【技术实现步骤摘要】
宽带抗弯多模光纤
本专利技术涉及光通信领域，尤其涉及一种宽带抗弯多模光纤。
技术介绍
传统的抗弯多模光纤采用管内法制造，其中芯层沉积掺GeO2的石英，外面再沉积掺F的石英深下陷包层，外层再套纯石英套管。但是由于多模光纤本身的沉积芯层很大，且多模预制棒的沉积速率远低于单模预制棒的沉积速率，造成多模光纤在市场上的售价远高于单模光纤。目前，降低多模光纤的制造成本的方法不多，主要是采用提高沉积速率、增大芯棒尺寸以及廉价的原材料，但是这些方法受到工艺的局限，也带来多模光纤衰耗的略微增大为代价。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种宽带抗弯多模光纤，其降低了生产成本且具有良好的抗弯性能。本专利技术提供一种宽带抗弯多模光纤，包括芯层、基管、下陷包层及外包层，所述基管、下陷包层及外包层沿径向的横截面均为圆环，所述芯层中掺杂有GeO2，P2O5和F，所述芯层为折射率渐变区，所述芯层半径为R1，所述基管套设于所述芯层外侧，所述芯层中心到所述基管边界的距离为R2，所述基管的宽度为R2-R1，所述下陷包层设置在所述基管...
【技术保护点】
1.一种宽带抗弯多模光纤，包括芯层、基管、下陷包层及外包层，所述基管、下陷包层及外包层沿径向的横截面均为圆环，其特征在于：所述芯层中掺杂有GeO
【技术特征摘要】
1.一种宽带抗弯多模光纤，包括芯层、基管、下陷包层及外包层，所述基管、下陷包层及外包层沿径向的横截面均为圆环，其特征在于：所述芯层中掺杂有GeO2，P2O5和F，所述芯层为折射率渐变区，所述芯层半径为R1，所述基管套设于所述芯层外侧，所述芯层中心到所述基管边界的距离为R2，所述基管的宽度为R2-R1，所述下陷包层设置在所述基管的外侧，所述芯层中心到所述下陷包层边界的距离为R3，所述下陷包层的宽度为R3-R2，所述外包层套设于所述下陷包层的外侧，所述芯层中心到所述外包层边界的距离为Rmax，所述外包层的宽度为Rmax-R3，所述芯层中的F的摩尔浓度随所述芯层的半径变化，满足如下公式：
其中，MF0为所述芯层中心的F的摩尔浓度，βF的取值范围为6-10，所述MF(r)表示所述F在所述芯层中心轴的径向距离r处的摩尔浓度。
2.如权利要求1所述的宽带抗弯多模光纤，其特征在于：所述βF的取值范围为7-9。
3.如权利要求1所述的宽带抗弯多模光纤，其特征在于：所述芯层中的P2O5的摩尔浓度随所述芯层的半径变化，满足如下公式：
其中，MP0为纤芯层中心P2O5的摩尔浓度，βp取值范围为2.0-4.5，所述MP(r)表示所述P2O5在所述芯层中心轴的径向距离r处的摩尔浓度。
4.如权利要求3所述的宽带抗弯多模光纤，其特征在于：所述βp的取值范围为2.5-3.5。
5.如权利要求1所述的宽...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋新力，沈一春，许维维，成煜，钱本华，王见青，
申请(专利权)人：中天科技精密材料有限公司，江苏中天科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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