功率管测试夹具及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体射频电路技术领域，涉及一种功率管测试夹具及其制备方法，包括：基座、电路板和至少两个接头，基座的顶层的中间部位设有凹槽；电路板的每一侧均包括阻抗变换线、L型微带线、隔直元件、偏置元件、退耦元件和带有通孔的微带线；在阻抗变换线上安装与阻抗变换线的第一端口间隔预设距离的隔直元件，阻抗变换线的第二端口通过偏置元件与L型微带线连接，L型微带线通过退耦元件与带有通孔的微带线连接；至少两个接头分别固定在基座的顶层的两侧，其引线与对应侧的阻抗变换线的第一端口连接。本发明专利技术可以在基频以及谐波处完成精确的负载牵引测试，测试的阻抗参数精度高，有利于优化功率放大器电路的设计，充分发挥功率管的性能。

Power tube test fixture and its preparation

【技术实现步骤摘要】
功率管测试夹具及其制备方法
本专利技术属于半导体射频电路
，更具体地说，是涉及一种功率管测试夹具及其制备方法。
技术介绍
为了满足5G通信高速信号传输，通信系统中的核心部件-功率放大器必须满足越来越高的要求。氮化镓(GaN)半导体功率管具有宽带隙、高电子漂移速度、耐高电压、耐高温、抗辐照等特性，且其电子饱和漂移速度为2.5×107cm/s，是Si的2倍，结电容较小，因此氮化镓半导体比硅横向扩散金属氧化物半导体(SiLDMOS)和砷化镓(GaAs)半导体更适合于5G通信功率放大器应用。目前通信基站中，大功率功率管的测试方法基本都是基于机械调谐器的负载牵引测试，但是这种测试方法测出的功率管的最佳匹配阻抗准确度低，影响功率放大器的匹配准确性，导致功率放大器的性能下降。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种功率管测试夹具及其制备方法，以解决现有技术中的功率管测试方法测出的最佳匹配阻抗准确度低，影响功率放大器的匹配准确性，导致功率放大器的性能下降的问题。本专利技术实施例的第一方面提供了一种功率管测试本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率管测试夹具，包括基座、电路板和至少两个接头，其特征在于，所述基座的顶层的中间部位设有凹槽，所述凹槽放置待测试功率管；所述电路板固定在所述基座的顶层，所述凹槽对应的位置无电路板，所述电路板的两侧基于所述凹槽对称；/n所述电路板的每一侧均包括：阻抗变换线、L型微带线、隔直元件、偏置元件、退耦元件和带有通孔的微带线；在所述阻抗变换线上安装与所述阻抗变换线的第一端口间隔预设距离的所述隔直元件，所述阻抗变换线的第二端口与所述待测试功率管连接，所述阻抗变换线的第二端口还通过所述偏置元件与所述L型微带线连接，所述L型微带线还通过所述退耦元件与所述带有通孔的微带线连接，其中所述第一端口的线宽小于所...

【技术特征摘要】
1.一种功率管测试夹具，包括基座、电路板和至少两个接头，其特征在于，所述基座的顶层的中间部位设有凹槽，所述凹槽放置待测试功率管；所述电路板固定在所述基座的顶层，所述凹槽对应的位置无电路板，所述电路板的两侧基于所述凹槽对称；
所述电路板的每一侧均包括：阻抗变换线、L型微带线、隔直元件、偏置元件、退耦元件和带有通孔的微带线；在所述阻抗变换线上安装与所述阻抗变换线的第一端口间隔预设距离的所述隔直元件，所述阻抗变换线的第二端口与所述待测试功率管连接，所述阻抗变换线的第二端口还通过所述偏置元件与所述L型微带线连接，所述L型微带线还通过所述退耦元件与所述带有通孔的微带线连接，其中所述第一端口的线宽小于所述第二端口的线宽，所述第一端口的阻抗大于所述第二端口的阻抗；
所述至少两个接头分别固定在所述基座的顶层的两侧，每个所述接头的引线与对应侧的所述阻抗变换线的第一端口连接。


2.如权利要求1所述的功率管测试夹具，其特征在于，所述阻抗变换线为Klopfenstein渐变线。


3.如权利要求1所述的功率管测试夹具，其特征在于，所述至少两个接头均为SMA接头。


4.如权利要求1所述的功率管测试夹具，其特征在于，所述隔直元件为容值范围为3～10pF的隔直电容。


5.如权利要求1所述的功率管测试夹具，其特征在于，所述偏置元件为电感值范围为10～15nH的偏置电感。


6.如权利要求1所述的功率管测试夹具，其特征在于，所述退耦元件为容值为10pF的退耦电容、容值为1000pF的退耦电容和容值为10μF的退耦电容中至少一种退耦电容。


7.如权利要求1至6任一项所述的功率管测试夹具，其特征在于，所述电路板的每一侧均还包括：过渡微带线；
所述过渡微带线的第一端与所述阻抗变换线的第二端口连接，所述过渡微带线的第二端与所述待测试功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊敏，吴磊，王天，李通，蔡道民，董毅敏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13