【技术实现步骤摘要】
一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架
本技术涉及砷化镓粘接托架
，具体为一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架。
技术介绍
砷化镓(galliumarsenide)，化学式GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于...
【技术保护点】
1.一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)的顶端两侧设有支撑板(24)，所述支撑板(24)的顶端设有支撑横梁(25)，所述支撑横梁(25)的中心处设有倒扣的气缸(12)，所述气缸(12)的底部设有连接件(11)，所述连接件(11)的底部设有切割设备(13)，所述底座(1)的外侧设有电机(4)，所述电机(4)上设有第二带轮(9)，所述底座(1)左侧的前后两端设有垂直设置的第一支撑柱(6)，两个所述第一支撑柱(6)的顶端之间设有第一辊轮(8)，所述第一辊轮(8)的转轴一端伸出第一支撑柱(6)外并设有第一带轮(5)，所述第一带轮(...
【技术特征摘要】
1.一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)的顶端两侧设有支撑板(24)，所述支撑板(24)的顶端设有支撑横梁(25)，所述支撑横梁(25)的中心处设有倒扣的气缸(12)，所述气缸(12)的底部设有连接件(11)，所述连接件(11)的底部设有切割设备(13)，所述底座(1)的外侧设有电机(4)，所述电机(4)上设有第二带轮(9)，所述底座(1)左侧的前后两端设有垂直设置的第一支撑柱(6)，两个所述第一支撑柱(6)的顶端之间设有第一辊轮(8)，所述第一辊轮(8)的转轴一端伸出第一支撑柱(6)外并设有第一带轮(5)，所述第一带轮(5)和第二带轮(9)上套设有皮带(7)，所述底座(1)右侧的前后两端设有倾斜设置的第二支撑柱(15)，两个所述第二支撑柱(15)之间设有第二辊轮(16)，所述第一辊轮(8)和第二辊轮(16)上套设有传送带(10)，所述传送带(10)上设有若干个均匀分布的薄片托架(14)。
2.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓薄片高速切割工艺的晶棒粘接托架，其特征在于：所述薄片托架(14)的左侧设有激光发射器(17)，所述薄片托架(14)位于激光发射器(17)的右侧四个输出端均朝向内侧的电动伸缩杆(18)，所述电动伸缩杆(18)的输出端设有挤压块(19...
【专利技术属性】
技术研发人员：于会永，冯佳峰，王文昌，赵春峰，袁韶阳，荆爱明，穆成锋，张军军，
申请(专利权)人：大庆溢泰半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：黑龙;23
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。