本发明专利技术公开了一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法，包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片(1)的表面制作掩埋条形离子掺杂区(8)；第二个环节是将玻璃基片(1)竖直放置在有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散。这种方法的特征在于：将表面以下制作有掩埋条形离子掺杂区(8)的玻璃基片(1)竖直放置在水平有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散，利用玻璃基片(1)内沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向的温度梯度，使玻璃基片(1)中沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向产生掺杂离子扩散速率的梯度，增大玻璃基片(1)表面以下的掩埋条形离子掺杂区(8)在贴近有槽热板(5)一端的横截面尺寸，将掩埋条形离子掺杂区(8)变成掩埋锥形离子掺杂区(9)。这种掩埋锥形离子掺杂区(9)的横截面的尺寸在两个轴向上的一致性得到改善，因而模斑转换器与光纤芯部横截面的形状与尺寸的匹配程度改善，器件插入损耗降低。
A method of fabricating glass-based embedded mode spot converter by temperature gradient ion diffusion of hot plate with slot
【技术实现步骤摘要】
一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法
本专利技术涉及光器件、集成光学领域，具体涉及一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法。
技术介绍
1969年，S.E.Miller提出了集成光学的概念，其基本思想是在同一块衬底(或基片)的表面制作光波导，并以此为基础实现光源、耦合器、滤波器等各种器件的集成化制作。通过这种集成化，实现光学系统的小型化、轻量化、稳定化，提高器件性能。采用离子交换技术在玻璃基片(1)上制作的集成光器件一直受到企业界和研究者们的重视。基于离子交换技术的玻璃基集成光波导器件具有一些优异的性质，包括：传输损耗低，易于掺杂高浓度的稀土离子，与光纤的光学特性匹配，耦合损耗小，环境稳定性好，易于集成，成本低廉等。1972年，第一篇关于离子交换制作光波导的论文发表，标志着玻璃基集成光学器件研究的起步。自那时起，各国研究机构投入大量的人力和财力进行玻璃基集成光器件的开发。截至目前，一些玻璃基片(1)上的集成光学器件已经实现规模化生产与系列化，成功地用于光通信、光互连和光传感网络，并显示出巨大的竞争力。模斑转换器在集成光路中用于实现光波导模斑尺寸的变化，常用于芯径不同的光波导之间的模斑尺寸的匹配，减小因芯径失配产生的插入损耗，在集成光路中具有重要的应用价值。现有的基于离子交换技术在玻璃基片(1)上制作的掩埋波导模斑转换器结构如图1所示，在玻璃基片(1)内的表面以下具有掩埋楔形离子掺杂区(7)，利用掩埋楔形离子掺杂区(7)的横截面尺寸变化实现模斑转换。这种模斑转换器的制作过程如图2所示，主要包括四个步骤：第一步是光刻，在玻璃基片(1)的表面淀积光波导所用的掩膜(2)，并通过光刻和腐蚀去除玻璃基片(1)上的部分掩膜(2)，形成楔形镂空结构，作为楔形的离子交换窗口；第二步是离子交换，将带有掩膜(2)的玻璃基片(1)置于高温下的含掺杂离子的熔盐中进行离子交换，含掺杂离子的熔盐中的掺杂离子通过掩膜(2)形成的离子交换窗口与玻璃基片(1)中的Na+进行交换，掺杂离子进入玻璃基片(1)表面并扩散形成表面楔形离子掺杂区(3)。第三步是去除掩膜(2)，采用化学腐蚀的方法去除玻璃基片(1)表面的掩膜(2)。第四步是电场辅助离子迁移，将玻璃基片(1)两侧分别碳酸钠熔盐作电极，在玻璃基片(1)两侧施加直流电压，在直流电场作用下，表面楔形离子掺杂区(3)迁移进入玻璃基片(1)的表面以下，表面楔形离子掺杂区(3)变成掩埋楔形离子掺杂区(7)，获得形成模斑转换器芯片。由于掩膜(2)在玻璃基片(1)的表面形成的离子交换窗口呈现楔形，所以玻璃基片(1)表面以下的掩埋楔形离子掺杂区(7)的宽度也呈现与离子交换窗口一致的形状，在玻璃基片(1)的平面内呈现楔形分布特征：在离子交换窗口宽度小的部位掩埋楔形离子掺杂区(7)宽度小，而在离子交换窗口宽度大的部位掩埋楔形离子掺杂区(7)宽度大。然而，目前这种模斑转换器的性能不能满足许多重要的应用场合。根据如前所述，现有方法制作的模斑转换器可以实现模斑尺寸在玻璃基片(1)平面方向的模斑尺寸的变换。但是，玻璃基片(1)表面具有不同宽度的离子交换窗口的情况下，掩埋楔形离子掺杂区(7)的厚度变化不大，也就是说在垂直于玻璃基片(1)平面的方向，光波导的模斑尺寸几乎没有变化。因此，由于这种模斑转换器的波导横截面的形状在两个轴向上存在较大差异，这种模斑转换器在集成光器件中的应用受到限制，譬如，用于实现单模光纤和多模光纤之间耦合时，这种器件的插入损耗在6.5dB以上。
技术实现思路
为了解决
技术介绍
