一种除醛抗菌异质结光催化剂的制备方法及应用技术

技术编号:24429435 阅读:28 留言:0更新日期:2020-06-10 09:53
本发明专利技术公开了一种铁掺杂二氧化锡修饰氮化碳的制备方法,通过该方法制备了具有多孔层状异质结的复合材料,并公开了该材料在除醛、抗菌及苯酚和染料降解方面的应用方法。本发明专利技术以氯化亚锡,三氯化铁等为前驱体原料,综合创新了化学沉淀、球磨烘焙等方法,将铁掺杂二氧化锡负载在多孔层状的氮化碳上,制备了一种新型的纳米异质结光催化材料,解决了异质结表面积小,分布不均匀的缺陷。该制备方法绿色环保、制备工艺简单,具有成本低廉,高效多功能特点,可进行产业化推广应用。

Preparation and application of a photocatalyst for removing aldehyde and antibacterial heterojunction

【技术实现步骤摘要】
一种除醛抗菌异质结光催化剂的制备方法及应用
本专利技术属于光催化复合材料用于降解甲醛和杀菌的
,具体涉及Fe掺杂SnO2修饰g-C3N4的制备方法,形成一种具有多孔层状异质结的复合材料,应用于除醛、杀菌,以及对苯酚和染料的降解。
技术介绍
近年来,光催化处理废水得到了广泛的研究,此技术以太阳光为能量,能有效地将污染物矿化成CO2和H2O,是一种绿色无污染的水处理方法。石墨相氮化碳(g-C3N4)因其良好的可见光响应性和化学稳定性而备受关注。然而,由于其光生载流子的快速复合,严重阻碍了氮化碳的实际应用。研究表明,将氮化碳与其他半导体(TiO2和ZnO)复合形成异质结材料能提高光生载流子的分离,有效解决氮化碳的缺陷。但是制备的异质结材料仍然存在表面积小,分布不均匀等问题,因此,亟需专利技术一种新型半导体材料解决这些问题。传统半导体SnO2(Eg=3.53eV),因其具有特殊的光学性质,成功的替代了TiO2和ZnO,并且SnO2与g-C3N4复合形成的异质结具有高的电荷转移率,大的表面积,并且适当的掺杂有利于提高SnO2的光催化活性。研本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种除醛抗菌异质结光催化剂的制备方法是将Fe掺杂SnO

【技术特征摘要】
1.一种除醛抗菌异质结光催化剂的制备方法是将Fe掺杂SnO2修饰g-C3N4,形成多孔层状异质结纳米材料,其特征在于包括以下步骤:
(1)将SnCl2·2H2O和FeCl3·6H2O分散在水中,搅拌均匀后加入氨水调节PH=8,继续搅拌2h,然后用去离子水和无水乙醇各洗涤多次除去溶液中的Cl-和NH4+,放入80℃烘箱中干燥过夜,球磨至粉状后置于坩埚中,最后放入马弗炉中煅烧即得到Fe掺杂SnO2(Fe-SnO2)。
(2)将尿素置于50mL坩埚中,并加入甘油1mL和乙醇3mL,混合均匀后,放入马弗炉中煅烧得到多孔层状g-C3N4(CN);
(3)将水和无水乙醇按一定比例混合,搅拌形成澄清溶液,称取一定量的Fe-SnO2和CN于混合溶液中,搅拌2h,超声30min得到奶白色悬浮液,然后放入80℃烘箱中干燥,球磨成粉状后放入马弗炉中烘焙即得到Fe掺杂SnO2/g-C3N4(Fe-SCN)。


2.根据权利要求1所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨春王青陈欣魏琳钰刘元圆
申请(专利权)人:四川师范大学
类型:发明
国别省市:四川;51

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