一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用。所述聚酰亚胺薄膜采用含环烯烃结构的二胺单体与芳香族二酐单体进行聚合反应，然后亚胺化得到。所述含环烯烃结构的二胺单体碱性较弱，制备得到的聚酰亚胺分子量高，且在高温亚胺化过程中，环烯烃结构中的双键容易发生交联，大大提高了聚酰亚胺薄膜的耐热性。本发明专利技术提供的聚酰亚胺薄膜中，环烃与苯环非共平面，介电损耗明显降低，且薄膜中未添加氟树脂，使得薄膜与基板之间的高温粘接性好，薄膜的拉伸强度高，解决了传统的聚酰亚胺薄膜介电性能、热学性能以及机械性能不能兼顾的问题，且制备工艺简单，适合用于覆铜板。

A polyimide film and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用
本专利技术涉及聚酰亚胺薄膜领域，具体涉及一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
聚酰亚胺由于具有卓越的耐热、机械、电气绝缘及耐化学性能，广泛应用于制造柔性覆铜板，起着对电子线路机械支撑和绝缘作用。常见的聚酰亚胺薄膜介电常数在3.0左右，介电损耗角正切在0.020左右。而随着近年来电子设备的快速发展和5G时代的到来，5G时期的信号频段比4G时期更高，导致信号在电路板传输过程中会有更高的损耗。因此，5G时期对聚酰亚胺的介电损耗和耐热性提出了更高的要求，如信号频率高于10GHz时，要求聚酰亚胺材料介电损耗角正切小于0.005。通常降低聚酰亚胺介电损耗的方法主要有：(1)在聚酰亚胺树脂中掺杂低介电损耗的含氟树脂，如聚四氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物等；(2)在聚酰亚胺结构中引入低极化能力的取代基团、非共平面结构，降低分子中偶极子的极化能力和提高分子自由体积作用，如脂环结构、长碳链结构等。中国专利CN107429028A将含氟树脂分散到聚酰胺酸溶液中，亚胺化制备低介电损耗聚酰亚胺薄膜。但是该法制备的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺具有如下重复单元的交联结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺具有如下重复单元的交联结构：



其中，n为0-5的整数；Ar为芳香族四酸二酐衍生物结构单元。


2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其特征在于，n为0-2的整数。


3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述Ar选自以下结构中的一种或多种：





4.根据权利要求1-3任一项所述的聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜在10GHz的介电损耗角正切小于0.007，拉伸强度为170-190Mpa，玻璃化转变温度为300-360℃，热分解温度为510-540℃，剥离强度为1.00-1.20N/mm。


5.一种如权利要求1-4任一项所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将含环烯烃结构的二胺单体与芳香族二酐单体聚合，得到聚酰胺酸，然后亚胺化处理，得到所述的聚酰亚胺薄膜。


6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李义涛，程堂剑，云晧，邓永茂，陈志钊，林丽平，杨刚，张凌飞，
申请(专利权)人：东莞东阳光科研发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44