多脉冲皮秒激光诱导半导体材料表面周期性结构的方法技术

本发明专利技术提出了一种多脉冲皮秒激光诱导半导体材料表面周期性结构的方法，包括：单面抛光的半导体材料；将激光从半导体材料抛光面垂直入射，在半导体材料表面被吸收，在半导体材料抛光面一侧表面形成LIPSS。通过本发明专利技术制得LIPSS能够改变材料的润湿特性、材料的生物相容性、调节材料表面催化反应效率以及改变材料表面的光学特性。

The method of multi pulse picosecond laser induced periodic structure on the surface of semiconductor materials

【技术实现步骤摘要】
多脉冲皮秒激光诱导半导体材料表面周期性结构的方法
本专利技术涉及半导体材料表面周期性结构制备技术，尤其是一种多脉冲皮秒激光诱导半导体材料表面周期性结构的方法。
技术介绍
半导体材料表面微纳尺度周期性结构(PSS)能够改变材料的光学，机械或化学性质等性能，从而在光学、电子学、摩擦学、医学等领域得到应用。制备材料表面微纳尺度结构，即通过某种方法在原材料表面上形成具有某种特定形状的基本结构单元，这种基本结构单元的尺寸控制在微米或者纳米量级。基于生长的自下而上方法和基于去除的自上而下方法都可以在材料表面上实现这种基本结构单元的制备。比如在自上而下的方法中，利用激光辐照材料表面就是一种诱发材料自组织效应形成PSS的技术手段，即激光诱导周期性表面结构(LIPSS)，或称为ripples。LIPSS是一种具有一定缺陷但是高度周期性的栅状结构，可由多种激光辐照在几乎所有类型的材料表面产生。例如在文献“Hendrikson,W.,etal.(2016)."Mold-BasedApplicationofLaser-InducedPeriodicSurfaceStr本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多脉冲皮秒激光诱导半导体材料表面周期性结构的方法，其特征在于可以通过单步骤在材料表面生成周期性结构，具体步骤为：/n步骤1、将激光从将激光从半导体材料抛光面垂直入射，并在抛光面一侧表面形成LIPSS，其中，所述激光单脉冲能量密度的范围为烧蚀阈值的0.2到0.9倍。/n

【技术特征摘要】
1.一种多脉冲皮秒激光诱导半导体材料表面周期性结构的方法，其特征在于可以通过单步骤在材料表面生成周期性结构，具体步骤为：
步骤1、将激光从将激光从半导体材料抛光面垂直入射，并在抛光面一侧表面形成LIPSS，其中，所述激光单脉冲能量密度的范围为烧蚀阈值的0.2到0.9倍。


2.根据权利要求1所述的多脉冲皮秒激光诱导半导体材料表面周期性结构的方法，其特征在于，步骤1中所述半导体材料厚度在500μm到10mm之间。


3.根据权利要求1所述的多脉冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：高语璠，韩冰，马丁·伊尔哈特，于彩芸，朱日宏，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32