一种判断闪存的操作接口模式的方法和装置以及设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种判断闪存的操作接口模式的方法和装置以及设备。其中，所述方法包括：对存储设备的存储主控进行上电，和在对该存储设备的存储主控进行上电后，对该存储设备的闪存进行物理读操作，和根据该进行的物理读操作，检测该存储设备的双向数据控制引脚是否反转得到检测结果，和根据该检测结果，判断该存储设备的闪存当前的操作接口模式，以及根据该判断出的操作接口模式，从该存储设备的闪存中读出运行代码。通过上述方式，能够实现无需在存储设备的存储主控上外加外部引脚就能判断存储设备的闪存当前的操作接口模式，能够实现存储设备能够节省该外部引脚的成本，同时又不会增加存储设备的主控芯片的面积。

A method, device and device for judging the operation interface mode of flash memory

【技术实现步骤摘要】
一种判断闪存的操作接口模式的方法和装置以及设备
本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种判断闪存的操作接口模式的方法和装置以及设备。
技术介绍
在SD(SecureDigitalMemoryCard，安全数码卡)卡和闪存盘等存储设备上都是由存储主控和NANDFLASH(闪存)组成。由于NANDFLASH的操作接口模式可以分为SDR(SingleDataRate，单数据速率)模式和DDR(DoubleDataRate，双数据速率)模式，不同的NANDFLASH在上电初始化后，会处在其中一种操作接口模式中。存储主控在上电后，需要识别出NANDFLASH是SDR模式还是DDR模式，才能对NANDFLASH进行读写操作。由于存储主控需要在上电后从NANDFLASH上读出Code(代码)并执行。在读出该代码前，存储主控需要判断当前NANDFALSH的操作接口模式为SDR模式或DDR模式。现有的判断闪存的操作接口模式的方案，一般是通过在存储主控上外加一个外部引脚来判断NANDFALSH当前的操作接口模式是SDR模式还是DDR模式，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种判断闪存的操作接口模式的方法，其特征在于，包括：/n对存储设备的存储主控进行上电；/n在对所述存储设备的存储主控进行上电后，对所述存储设备的闪存进行物理读操作；/n根据所述进行的物理读操作，检测所述存储设备的双向数据控制引脚是否反转得到检测结果；/n根据所述检测结果，判断所述存储设备的闪存当前的操作接口模式；/n根据所述判断出的操作接口模式，从所述存储设备的闪存中读出运行代码。/n

【技术特征摘要】
1.一种判断闪存的操作接口模式的方法，其特征在于，包括：
对存储设备的存储主控进行上电；
在对所述存储设备的存储主控进行上电后，对所述存储设备的闪存进行物理读操作；
根据所述进行的物理读操作，检测所述存储设备的双向数据控制引脚是否反转得到检测结果；
根据所述检测结果，判断所述存储设备的闪存当前的操作接口模式；
根据所述判断出的操作接口模式，从所述存储设备的闪存中读出运行代码。


2.如权利要求1所述的判断闪存的操作接口模式的方法，其特征在于，所述根据所述进行的物理读操作，检测所述存储设备的双向数据控制引脚是否反转得到检测结果，包括：
根据所述进行的物理读操作，检测所述存储设备的双向数据控制引脚是否反转，在检测出所述存储设备的双向数据控制引脚是反转时，得出引脚反转的检测结果，在检测出所述存储设备的双向数据控制引脚是不反转时，得出引脚不反转的检测结果。


3.如权利要求1所述的判断闪存的操作接口模式的方法，其特征在于，所述根据所述检测结果，判断所述存储设备的闪存当前的操作接口模式，包括：
根据所述检测结果，在所述检测结果是引脚反转时，判断所述存储设备的闪存当前的操作接口模式是双数据速率模式，在所述检测结果是引脚不反转时，判断所述存储设备的闪存当前的操作接口模式是单数据速率模式。


4.如权利要求1所述的判断闪存的操作接口模式的方法，其特征在于，在所述根据所述判断出的操作接口模式，从所述存储设备的闪存中读出运行代码之后，还包括：
执行所述读取的运行代码。


5.一种判断闪存的操作接口模式的装置，其特征在于，包括：
上电模块、物理读操作模块、检测模块、判断模块和读出模块；
所述上电模块，用于对存储设备的存储主控进行上电；
所述物理读操作模块，用于在对所述存储设备的存储主控进行上电后，对所述存储设备的闪存...

【专利技术属性】
技术研发人员：李虎，梁永权，
申请(专利权)人：深圳市德名利电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44