一种基于拓扑界面态和光学克尔效应的一维光子晶体限幅结构制造技术

本发明专利技术提出了一种基于拓扑界面态和光学克尔效应的光子晶体限幅结构，该限幅结构由四种介质按一定顺序周期性排列成光子晶体构成。设四种介质为A、B、C和D，则包含N个周期的光子晶体结构为(A

One dimensional photonic crystal limiting structure based on topological interface state and optical Kerr effect

【技术实现步骤摘要】
一种基于拓扑界面态和光学克尔效应的一维光子晶体限幅结构
本专利技术涉及拓扑态、光子晶体与非线性光学领域，具体涉及一种基于拓扑界面态和光学克尔效应的一维光子晶体限幅结构，可应用于要求弱光高透过率和强光高衰减率的非线性激光限幅场合。
技术介绍
由于激光在亮度、单色性、方向性和单色性多个方面有着很好的性能，激光广泛用于工业、医疗、军事等领域。但是高强度的激光会对人眼和各类光学探测器造成不可逆的损伤，例如调Q激光器很容易达到MW/cm2量级的高功率密度，所以需要对强激光进行限幅。而功率相对较弱的激光又可作为信号探测光不需限幅，故使激光防护结构具备非线性特性有重要意义。目前激光防护的方法主要是基于线性光学、非线性光学和热致相变原理。其中，基于线性光学效应的限幅方法只对某个波段有作用，而无法根据激光的强度动态地调控激光，无法同时满足弱光高透过、强光高衰减的要求。而基于非线性光学原理的限幅方法从根本上克服了这些不足，非线性光学效应主要包括非线性吸收、非线性折射、非线性反射和非线性散射。反饱和吸收是基于非线性吸收光限幅领域中常用的防护手段，但是由于材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于拓扑界面态和光学克尔效应的一维光子晶体限幅结构，其特征在于：所述的一维光子晶体限幅结构由四种介质按一定顺序周期性排列的光子晶体构成，设四种介质分别为A、B、C和D，则光子晶体结构为(A

【技术特征摘要】
1.一种基于拓扑界面态和光学克尔效应的一维光子晶体限幅结构，其特征在于：所述的一维光子晶体限幅结构由四种介质按一定顺序周期性排列的光子晶体构成，设四种介质分别为A、B、C和D，则光子晶体结构为(A0.5BA0.5)N(C0.5DC0.5)N，介质A和B为非线性光学材料，构成光子晶体左侧部分，介质C和D为线性光学材料，构成光子晶体右侧部分，下标0.5表示介质基本单元的一半，N表示光子晶体结构的周期数，N的范围是1～200；所述的光子晶体左侧部分与光子右晶体左侧部分的拓扑性质相异；其中，适用于入射激光波长为1064.15nm的一维光子晶体限幅结构中，四种介质A、B、C和D分别为掺杂纳米铜和纳米铁的钛酸钡、覆盖石墨烯的氧化铟锡薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯和硫化锌，四种介质A、B、C和D的厚度分别为129nm、138nm、137nm和136nm。


2.根据权利要求1所述的一种基于拓扑界面态和光学克尔效应的一维光子晶体限幅结构，其特征在于：适用于入射激光波长为1064.15nm的一维光子晶体限幅结构中，光子晶体结构包含5个周期，光子晶体左侧部分的拓扑性质为正，光子晶体右侧部分的...

【专利技术属性】
技术研发人员：路元刚，黄剑，周朗，徐锋，左敦稳，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32