闪存的数据整理方法、控制电路单元与存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种闪存的数据整理方法、闪存控制电路单元与闪存存储装置，本方法可应用于立体(3D)结构的闪存、嵌入式存储器装置或固态硬盘，包括：将至少一数据写入至至少一第一实体抹除单元中的至少一第二实体抹除单元，并获得多个实体抹除单元中的有效数据的一分布状态；根据所述分布状态调整一特定门坎值；以及当所述第一实体抹除单元的数量小于所述特定门坎值时，执行一有效数据合并操作。

Data arrangement method, control circuit unit and storage device of flash memory

【技术实现步骤摘要】
闪存的数据整理方法、控制电路单元与存储装置
本专利技术涉及一种闪存的数据整理方法、闪存控制电路单元与闪存存储装置。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，闪存)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。一般来说，可复写式非易失性存储器模块具有多个实体抹除单元，并且存储器管理电路会逻辑地分割为多个区域。此些区域中通常会包括数据区与闲置区。当从主机系统接收到写入指令与欲写入的数据时，存储器管理电路会从闲置区中提取实体抹除单元，并且将数据写入至所提取的实体抹除单元中，以替换数据区的实体抹除单元。当可复写式非易失性存储器模块的闲置区中闲置的实体抹除单元的个数为非大于一特定门坎值时，存储器管理电路会执行一有效数据合并操作。例如，存储器管理电路会从数据区中挑选有效数据最少的多个实体抹除单元(亦称为，来源实体抹除单元)，并从此些来源实体抹除单元中复制有效数据至闲置区中的至少一实体抹本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存的数据整理方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块具有多个实体抹除单元，所述可复写式非易失性存储器模块包括闲置区，所述多个实体抹除单元中的至少一第一实体抹除单元被关联至所述闲置区，所述方法包括：/n将至少一数据写入至所述第一实体抹除单元中的至少一第二实体抹除单元；/n获得所述多个实体抹除单元中的有效数据的分布状态；/n根据所述分布状态调整特定门坎值；以及/n当所述第一实体抹除单元的数量小于所述特定门坎值时，执行有效数据合并操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪存的数据整理方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块具有多个实体抹除单元，所述可复写式非易失性存储器模块包括闲置区，所述多个实体抹除单元中的至少一第一实体抹除单元被关联至所述闲置区，所述方法包括：
将至少一数据写入至所述第一实体抹除单元中的至少一第二实体抹除单元；
获得所述多个实体抹除单元中的有效数据的分布状态；
根据所述分布状态调整特定门坎值；以及
当所述第一实体抹除单元的数量小于所述特定门坎值时，执行有效数据合并操作。


2.根据权利要求1所述的闪存的数据整理方法，其特征在于，获得所述多个实体抹除单元中的有效数据的所述分布状态的步骤包括：
获得所述数据的数据量；
获得所述多个实体抹除单元中的至少一第三实体抹除单元的数量，其中将所述数据写入至所述第二实体抹除单元后改变每一所述第三实体抹除单元的有效数据量。


3.根据权利要求2所述的闪存的数据整理方法，其特征在于，根据所述分布状态调整所述特定门坎值的步骤包括：
根据所述数据量以及所述第三实体抹除单元的数量调整所述特定门坎值。


4.根据权利要求3所述的闪存的数据整理方法，其特征在于，根据所述数据量以及所述第三实体抹除单元的数量调整所述特定门坎值的步骤包括：
获得第一数值，其中所述第一数值为将所述数据量除以所述第三实体抹除单元的数量的商；
若所述第三实体抹除单元的数量不大于第一门坎值且所述第一数值介于第一范围内时，调低所述特定门坎值。


5.根据权利要求4所述的闪存的数据整理方法，其特征在于，根据所述数据量以及所述第三实体抹除单元的数量调整所述特定门坎值的步骤还包括：
若所述第三实体抹除单元的数量大于第二门坎值时，调高所述特定门坎值。


6.根据权利要求5所述的闪存的数据整理方法，其特征在于，所述第一门坎值为所述第一实体抹除单元的数量的百分之十且所述第二门坎值为所述第一实体抹除单元的数量的百分之三十。


7.根据权利要求1所述的闪存的数据整理方法，其特征在于，仅当所述数据的数据量等于特定数据量时，执行获得所述多个实体抹除单元中的有效数据的所述分布状态的步骤。


8.一种闪存控制电路单元，用于控制可复写式非易失性存储器模块，所述存储器控制电路单元包括：
主机接口，用以电性连接至主机系统；
存储器接口，用以电性连接至所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块具有多个实体抹除单元，所述可复写式非易失性存储器模块包括闲置区，所述多个实体抹除单元中的至少一第一实体抹除单元被关联至所述闲置区；
存储器管理电路，电性连接至所述主机接口以及所述存储器接口，
其中所述存储器管理电路用以将至少一数据写入至所述第一实体抹除单元中的至少一第二实体抹除单元，
其中所述存储器管理电路更用以获得所述多个实体抹除单元中的有效数据的分布状态，
其中所述存储器管理电路更用以根据所述分布状态调整特定门坎值，
当所述第一实体抹除单元的数量小于所述特定门坎值时，所述存储器管理电路更用以执行有效数据合并操作。


9.根据权利要求8所述的闪存控制电路单元，其特征在于，在获得所述多个实体抹除单元中的有效数据的所述分布状态的运作中，
所述存储器管理电路更用以获得所述数据的数据量，
所述存储器管理电路更用以获得所述多个实体抹除单元中的至少第三实体抹除单元的数量，其中将所述数据写入至所述第二实体抹除单元后改变每一所述第三实体抹除单元的有效数据量。


10.根据权利要求9所述的闪存控制电路单元，其特征在于，在根据所述分布状态调整所述特定门坎值的运作中，
所述存储器管理电路更用以根据所述数据量以及所述第三实体抹除单元的数量调整所述特定门坎值。


11.根据权利要求10...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭崇，
申请(专利权)人：合肥兆芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34