本实用新型专利技术涉及电感器技术领域，特别涉及一种DUT磁性元件，包括两个截面呈T型的第一磁芯和两个截面呈U型的第二磁芯，两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。磁件中设置的气隙数量越多，使扩散磁通深入线圈内部的幅度变得更小，降低电磁损耗且提高电磁转化效率，并且具有屏蔽功能。
A DUT magnetic element
【技术实现步骤摘要】
一种DUT磁性元件
本技术涉及电感器
，特别涉及一种DUT磁性元件。
技术介绍
现有的线圈类电感器件一般是由磁芯配合线圈组成，为了防止磁饱和现象发生，通常是在磁路中设置磁路气隙。根据专利公开号为CN207217212U的专利文献可知，现有技术中存在UUI型组合磁芯，UUI型组合磁芯指包括I型磁芯和两个U型磁芯的组合，U型磁芯和I型磁芯接触的配合面设置薄片状的气隙介质。但是由于现有的UUI型组合磁芯中的气隙处还存在扩散磁通，扩散磁通伸入线圈内部，使磁芯的电磁转化效率降低，损耗增加。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是提供一种DUT磁性元件，能够减小扩散磁通，降低电磁损耗且提高电磁转化效率。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种DUT磁性元件，包括两个截面呈T型的第一磁芯和两个截面呈U型的第二磁芯，两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。进一步的，所述第二气隙的气隙量与所述第一气隙的气隙量相等。进一步的，所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距与第一间距相等。进一步的，所述第一磁芯对应T型中“一”部分的竖直截面的面积与第二磁芯对应U型一侧壁的端面的面积相等。进一步的，所述中柱磁芯的高度与所述第二磁芯对应U型开口的宽度相等。本技术的有益效果在于：在一种DUT磁性元件中，通过两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。该磁件中设置的气隙数量越多，能够使扩散磁通深入线圈内部的幅度变得更小，降低电磁损耗且提高电磁转化效率，并且具有屏蔽功能。附图说明图1所示为本技术的DUT磁性元件的分解示意图；图2所示为本技术的DUT磁性元件的组装示意图；标号说明：1、第一磁芯；2、第二磁芯。具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。请参照图1至图2所示，本技术的一种DUT磁性元件，包括两个截面呈T型的第一磁芯和两个截面呈U型的第二磁芯，两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。本技术的有益效果在于：在一种DUT磁性元件中，通过两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。该磁件中设置的气隙数量越多，能够使扩散磁通深入线圈内部的幅度变得更小，降低电磁损耗且提高电磁转化效率，并且具有屏蔽功能。进一步的，所述第二气隙的气隙量与所述第一气隙的气隙量相等。进一步的，所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距与第一间距相等。进一步的，所述第一磁芯对应T型中“一”部分的竖直截面的面积与第二磁芯对应U型一侧壁的端面的面积相等。进一步的，所述中柱磁芯的高度与所述第二磁芯对应U型开口的宽度相等。从上述描述可知，通过设置第二气隙的气隙量与所述第一气隙的气隙量相等、U型磁芯至所述中柱磁芯之间的间距与第一间距相等、第一磁芯对应T型中“一”部分的竖直截面的面积与第二磁芯对应U型一侧壁的端面的面积相等以及所述中柱磁芯的高度与所述第二磁芯对应U型开口的宽度相等，使得整个DUT磁性元件的扩散磁通深入线圈内部的幅度减小，降低电磁损耗且提高电磁转化效率，整体效果达到最佳。请参照图1至图2所示，本技术的实施例一为：本技术的一种DUT磁性元件，包括两个截面呈T型的第一磁芯1和两个截面呈U型的第二磁芯2，两个所述第一磁芯1对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯1之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯2对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯2的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯2至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。所述第二气隙的气隙量与所述第一气隙的气隙量相等。所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距与第一间距相等。所述第一磁芯对应T型中“一”部分的竖直截面的面积与第二磁芯对应U型一侧壁的端面的面积相等。所述中柱磁芯的高度与所述第二磁芯对应U型开口的宽度相等。其中所述中柱磁芯的截面形状还可以设计为圆形、椭圆形以及腰型。综上所述，本技术提供的DUT磁性元件，通过两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。该磁件中设置的气隙数量越多，能够使扩散磁通深入线圈内部的幅度变得更小，降低电磁损耗且提高电磁转化效率，并且具有屏蔽功能。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种DUT磁性元件，其特征在于，包括两个截面呈T型的第一磁芯和两个截面呈U型的第二磁芯，两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。/n
【技术特征摘要】
1.一种DUT磁性元件，其特征在于，包括两个截面呈T型的第一磁芯和两个截面呈U型的第二磁芯，两个所述第一磁芯对应T型底端面相对设置形成截面呈“工”字型的中柱磁芯，两个所述第一磁芯之间具有第一间距且所述第一间距内填充有第一气隙，两个所述第二磁芯对称分布在所述中柱磁芯的两侧，所述第二磁芯的开口朝向所述中柱磁芯，且所述第二磁芯至所述中柱磁芯之间的间距内填充有第二气隙。
2.根据权利要求1所述的DUT磁性元件，其特征在于，所述第二气隙的气...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄思忠，林金城，黄文龙，
申请(专利权)人：厦门南磁电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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