硬掩膜组合物和硬掩膜及形成图案的方法技术

本发明专利技术属于光刻领域，公开了一种硬掩膜组合物和硬掩膜及形成图案的方法。所述硬掩膜组合物含有聚合物以及溶剂，所述聚合物具有化学式1所示的结构，其中，R

Hard mask composition and hard mask and method of forming pattern

【技术实现步骤摘要】
硬掩膜组合物和硬掩膜及形成图案的方法
本专利技术属于光刻领域，具体涉及一种硬掩膜组合物和硬掩膜及形成图案的方法。技术背景近年来，半导体工业已开发具有数纳米至数十纳米尺寸图案的超精细技术。为实现如此精细化的图案，一方面光刻用光源的波长向短波化方向发展，例如由先前广泛使用的水银灯的g-line(436nm)、i-line(365nm)，向KrF受激准分子激光器(248nm)、ArF受激准分子激光器(193nm)发展；另一方面，为了防止精细化的光致抗蚀剂图案溃散，光致抗蚀剂膜的厚度在逐渐减薄。然而，减薄的光致抗蚀剂图案难以提供足够耐刻蚀性来刻蚀材料层，因此需要在光致抗蚀剂与材料层之间引入耐刻蚀强的无机物膜或有机物膜，该膜称为抗蚀下层膜或硬掩膜。作为硬掩膜的无机物通常有氮化硅、氮氧化硅、多晶硅、氮化硅、无定型碳等，通常需要通过化学气相沉积(CVD)法制备，具有耐刻蚀性优良的特点，但同时也存在颗粒问题和设备费用投入高昂等问题。作为解决这些问题的方法，近年来提出了采用旋涂的有机物硬掩膜替代上述化学气相沉积的无机硬掩膜。为了获得上述有机物硬掩膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硬掩膜组合物，其特征在于，所述硬掩膜组合物含有聚合物以及溶剂，所述聚合物具有化学式1所示的结构：/n化学式1/n

【技术特征摘要】
1.一种硬掩膜组合物，其特征在于，所述硬掩膜组合物含有聚合物以及溶剂，所述聚合物具有化学式1所示的结构：
化学式1



其中，R1和R2各自独立地表示被至少一个氧原子间隔开的碳原子数为2～15的取代或非取代烷基或含有羰基的基团；R3表示碳原子数为1～5的取代或非取代烷基或者碳原子数为6～50的直链或支链芳基；n为1～500的整数。


2.根据权利要求1所述的硬掩膜组合物，其特征在于，所述聚合物具有化学式1-1或化学式1-2所示的结构：
化学式1-1



化学式1-2



其中，R1表示被至少一个氧原子间隔开的碳原子数为2～12的取代或非取代烷基或含有羰基的基团；Ar1表示氢原子或碳原子数为6～30的直链或支链芳基；Ar2为碳原子数为6～30的直链或支链芳基；n为1～500的整数。


3.根据权利要求2所述的硬掩膜组合物，其特征在于，R1具有化学式2、化学式3或化学式4所示的结构：
化学式2



化学式3



化学式4



其中，p、q、t和k均为正整数，且1≤p≤9，2≤q×t+k≤12，﹡为连接点。


4.根据权利要求1～3中任意一项所述的硬掩膜组合物，其特征在于，所述硬掩膜组合物还含有交联剂、催化剂、表面活性剂和增塑剂中的至少一种。


5.根据权利要求4所述的硬掩膜组合物，其特征在于，以所述硬...

【专利技术属性】
技术研发人员：王静，肖楠，宋里千，
申请(专利权)人：厦门恒坤新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35