【技术实现步骤摘要】
一种低氧含量钼铌合金的制备方法
本申请属于合金靶材
,具体涉及一种低氧含量钼铌合金的制备方法。
技术介绍
难熔金属钼由于导电导热性能好、热膨胀系数低、耐腐蚀性好及低比阻抗等特性,被广泛用作平板显示器和薄膜太阳能电池的电极、配线材料以及半导体的阻挡层材料。在纯钼中添加铌元素可进一步改善其耐蚀性、比阻抗、膜应力等性能。随着电子行业的发展,钼铌合金靶材的市场需求也不断增长。目前,高性能钼铌合金靶材的制备存在一系列技术难题,其中最主要、最致命的问题就是钼铌合金中氧含量高,从而导致其致密度和纯度上不去,大大降低了其溅射使用性能。申请公布号为CN110257784A的中国专利申请公开了一种高致密度钼铌合金溅射靶材的制备工艺,具体采用氢化铌代替铌粉,因为氢化铌较脆,更容易球磨制得粒径更小的粉末,同时氢化铌在烧结时,受热分解,释放出氢气,坯体内存在少量的氢气,具有还原作用的氢气将钼铌合金中的含氧量降低,纯度提高。申请公布号为CN105648407A的中国专利申请公开了一种高致密度钼铌合金靶材及其制备工艺,具体公开了采用 ...
【技术保护点】
1.一种低氧含量钼铌合金的制备方法,其特征在于,该制备方法包括:/n(1)铌粉体放置在包括含碳气体和惰性气体的环境中,在第一温度下反应第一时间,铌粉颗粒表面生成碳化铌层,得到碳化铌包覆铌粉体;/n(2)碳化铌包覆铌粉体与钼粉体混合,在第二温度下反应第二时间,得到钼铌合金。/n
【技术特征摘要】
1.一种低氧含量钼铌合金的制备方法,其特征在于,该制备方法包括:
(1)铌粉体放置在包括含碳气体和惰性气体的环境中,在第一温度下反应第一时间,铌粉颗粒表面生成碳化铌层,得到碳化铌包覆铌粉体;
(2)碳化铌包覆铌粉体与钼粉体混合,在第二温度下反应第二时间,得到钼铌合金。
2.根据权利要求1所述的低氧含量钼铌合金的制备方法,其特征在于,所述含碳气体包括甲烷、一氧化碳或乙炔。
3.根据权利要求1所述的低氧含量钼铌合金的制备方法,其特征在于,所述第一温度设定在600~1200℃,所述第一时间设定为90~270min。
4.根据权利要求1所述的低氧含量钼铌合金的制备方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴小超,杨凯军,李庆奎,郭茫茫,张静,李丽娜,何季麟,
申请(专利权)人:郑州大学,
类型:发明
国别省市:河南;41
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