彩膜基板及其制作方法和显示面板技术

技术编号:24453239 阅读:14 留言:0更新日期:2020-06-10 14:50
本申请公开了一种彩膜基板及其制作方法和显示面板,所述彩膜基板通过对彩膜基板上的公共电极进行图形化,即在非开口区未覆盖公共电极,不会产生倾斜电场,并且使得开口区的电场更加均匀、更加理想,从而能够减少穿透损失并且提升整个液晶盒的穿透率以及进一步改善显示面板的亮度。

Color film substrate and its manufacturing method and display panel

【技术实现步骤摘要】
彩膜基板及其制作方法和显示面板
本申请涉及显示
,尤其涉及一种彩膜基板及其制作方法和显示面板。
技术介绍
随着科技的发展和社会的进步,人们对于信息交流和传递等方面的依赖程度日益增加。而显示器作为信息交换和传递的主要载体和物质基础,现已成为众多从事信息光电研究者重点研究课题。对于现实画面的品质要求在逐步提升中,其中对高亮度的需求成为一重要趋势。液晶显示器(LCD)大体上由背光模组(BLU)和液晶盒(CELL)构成,其中液晶盒由上基板110和下基板120以及中间填充液晶130组成,如图1所示。在不同的显示模式中,上下基板会有或没有电极的分布。例如采用IPS显示模式仅在阵列基板(通常称为下基板120)上有电极分布,彩膜基板(通常称为上基板110,其上可以有彩色光阻也可以没有彩色光阻)上无电极分布。又例如采用VA显示模式,在上下基板上都有电极分布。为了实现液晶显示器的高亮度,可以通过一种简单方法来实现,即提高背光模组的亮度,但是其会产生高能耗的负面影响,而低能耗是目前显示器发展的重要趋势,因此,单纯地提高背光模组的亮度来提高液晶显示器亮度并非为最佳方案。如图1所示,其为传统液晶盒的结构示意图。传统的液晶盒中的上基板110包括第一衬底基板101、黑矩阵102以及透明电极103,其中透明电极103(其材料为氧化铟锡,即ITO)为整面电极,其与下基板120的像素电极(图中未标示)之间产生倾斜电场,会引起其范围内的液晶转动而导致异常,并且造成穿透损失。有鉴于此,如何减少穿透损失并且提升整个液晶盒的穿透率以及进一步改善液晶显示器的亮度成为相关研究者的重要研究课题。
技术实现思路
本申请的目的在于,提供一种彩膜基板及其制作方法和显示面板,其中通过对彩膜基板上的公共电极进行图形化,即在非开口区未覆盖公共电极,不会产生倾斜电场,并且使得开口区的电场更加均匀、更加理想,从而能够减少穿透损失,并且提升整个液晶盒的穿透率以及进一步改善显示面板的亮度。根据本申请的一方面,本申请提供了一种彩膜基板,其包括:一第一衬底基板和设于所述第一衬底基板上的黑矩阵;在相邻的所述黑矩阵之间具有一开口区域,在所述开口区域设有公共电极;所述公共电极未设置在所述黑矩阵上。在本申请的一实施例中,所述公共电极为透明电极,所述透明电极的材料优选为氧化铟锡。在本申请的一实施例中,所述彩膜基板还包括一光阻层,所述光阻层设置在所述第一衬底基板和所述黑矩阵之间;所述光阻层包括多个光阻单元,每一光阻单元的位置与所述开口区域相对应。在本申请的一实施例中,所述彩膜基板还包括一保护层,所述保护层设置在所述光阻层和所述公共电极之间,所述保护层用于对所述光阻层起到平整作用,并用于防止外界水汽进入膜层结构中。在本申请的一实施例中,所述黑矩阵在所述第一衬底基板上呈网格状分布。在本申请的一实施例中,在所述黑矩阵上设有隔垫物,所述隔垫物包括主要隔垫物和次要隔垫物,所述主要隔垫物的高度大于所述次要隔垫物的高度。根据本申请的另一方面,本申请提供了一种显示面板,其包括相对设置的阵列基板和上述的彩膜基板,以及设于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。在本申请的一实施例中,所述阵列基板包括一第二衬底基板、设于所述第二衬底基板上的薄膜晶体管层、设于所述薄膜晶体管层上的光阻层以及设于所述光阻层上的像素电极,所述像素电极靠近所述液晶层设置。在本申请的一实施例中,所述彩膜基板包括设置于所述第一衬底基板上的光阻层;所述阵列基板包括一第二衬底基板、设于所述第二衬底基板上的薄膜晶体管层、设于所述薄膜晶体管层上的像素电极,所述像素电极靠近所述液晶层设置。根据本申请的又一方面,本申请提供了一种彩膜基板的制备方法,其包括以下步骤:(1)提供一第一衬底基板;(2)在所述第一衬底基板上形成呈网格状分布的黑矩阵,在相邻的所述黑矩阵之间形成一开口区域;(3)在所述第一衬底基板和所述黑矩阵上涂布一公共电极材料,以形成公共电极层;(4)在所述公共电极层上涂布光阻材料,以形成光阻层;(5)通过光罩对光阻层进行图形化处理,以去除涂布在所述黑矩阵上的光阻层和公共电极层,并且形成图形化的公共电极,所述图形化的公共电极位于所述开口区域。在本申请的一实施例中,在执行步骤(4)和(5)时,通过采用黑矩阵光罩对光阻层进行图形化处理,其中光阻材料为正型光阻,所述黑矩阵光罩图案包括主体部和辅助部,所述主体部包括多个长方形的第一框体,每一所述第一框体的位置对应于设于所述光阻层上的像素电极,所述辅助部至少包括一个或多个非透明区,且所述辅助部的非透明区为沿每一所述第一框体的宽度或长度方向设置在每一所述第一框体周边,且所述非透明区相互连通;其中,每一所述第一框体主体为非透明区,对应于彩膜基板开口区域,每一所述第一框体周围为透明区,对应于彩膜基板的黑矩阵。在本申请的一实施例中,在执行步骤(4)和(5)时,通过一新增光罩以对光阻层进行图形化处理,其中,光阻材料为负型光阻,所述新增光罩的图案包括主体部和辅助部,所述主体部包括多个长方形的第一框体,每一所述第一框体的位置对应于设于所述光阻层上的像素电极,所述辅助部至少包括一个或多个透明区,且所述辅助部的透明区为沿每一所述第一框体的宽度或长度方向设置在每一所述第一框体周边,且所述透明区相互连通;其中,每一所述第一框体主体为透明区,对应彩膜基板开口区域,每一所述第一框体周围为非透明区,对应于彩膜基板的黑矩阵。在本申请的一实施例中,在执行步骤(4)和(5)时,光阻材料为正型光阻,所述新增光罩的图案包括主体部和辅助部,所述主体部包括多个长方形的第一框体,每一所述第一框体的位置对应于设于所述光阻层上的像素电极,所述辅助部至少包括一个或多个非透明区,且所述辅助部的非透明区为沿每一所述第一框体的宽度或长度方向设置在每一所述第一框体周边,所述非透明区相互连通;其中,每一所述第一框体主体为非透明区,对应彩膜基板开口区域,每一所述第一框体周围为透明区,对应于彩膜基板的黑矩阵。本申请的优点在于,本申请通过对彩膜基板上的公共电极进行图形化,即在非开口区未覆盖公共电极,不会产生倾斜电场,并且使得开口区的电场更加均匀、更加理想,从而能够减少穿透损失并且提升整个液晶盒的穿透率以及进一步改善显示面板的亮度。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有显示面板的结构示意图。图2是本申请第一实施例中的彩膜基板的示意图。图3是本申请第二实施例中的彩膜基板的示意图。图4是本申请第三实施例中的显示面板的结构示意图。图5是本申请第四实施例中的显示面板的结构示意图。图6是本申请第一实施例中的彩膜基板的制备方法的步骤流程图。图7A、图7C和图7E分别是图6所述本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种彩膜基板,其特征在于,包括:一第一衬底基板和设于所述第一衬底基板上的黑矩阵;在相邻的所述黑矩阵之间具有一开口区域,在所述开口区域设有公共电极;所述公共电极未设置在所述黑矩阵上。/n

