一种超小型全固态266nm脉冲激光器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种超小型全固态266nm脉冲激光器，包括依次排列构成光路的泵浦源、光学耦合系统、自倍频晶体、饱和吸收体、输出镜和BBO倍频晶体；泵浦源发出的波长为808.5nm的激光；光学耦合系统将泵浦源发出的激光耦合至自倍频晶体上；自倍频晶体为Nd:YCOB晶体或Nd:GdCOB晶体,并且前端面镀808nm高透膜和1064nm及532nm高反膜，后端面镀1064nm及532nm减反膜；输出镜镀1064nm高反膜及532nm高透膜；BBO倍频晶体的出光端镀532nm及266nm减反膜。本实用新型专利技术的激光器体积小,结构紧凑，通过被动调Q装置实现脉冲激光输出，由于被动调Q是被激光辐射自身启动的，因此不需要高压、快速电光驱动器或射频调制器，使得激光器的结构设计简单、生产成本大大降低,同时也简化了加工和装配环节,提高了生产效率。

A subminiature all solid state 266nm pulse laser

【技术实现步骤摘要】
一种超小型全固态266nm脉冲激光器
本技术涉及激光器
，尤其涉及一种超小型全固态266nm脉冲激光器。
技术介绍
266nm脉冲激光器由于具有波长短、能量集中、分辨力高等特点而被广泛用于工业零部件加工、微电子学、光谱分析和医疗等领域。产生266nm脉冲激光器输出通常是采用声光调制的方式实现脉冲输出，但是采用声光调Q，使激光器的设计复杂、体积大、稳定性差且成本高。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种超小型全固态266nm脉冲激光器本技术通过以下技术方案来实现上述目的：一种超小型全固态266nm脉冲激光器，包括依次排列构成光路的泵浦源、光学耦合系统、自倍频晶体、饱和吸收体、输出镜和BBO倍频晶体；所述泵浦源用于发出的波长为808.5nm的激光，与所述自倍频晶体的吸收峰相匹配；所述光学耦合系统用于将所述泵浦源发出的激光耦合至所述自倍频晶体上；所述自倍频晶体为Nd:YCOB晶体或Nd:GdCOB晶体,并且前端面镀808nm高透膜和1064nm及532nm高反膜，后端面镀1064nm及532nm减反膜；所述输出镜镀1064nm高反膜及532nm高透膜；所述BBO倍频晶体的出光端镀532nm及266nm减反膜。进一步，所述自倍频晶体、饱和吸收体及BBO倍频晶体的侧面包裹铟膜。进一步，所述光学耦合系统采用非球面透镜。进一步，所述自倍频晶体的晶体长度为10mm，切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向。进一步，所述饱和吸收体的晶体长度为2mm，初始透过率为50％。进一步，所述输出镜为平凹镜，凹面的曲率半径为50mm。进一步，所述BBO倍频晶体的晶体长度为3mm。进一步，还包括紫铜散热装置，所述泵浦源、光学耦合系统、自倍频晶体、饱和吸收体、输出镜和BBO倍频晶体依次排列在所述紫铜散热装置的上表面。进一步，还包括连接在所述紫铜散热装置下部的制冷器。进一步，还包括连接在所述制冷器下部的散热铝板。本技术的激光器体积小,结构紧凑，通过被动调Q装置实现脉冲激光输出，由于被动调Q是被激光辐射自身启动的，因此不需要高压、快速电光驱动器或射频调制器，使得激光器的结构设计简单、生产成本大大降低,同时也简化了加工和装配环节,提高了生产效率。附图说明图1是本技术实施例提供的一种超小型全固态266nm脉冲激光器的结构示意图；图2是本技术实施例提供的一种超小型全固态266nm脉冲激光器三维结构图。具体实施方式以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。