第四电阻远离所述第三电阻的一端接地。在其中一个实施例中，第一电阻＝8.55Ω，第二电阻＝8.55Ω，第三电阻＝118.926Ω，第四电阻＝23Ω，耦合端口接入50Ω。本技术的有益效果：将功率耦合植入到PI形或者T形衰减器中，巧妙进行阻抗配合，即保证了端口较好的驻波，同时又实现了功率耦合的功能，结构紧凑，实用价值高。附图说明图1(a)、(b)分别是PI、T型衰减耦合电路。图2(a)是本技术中的PI型衰减网络耦合分析图。图2(b)是本技术中的PI型衰减网络耦合仿真中仿真电路。图3(a)是本技术中的T型衰减网络耦合分析图。图3(b)是本技术中的T型衰减网络耦合仿真中仿真电路。图4(a)、(b)分别是
技术介绍
中两种衰减耦合电路的示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。参阅图1，一种PI衰减耦合电路，包括：输入端口、输出端口、耦合端口、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述输入端口、所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端连接在一起；所述第二电阻远离所述输入端口的一端接地；所述第一电阻远离所述输入端口的一端、所述第三电阻的一端和所述输出端口连接在一起；所述第三电阻远离所述输出端口的一端、所述耦合端口和所述第四电阻的一端连接在一起；所述第四电阻远离所述耦合端口的一端接地。参阅图1，一种T型衰减耦合电路，包括：输入端口、输出端口、耦合端口、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述第一电阻的一端、所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端连接在一起；所述第一电阻远离所述第二电阻的一端连接所述输入端口；所述第二电阻远离所述第一电阻的一端连接所述输出端口；所述第三电阻远离所述第一电阻的一端、所述第四电阻的一端和耦合端口连接在一起；所述第四电阻远离所述第三电阻的一端接地。分析与验证：(一)PI型衰减网络耦合参阅图2(a)、(b)，输出端口驻波计算公式如下:源阻抗ZS＝[(50Ω//R2)+R1]//[(R4//Rcoupler)+R3]S11＝20log(Γ)以衰减3dB,耦合系数为-20dB为例，R1＝17.6Ω，R2＝292.4Ω，R3＝242.4Ω，R4＝50Ω，耦合端口接入50Ω，则Rcoupler＝50Ω，空载则Rcoupler＝+∞。带入公式计算得：耦合端口接入50Ω时，ZS＝49.2033675，Γ＝0.0080303，S11＝-41.6153。耦合端口空载时ZS＝50.0020850，Γ＝0.0000208，S11＝-93.6387。利用keysight的ADS射频仿真软件对该衰减耦合网络进行仿真，仿真结果与理论计算结果接近。(二)T型衰减网络耦合参阅图3(a)、(b)，输出端口驻波计算公式如下:ZS＝(50Ω+R1)//[R3+R4//Rcoupler]+R2S11＝20log(Γ)以衰减3dB,耦合系数为-20dB为例，R1＝8.55Ω，R2＝8.55Ω，R3＝118.926Ω，R4＝23Ω，耦合端口接入50Ω，则Rcoupler＝50Ω，空载则Rcoupler＝+∞。带入公式计算得：耦合端口接入50Ω时，ZS＝49.3589044，Γ＝0.0064523，S11＝-43.8057。耦合端口空载时ZS＝50.000185，Γ＝0.0000185，S11＝-114.6565。利用keysight的ADS射频仿真软件对该衰减耦合网络进行仿真，仿真结果与理论计算结果接近。以上所述实施例仅是为充分说明本技术而所举的较佳的实施例，本技术的保护范围不限于此。本
的技术人员在本技术基础上所作的等同替代或变换，均在本技术的保护范围之内。本技术的保护范围以权利要求书为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衰减耦合电路，其特征在于，包括：输入端口、输出端口、耦合端口、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述输入端口、所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端连接在一起；所述第二电阻远离所述输入端口的一端接地；所述第一电阻远离所述输入端口的一端、所述第三电阻的一端和所述输出端口连接在一起；所述第三电阻远离所述输出端口的一端、所述耦合端口和所述第四电阻的一端连接在一起；所述第四电阻远离所述耦合端口的一端接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种衰减耦合电路，其特征在于，包括：输入端口、输出端口、耦合端口、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述输入端口、所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端连接在一起；所述第二电阻远离所述输入端口的一端接地；所述第一电阻远离所述输入端口的一端、所述第三电阻的一端和所述输出端口连接在一起；所述第三电阻远离所述输出端口的一端、所述耦合端口和所述第四电阻的一端连接在一起；所述第四电阻远离所述耦合端口的一端接地。


2.如权利要求1所述的衰减耦合电路，其特征在于，第一电阻＝17.6Ω，第二电阻＝292.4Ω，第三电阻＝242.4Ω，第四电阻＝50Ω，耦合端口接入50Ω。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建林，胡源，
申请(专利权)人：昆山普尚电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32