一种基于双波长腔内耦合光纤输出的激光器制造技术

技术编号:35855600 阅读:13 留言:0更新日期:2022-12-07 10:42
本发明专利技术公开了一种基于双波长腔内耦合光纤输出的激光器,包括泵浦源、激光晶体、LBO倍频晶体、输出透镜、60nm激光模组、光纤合束器和耦合系统,所述泵浦源、激光晶体、LBO倍频晶体、输出透镜、光纤合束器、耦合系统在底座上依次同轴设置,所述60nm激光模组设置在光纤合束器的一侧,所述激光晶体为Nd:YVO4晶体,且前端面镀808nmAR/1064HR膜;本发明专利技术采用532nm与650nm双波长腔内耦合光纤输出,使得激光器设计紧凑,系统体积更小,采用Nd:YVO4晶体能够有效降低激光晶体的温度,减少端面变形带来的热透镜效应的影响,提高了光

【技术实现步骤摘要】
一种基于双波长腔内耦合光纤输出的激光器


[0001]本专利技术涉及一种激光器,具体是一种基于双波长腔内耦合光纤输出的激光器。

技术介绍

[0002]532nm与650nm双波长激光耦合光纤激光器应用于激光医美行业、532nm与650nm双波长检测等应用光源、医用光谱分析、物化分析等应用的激光,还应用于光动力和光热联合治疗领域,光纤激光器作为第三代激光技术的代表,具有玻璃光纤成本低与光纤的可绕性,玻璃材料具有极低的体积面积比,散热快,损耗低与转化效率较高等优点,应用范围不断扩大。
[0003]但传统的532nm与650nm双波长激光耦合光纤激光器,存在设计臃肿、体积大,且使用时温度高,易产生较大的端面变形,光

光转换效率及抗光伤阈值低,输出的激光光束质量低,有待改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种基于双波长腔内耦合光纤输出的激光器,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
[0006]一种基于双波长腔内耦合光纤输出的激光器,包括泵浦源、激光晶体、LBO倍频晶体、输出透镜、60nm激光模组、光纤合束器和耦合系统,所述泵浦源、激光晶体、LBO倍频晶体、输出透镜、光纤合束器、耦合系统在底座上依次同轴设置,所述60nm激光模组设置在光纤合束器的一侧,所述激光晶体为Nd:YVO4晶体,且前端面镀808nmAR/1064HR膜,另一面镀1064nmAR膜;所述LBO倍频晶体两端镀1064nm/532nm AR膜,所述激光晶体及LBO倍频晶体周围分别设置紫铜散热装置,所述紫铜散热装置分别紧贴激光晶体、LBO倍频晶体设置,所述光纤合束器为二进一出合束器。
[0007]作为本专利技术进一步的方案:所述808nmAR/1064nmHR膜中AR表示抗反膜,HR表示高反膜,对808nm激光的剩余反射率R<5%,对1064nm的激光反射率为99.8%以上,所述1064nmAR膜,其中AR表示减反膜,对1064nm的剩余反射率<0.5%。
[0008]作为本专利技术进一步的方案:所述1064nm/532nmAR膜对1064nm、532nm的激光透过率为98%以上
[0009]作为本专利技术进一步的方案:所述激光晶体的长度为5mm,所述LBO倍频晶体的长度为10mm。
[0010]作为本专利技术再进一步的方案:所述耦合系统由两片非球面透镜组成,曲率半径为8mm,焦距为12.5mm。
[0011]与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:
[0012]本专利技术采用532nm与650nm双波长腔内耦合光纤输出,使得激光器设计紧凑,系统体积更小,采用Nd:YVO4晶体能够有效降低激光晶体的温度,减少端面变形带来的热透镜效
应的影响,提高了光

光转换效率及抗光伤阈值,改善了激光的输出光束质量。
附图说明
[0013]图1为一种基于双波长腔内耦合光纤输出的激光器的光学元件分布结构示意图。
[0014]图2为一种基于双波长腔内耦合光纤输出的激光器的结构示意图。
[0015]其中,泵浦源1、激光晶体2、LBO倍频晶体3、输出透镜4、650nm激光模组5、光纤合束器6、耦合系统7。
具体实施方式
[0016]为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下将结合实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。
[0017]需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0018]需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有说明书特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0019]此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
[0020]请参阅图1~2,本专利技术实施例中,一种基于双波长腔内耦合光纤输出的激光器,包括泵浦源1、激光晶体2、LBO倍频晶体3、输出透镜4、650nm激光模组5、光纤合束器6、耦合系统7,所述的激光晶体2采用Nd:YVO4晶体,其长度为5mm,其前端镀膜为808nmAR/1064nmHR,其中AR表示抗反膜,HR表示高反膜,对808nm激光的剩余反射率R<5%,对1064nm的激光反射率为99.8%以上,作为谐振腔的一个镜面,令一面镀1064nmAR膜,其中AR表示减反膜,对1064nm的剩余反射率<0.5%;通过调整制冷器(图中未示出)的制冷电流,使所述泵浦源1发出波长为808nm的激光(与Nd:YVO4晶体的吸收峰相匹配),射至Nd:YVO4晶体2上,在Nd:YVO4晶体后面放置LBO倍频晶体3,LBO倍频晶体长度为10mm,LBO晶体两端面镀1064nm/532nmAR膜,对1064nm、532nm的激光透过率为98%以上,实现1064nm倍频至532nm的激光频率转换,通过输出透镜4输出后再与650nm激光模组5通过光纤合束器6同时进入耦合系统7,所述光纤合束器6为二进一出合束器。所述耦合系统7采用两片非球面透镜,曲率半径为8mm,焦距为12.5mm,使激光器的结构设计简单、系统体积小;所述激光晶体2及LBO倍频晶体3的非入光面及出光面的表面包裹铟膜,然后周围分别设置紫铜散热装置(图中未示出),所述紫铜散热装置分别紧贴激光晶体2及LBO倍频晶体3的外壁,对所述激光晶体2及LBO倍频晶体3进行散热。
[0021]综上所述,本专利技术采用532nm与650nm双波长腔内耦合光纤输出,使得激光器设计紧凑,系统体积更小,采用Nd:YVO4晶体能够有效降低激光晶体2的温度,减少端面变形带来
的热透镜效应的影响,提高了光

光转换效率及抗光伤阈值,改善了激光的输出光束质量。
[0022]尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本专利技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于双波长腔内耦合光纤输出的激光器,其特征在于:包括泵浦源(1)、激光晶体(2)、LBO倍频晶体(3)、输出透镜(4)、60nm激光模组(5)、光纤合束器(6)和耦合系统(7),所述泵浦源(1)、激光晶体(2)、LBO倍频晶体(3)、输出透镜(4)、光纤合束器(6)、耦合系统(7)在底座上依次同轴设置,所述60nm激光模组(5)设置在光纤合束器(6)的一侧,所述激光晶体(2)为Nd:YVO4晶体,且前端面镀808nmAR/1064HR膜,另一面镀1064nmAR膜;所述LBO倍频晶体(3)两端镀1064nm/532nm AR膜,所述激光晶体(2)及LBO倍频晶体(3)周围分别设置紫铜散热装置,所述紫铜散热装置分别紧贴激光晶体(2)、LBO倍频晶体(3)设置,所述光纤合束器(6)为二进一出合束器。2.根据权利要求1所述的一种基于双波长腔...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭成桥王海彬何海凤
申请(专利权)人:北京镭志威光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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