如图2所示：本技术实施例提供的一种超小型全固态266nm脉冲激光器包括泵浦源1、光学耦合系统2、自倍频晶体3、饱和吸收体4、输出镜5、BBO倍频晶体6、制冷器7、紫铜导热装置8、散热铝板9；通过调整制冷器7的制冷电流，可以使所述泵浦源1发出波长为808.5nm的激光，与自倍频激光晶体3的吸收峰相匹配；所述光学耦合系统2用于将所述泵浦源1发出的激光耦合至所述自倍频晶体3上；自倍频晶体3采用Nd:YCOB晶体或Nd:GdCOB晶体，其前端面镀808nmHT/1064nm&532nmHR膜，(其中HT表示高透膜，HR表示高反膜)，对808nm的激光透过率为99.8％以上，对1064nm的激光反射率为99.8％以上，作为谐振腔的一个镜面，后端面镀1064nm&532nmAR膜，对1064nm&532nm的激光的剩余反射率R<0.2％；在自倍频晶体3后面放置饱和吸收体4；在饱和吸收体晶体4后面放置输出镜5，输出镜镀1064nmHR532nmHT膜，实现高重复频率被动调Q绿光激光器；在输出镜后面BBO倍频晶体，出光端镀532nm&266nmAR膜(其中AR表示减反膜R<0.2％)，尽量接近输出镜位置，最终实现266nm的脉冲紫外激光输出。所述光学耦合系统2采用非球面透镜，曲率半径为6mm，焦距为4.5mm；所述自倍频晶体、饱和吸收体和BBO倍频晶体侧面包裹铟膜；所述自倍频晶体3采用Nd:YCOB晶体或Nd:GdCOB晶体Nd：YAG+Cr：YAG晶体长度为10mm，但不限于10mm，切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向，钕离子掺杂浓度为2at.％，但不限于掺杂浓度为2at.％；所述饱和吸收体的晶体长度为2mm，初始透过率为50％，但不限于50％；所述BBO倍频晶体的晶体长度为3mm，但不限于3mm；所述输出镜为平凹镜，其凹面的曲率半径为50mm，但曲率半径可根据腔长进行调整，不限于50mm；泵浦源1、光学耦合系统2、自倍频晶体3、饱和吸收体4、输出镜5、BBO倍频晶体6在紫铜导热装置的上部进行适度配合装配，使得晶体内部热量经紫铜导热装置有效转移，保证晶体正常工作。综上所述，本技术实施例提供的激光器体积小,结构紧凑；被动调Q装置实现脉冲激光输出，被动调Q是被激光辐射自身启动的，因此不需要高压、快速电光驱动器或射频调制器，使得激光器的结构设计简单、生产成本大大降低,同时也简化了加工和装配环节,提高了生产效率。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超小型全固态266nm脉冲激光器，其特征在于，包括依次排列构成光路的泵浦源、光学耦合系统、自倍频晶体、饱和吸收体、输出镜和BBO倍频晶体；/n所述泵浦源用于发出的波长为808.5nm的激光，与所述自倍频晶体的吸收峰相匹配；所述光学耦合系统用于将所述泵浦源发出的激光耦合至所述自倍频晶体上；所述自倍频晶体为Nd:YCOB晶体或Nd:GdCOB晶体,并且前端面镀808nm高透膜和1064nm及532nm高反膜，后端面镀1064nm及532nm减反膜；所述输出镜镀1064nm高反膜及532nm高透膜；所述BBO倍频晶体的出光端镀532nm及266nm减反膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种超小型全固态266nm脉冲激光器，其特征在于，包括依次排列构成光路的泵浦源、光学耦合系统、自倍频晶体、饱和吸收体、输出镜和BBO倍频晶体；
所述泵浦源用于发出的波长为808.5nm的激光，与所述自倍频晶体的吸收峰相匹配；所述光学耦合系统用于将所述泵浦源发出的激光耦合至所述自倍频晶体上；所述自倍频晶体为Nd:YCOB晶体或Nd:GdCOB晶体,并且前端面镀808nm高透膜和1064nm及532nm高反膜，后端面镀1064nm及532nm减反膜；所述输出镜镀1064nm高反膜及532nm高透膜；所述BBO倍频晶体的出光端镀532nm及266nm减反膜。


2.根据权利要求1所述的一种超小型全固态266nm脉冲激光器，其特征在于，所述自倍频晶体、饱和吸收体及BBO倍频晶体的侧面包裹铟膜。


3.根据权利要求1所述的一种超小型全固态266nm脉冲激光器，其特征在于，所述光学耦合系统采用非球面透镜。


4.根据权利要求1所述的一种超小型全固态266nm脉冲激光器，其特征在于，所述自倍频晶体的晶体长度为10mm，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭成桥，孟德文，李慧芳，
申请(专利权)人：北京镭志威光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11