一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法技术

本发明专利技术公开了一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法，包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片(1)的表面制作掩埋条形离子掺杂区(8)；第二个环节是将玻璃基片(1)竖直放置在有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散。这种方法的特征在于：将表面以下制作有掩埋条形离子掺杂区(8)的玻璃基片(1)竖直放置在水平有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散，利用玻璃基片(1)内沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向的温度梯度，使玻璃基片(1)中沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向产生掺杂离子扩散速率的梯度，增大玻璃基片(1)表面以下的掩埋条形离子掺杂区(8)在贴近有槽热板(5)一端的横截面尺寸，将掩埋条形离子掺杂区(8)变成掩埋锥形离子掺杂区(9)。这种掩埋锥形离子掺杂区(9)的横截面的尺寸在两个轴向上的一致性得到改善，因而模斑转换器与光纤芯部横截面的形状与尺寸的匹配程度改善，器件插入损耗降低。

A method of fabricating glass-based embedded mode spot converter by temperature gradient ion diffusion of hot plate with slot

【技术实现步骤摘要】
一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法
本专利技术涉及光器件、集成光学领域，具体涉及一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法。
技术介绍
1969年，S.E.Miller提出了集成光学的概念，其基本思想是在同一块衬底(或基片)的表面制作光波导，并以此为基础实现光源、耦合器、滤波器等各种器件的集成化制作。通过这种集成化，实现光学系统的小型化、轻量化、稳定化，提高器件性能。采用离子交换技术在玻璃基片(1)上制作的集成光器件一直受到企业界和研究者们的重视。基于离子交换技术的玻璃基集成光波导器件具有一些优异的性质，包括：传输损耗低，易于掺杂高浓度的稀土离子，与光纤的光学特性匹配，耦合损耗小，环境稳定性好，易于集成，成本低廉等。1972年，第一篇关于离子交换制作光波导的论文发表，标志着玻璃基集成光学器件研究的起步。自那时起，各国研究机构投入大量的人力和财力进行玻璃基集成光器件的开发。截至目前，一些玻璃基片(1)上的集成光学器件已经实现规模化生产与系列化，成功地用于光通信、光互连和光传感网络，并显示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法，包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片(1)的表面制作掩埋条形离子掺杂区(8)；第二个环节是将玻璃基片(1)竖直放置在有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散。这种方法的特征在于：将表面以下制作有掩埋条形离子掺杂区(8)的玻璃基片(1)竖直放置在水平有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散，利用玻璃基片(1)内沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向的温度梯度，使玻璃基片(1)中沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向产生掺杂离子扩散速率的梯度，增大玻璃基片(1)表面以下的掩埋条形离子掺杂区(8)在贴近有槽热板(5)一端的横...

【技术特征摘要】
1.一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法，包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片(1)的表面制作掩埋条形离子掺杂区(8)；第二个环节是将玻璃基片(1)竖直放置在有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散。这种方法的特征在于：将表面以下制作有掩埋条形离子掺杂区(8)的玻璃基片(1)竖直放置在水平有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散，利用玻璃基片(1)内沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向的温度梯度，使玻璃基片(1)中沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向产生掺杂离子扩散速率的梯度，增大玻璃基片(1)表面以下的掩埋条形离子掺杂区(8)在贴近有槽热板(5)一端的横截面尺寸，将掩埋条形...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝寅雷，邓鑫宸，蒋建光，牛梦华，周柯江，车录锋，
申请(专利权)人：浙江大学深圳研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44