【技术特征摘要】
1.一种彩膜基板,其特征在于,包括:一第一衬底基板和设于所述第一衬底基板上的黑矩阵;在相邻的所述黑矩阵之间具有一开口区域,在所述开口区域设有公共电极;所述公共电极未设置在所述黑矩阵上。


2.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板还包括一光阻层,所述光阻层设置在所述第一衬底基板和所述黑矩阵之间。


3.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,所述光阻层包括多个光阻单元,每一光阻单元的位置与所述开口区域相对应。


4.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板还包括一保护层,所述保护层设置在所述光阻层和所述公共电极之间,所述保护层用于对所述光阻层起到平整作用,并用于防止外界水汽进入膜层结构中。


5.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,在所述黑矩阵上设有隔垫物,所述隔垫物包括主要隔垫物和次要隔垫物,所述主要隔垫物的高度大于所述次要隔垫物的高度。


6.一种采用权利要求1所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)提供一第一衬底基板;
(2)在所述第一衬底基板上形成呈网格状分布的黑矩阵,在相邻的所述黑矩阵之间形成一开口区域;
(3)在所述第一衬底基板和所述黑矩阵上涂布一公共电极材料,以形成公共电极层;
(4)在所述公共电极层上涂布光阻材料,以形成光阻层;以及
(5)通过光罩对光阻层进行图形化处理,以去除涂布在所述黑矩阵上的光阻层和公共电极层,并且形成图形化的公共电极,所述图形化的公共电极位于所述开口区域。


7.根据权利要求6所述彩膜基板的制备方法,其特征在于,在执行步骤(4)和(5)时,通过采用黑矩...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈珍霞
申请(专利权)人:TCL华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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