中存在的问题，本专利技术提供了一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法，这种方法通过将玻璃基离子交换掩埋式条形光波导竖直放置在水平有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散的方法实现掩埋式波导模斑转换器的制作。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片(1)的表面制作掩埋条形离子掺杂区(8)；第二个环节是将玻璃基片(1)竖直放置在水平有槽热板(5)上进行梯度温度离子扩散。这种方法的特征在于：将表面以下制作有掩埋条形离子掺杂区(8)的玻璃基片(1)竖直放置在水平有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散，利用玻璃基片(1)内沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向的温度梯度，使玻璃基片(1)中沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向产生掺杂离子扩散速率的梯度，增大玻璃基片(1)表面的掩埋条形离子掺杂区(8)在贴近有槽热板(5)一端的横截面尺寸，将掩埋条形离子掺杂区(8)变成掩埋锥形离子掺杂区(9)。第一个环节是离子交换法制作掩埋条形离子掺杂区(8)，过程如图3所示。在玻璃基片(1)的表面制作掩埋条形离子掺杂区(8)分四步进行：第一步光刻，首先在玻璃基片(1)的表面淀积掩膜(2)，并通过光刻和腐蚀工艺去除玻璃基片(1)表面的部分掩膜(2)，形成条形镂空结构，作为条形的离子交换窗口；第二步是离子交换在玻璃基片(1)的表面形成表面条形离子掺杂区(4)，将带有离子交换窗口的玻璃基片(1)置于高温下的含掺杂离子的熔盐中进行离子交换，含掺杂离子的熔盐中的掺杂离子通过玻璃基片(1)表面的掩膜(2)形成的离子交换窗口与玻璃基片(1)中的Na+进行交换，掺杂离子进入玻璃基片(1)表面并在玻璃基片(1)表面层扩散形成表面条形离子掺杂区(4)。第三步是去除掩膜(2)，采用化学腐蚀的方法去除玻璃基片(1)表面的掩膜(2)。第四步是电场辅助离子迁移，将玻璃基片(1)两侧分别碳酸钠熔盐作电极，在玻璃基片(1)两侧施加直流电压，在直流电场作用下，表面条形离子掺杂区(4)迁移进入玻璃基片(1)的表面以下，表面条形离子掺杂区(4)变成掩埋条形离子掺杂区(8)。第二个环节是对玻璃基片(1)进行梯度温度离子扩散，过程如图4所示。图中表示了用梯度温度离子扩散方法将离子交换后玻璃基片(1)表面形成的掩埋条形离子掺杂区(8)制成掩埋锥形离子掺杂区(9)。有槽热板(5)水平放置，将有槽热板(5)加热至扩散温度并保持温度恒定，玻璃基片(1)竖直放置在有槽热板(5)上的凹槽内，玻璃基片(1)中的掩埋条形离子掺杂区(8)垂直于有槽热板(5)平面方向。由于玻璃基片(1)的下端与有槽热板(5)相接触，温度较高，而玻璃基片(1)的上端位于空气中，温度较低，沿掩埋条形离子掺杂区(8)的长度方向形成温度梯度。由于玻璃中掺杂离子的扩散速度随温度升高而增大，因此沿掩埋条形离子掺杂区(8)的长度方向会产生掺杂离子扩散系数的梯度：玻璃基片(1)的下端的离子掺杂区的深度和宽度增大的幅度大，而玻璃基片(1)的上端的离子掺杂区的深度和宽度增大的幅度小，在玻璃基片(1)的上端和下端之间形成离子掺杂区横截面尺寸的梯度。梯度温度离子扩散完成后，玻璃基片(1)表面的掩埋条形离子掺杂区(8)变成掩埋锥形离子掺杂区(9)，其结构如图5所示。实际器件制过程中，需要对多片玻璃基片(1)进行梯度温度离子扩散，可以用图6所示的有槽热板(5)实现同时对多片玻璃基片(1)的处理。在梯度温度离子本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法，包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片(1)的表面制作掩埋条形离子掺杂区(8)；第二个环节是将玻璃基片(1)竖直放置在有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散。这种方法的特征在于：将表面以下制作有掩埋条形离子掺杂区(8)的玻璃基片(1)竖直放置在水平有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散，利用玻璃基片(1)内沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向的温度梯度，使玻璃基片(1)中沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向产生掺杂离子扩散速率的梯度，增大玻璃基片(1)表面以下的掩埋条形离子掺杂区(8)在贴近有槽热板(5)一端的横截面尺寸，将掩埋条形离子掺杂区(8)变成掩埋锥形离子掺杂区(9)。/n
【技术特征摘要】
1.一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法，包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片(1)的表面制作掩埋条形离子掺杂区(8)；第二个环节是将玻璃基片(1)竖直放置在有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散。这种方法的特征在于：将表面以下制作有掩埋条形离子掺杂区(8)的玻璃基片(1)竖直放置在水平有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散，利用玻璃基片(1)内沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向的温度梯度，使玻璃基片(1)中沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向产生掺杂离子扩散速率的梯度，增大玻璃基片(1)表面以下的掩埋条形离子掺杂区(8)在贴近有槽热板(5)一端的横截面尺寸，将掩埋条形...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝寅雷，邓鑫宸，蒋建光，牛梦华，周柯江，车录锋，
申请(专利权)人：浙江大学深圳研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44
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