一种DUT磁性元件制造技术

本实用新型专利技术涉及电感器技术领域，特别涉及一种DUT磁性元件，包括两个截面呈T型的第一磁芯和两个截面呈U型的第二磁芯，两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。磁件中设置的气隙数量越多，使扩散磁通深入线圈内部的幅度变得更小，降低电磁损耗且提高电磁转化效率，并且具有屏蔽功能。

A DUT magnetic element

【技术实现步骤摘要】
一种DUT磁性元件
本技术涉及电感器
，特别涉及一种DUT磁性元件。
技术介绍
现有的线圈类电感器件一般是由磁芯配合线圈组成，为了防止磁饱和现象发生，通常是在磁路中设置磁路气隙。根据专利公开号为CN207217212U的专利文献可知，现有技术中存在UUI型组合磁芯，UUI型组合磁芯指包括I型磁芯和两个U型磁芯的组合，U型磁芯和I型磁芯接触的配合面设置薄片状的气隙介质。但是由于现有的UUI型组合磁芯中的气隙处还存在扩散磁通，扩散磁通伸入线圈内部，使磁芯的电磁转化效率降低，损耗增加。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是提供一种DUT磁性元件，能够减小扩散磁通，降低电磁损耗且提高电磁转化效率。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种DUT磁性元件，包括两个截面呈T型的第一磁芯和两个截面呈U型的第二磁芯，两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DUT磁性元件，其特征在于，包括两个截面呈T型的第一磁芯和两个截面呈U型的第二磁芯，两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种DUT磁性元件，其特征在于，包括两个截面呈T型的第一磁芯和两个截面呈U型的第二磁芯，两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。


2.根据权利要求1所述的DUT磁性元件，其特征在于，所述第二气隙的气...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄思忠，林金城，黄文龙，
申请(专利权)人：厦门南磁电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35