一种低损耗截止波长位移单模光纤制造技术

本发明专利技术提供了一种低损耗截止波长位移单模光纤，由中心至外周依次包括：芯层、渐变层、内包层、凹陷层、第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层与外包层。与现有技术相比，本发明专利技术在芯层与凹陷层之间设计渐变层、在靠近外包层区域增加多台阶过渡层设置，在防止光功率泄露的前提下，减少了凹陷层设计的宽度和深度，降低了凹陷层对缆截止波长的影响，同时也可实现物理性能和掺杂浓度的渐变，从而可降低芯层、包层间的界面应力差，还可有效地调整缆截止波长而不影响其他主要光纤参数。

A low loss cut-off wavelength shifted single-mode fiber

【技术实现步骤摘要】
一种低损耗截止波长位移单模光纤
本专利技术属于光通信
，尤其涉及一种低损耗截止波长位移单模光纤。
技术介绍
光纤通信网络不断地向超长距离、超大容量、超高速率的“三超”方向发展。近年来，400Gbs高速光纤通信技术已逐步成熟，并开始进入实用领域。400Gbs传输技术不仅可以增加网络带宽，而且通过高阶调制技术，可实现单位比特的传输成本大幅降低。100Gbs及其以上的传输系统利用高阶调制模式和相干数字检测。在该系统中，色散和PMD可在电域数字化补偿，但这些系统受光纤非线性和光纤损耗的限制。主流的400Gbs技术采用16QAM调制方式，系统OSNR比100Gbs要求增加～6dB。计算和实验表明，如果采用传统的G.652光纤，400Gbs通信系统的无中继传输距离将只有100Gbs系统的四分之一(约600～800km)。由于中继再生站设备的价格非常昂贵，继续采用G.652光纤铺设400Gbs骨干网，网络和系统建设的成本将非常高昂，现有的G.652光纤已完全不能满足400Gbs技术的要求。为了适应和促进光纤通信系统快速发展的需求，作为光纤通信网本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，由中心至外周依次包括：芯层、渐变层、内包层、凹陷层、第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层与外包层；/n所述芯层的半径R1为4～7μm；芯层与外包层的相对折射率差△1为0～0.2％；/n所述渐变层的半径为R2，其厚度R2-R1为1.0～3.0μm；第一渐变层与外包层的相对折射率差△2沿中心外延方向逐渐减小，以中位线计，△2为0～0.15％；/n所述内包层的半径为R3，其厚度R3-R2为0～2μm；第一内包层与外包层的相对折射率差△3为-0.04％～0.04％；/n所述凹陷层的半径为R4，其厚度R4-R3为3～7.2μm；第二内包层与外包层的相对折射率...

【技术特征摘要】
1.一种低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，由中心至外周依次包括：芯层、渐变层、内包层、凹陷层、第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层与外包层；
所述芯层的半径R1为4～7μm；芯层与外包层的相对折射率差△1为0～0.2％；
所述渐变层的半径为R2，其厚度R2-R1为1.0～3.0μm；第一渐变层与外包层的相对折射率差△2沿中心外延方向逐渐减小，以中位线计，△2为0～0.15％；
所述内包层的半径为R3，其厚度R3-R2为0～2μm；第一内包层与外包层的相对折射率差△3为-0.04％～0.04％；
所述凹陷层的半径为R4，其厚度R4-R3为3～7.2μm；第二内包层与外包层的相对折射率差△4为-0.3％～-0.4％；
所述第一过渡层的半径为R5，其厚度R5-R4为3～7μm；第一过渡层与外包层的相对折射率差△5为-0.3％～-0.2％，且△5＞△4；
所述第二过渡层的半径为R6，其厚度R6-R5为3～7μm；第二过渡层与外包层的相对折射率差△6为-0.21％～-0.1％，且△6＞△5；
所述第三过渡层的半径为R7，其厚度R7-R6为0～20μm；过渡层与外包层的相对折射率差△7为-0.1％～0％，且△7＞△6；
所述外包层的半径为R8，R8为60～65μm。


2.根据权利要求1所述的低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，所述所述渐变层中距离光纤中心半径为r处与外包层的相对折射率差为△2(r)；



其中，R1＜r＜R2；0.2≤β≤3。


3.根据权利要求1所述的低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，所述芯层为掺杂有元素F、P与GeO2的二氧化硅玻璃层；芯层中F的摩尔掺杂浓度为0.01％～0.3％；P的摩尔掺杂浓度为0.01％～0.3％；GeO2的摩尔掺杂浓度为0.1％～1％；
所述渐变层中F的摩尔掺杂浓度...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋新力，王见青，沈一春，徐希凯，钱本华，周慧，许维维，
申请(专利权)人：中天科技精密材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32