用于制造显示面板的新型掩模版及其制备方法技术

本申请公开一种用于制造显示面板的新型掩模版及其制备方法，该新型掩模版的透光区域中包括与遮光区域连接的多曝光区域，多曝光区域为制造显示面板过程中进行拼接曝光的多个曝光区域之间的重叠区域；多曝光区域中划分有一个或多个单元子区域，单元子区域中填充有冗余图形，单元子区域中被冗余图形覆盖的区域不透光。本申请的新型掩模版边缘的多曝光区域中填充有不透光的冗余图形，冗余图形能减少多曝光区域的曝光量，使多曝光区域内的曝光量分布趋近于其他区域的曝光量分布，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。对于面板制造光刻设备精度不允许对掩模版的移动距离做精细调整的情况下，采用该新型掩模版能使曝光量分布更加均匀。

A new mask used for manufacturing display panel and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
用于制造显示面板的新型掩模版及其制备方法
本申请涉及半导体面板制造领域，具体涉及一种用于制造显示面板的新型掩模版及其制备方法。
技术介绍
当前在大型显示面板的制造领域中，光刻工艺通常采用波长为365纳米的I线曝光系统。I线曝光系统通过光学曝光的方式将掩模版上的图形转移至涂覆有光刻胶的基底上。光刻胶经过光学曝光记录下掩模版上的图形信息。相关技术在图形的转移曝光过程中，为了实现大面积面板的制造，需要利用有限区域的掩模版进行多次拼接曝光。掩模版的中心为大量需要转移的图形，掩模版的边缘覆盖有不透光铬层，边缘内侧为透光区域。相关技术简单的对掩模版进行几何拼接，由于掩模版的边缘在光学曝光过程中存在衍射现象，无法获得稳定良好的拼接效果和曝光质量，拼接区域的边缘处曝光量叠加后与相邻区域曝光量存在差异，导致基底上的光刻胶经过曝光显影工艺后出现部分的凸起或凹陷。
技术实现思路
为解决以上问题，本申请提供一种用于制造显示面板的新型掩模版及其制备方法，新型掩模版边缘的透光区域中填充有不透光的冗余图形，冗余图形能减少透本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造显示面板的新型掩模版，包括透光区域和遮光区域，其特征在于，/n所述透光区域中包括与所述遮光区域连接的多曝光区域，所述多曝光区域为制造显示面板过程中对所述新型掩模版进行拼接曝光的多个曝光区域之间的重叠区域；/n所述多曝光区域中划分有一个或多个单元子区域，所述单元子区域中填充有冗余图形，所述单元子区域中被所述冗余图形覆盖的区域不透光。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于制造显示面板的新型掩模版，包括透光区域和遮光区域，其特征在于，
所述透光区域中包括与所述遮光区域连接的多曝光区域，所述多曝光区域为制造显示面板过程中对所述新型掩模版进行拼接曝光的多个曝光区域之间的重叠区域；
所述多曝光区域中划分有一个或多个单元子区域，所述单元子区域中填充有冗余图形，所述单元子区域中被所述冗余图形覆盖的区域不透光。


2.根据权利要求1所述的新型掩模版，其特征在于，所述冗余图形的尺寸小于所述新型掩模版对应的最大分辨率尺寸。


3.根据权利要求1所述的新型掩模版，其特征在于，所述冗余图形在所述单元子区域中的填充率位于预设填充率区间内，所述填充率位于所述预设填充率区间内使得所述多曝光区域内的曝光量分布满足预设平整分布条件。


4.一种权利要求1-3任一项所述的新型掩模版的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
确定第一掩模版中包括的多曝光区域；
在所述多曝光区域中划分若干单元子区域；
在每个所述单元子区域中填充冗余图形，得到新型的第二掩模版。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述确定第一掩模版中包括的多曝光区域，包括：
通过曝光系统对第一掩模版进行单次曝光；
通过面板制造光刻设备移动所述第一掩模版，通过所述曝光系统对移动后的所述第一掩模版进行再次曝光；
分别获取所述第一掩模版每次曝光对应的曝光量分布曲线；
根据所述面板制造光刻设备的设备参数及...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝芸芸，韦亚一，董立松，陈睿，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11