一种离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法技术

技术编号:24395399 阅读:59 留言:0更新日期:2020-06-06 03:30
本发明专利技术公开了一种离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法。包括以下步骤:(1)将一定浓度的钼源和硫源的水溶液分别加入到两份配好的乳化溶液中,乳化形成反相微乳液A和B,将反相微乳液A和B混合得到反相微乳液C,将C进行微乳热处理后分离、洗涤、干燥得到纳米二硫化钼;(2)将步骤(1)制备的纳米二硫化钼分散在离子液体水溶液中,在15~80℃下进行离子交换2~72h,将获得的产物分离、洗涤、干燥,得到离子液体插层的纳米二硫化钼。本发明专利技术合成方法具有该制备过程条件温和、操作过程简单安全、无需后续杂质处理,所制备的离子液体插层的纳米二硫化钼具有1.0~4.0nm的层间距、高分散性和5~30nm的颗粒尺寸,具有最极高的边位活性位暴露率。

Preparation method of nano molybdenum disulfide intercalated by ionic liquid

【技术实现步骤摘要】
一种离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法
本专利技术涉及一种离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法,特别涉及一种在反相离子液体微乳液体系中微乳热合成的纳米二硫化钼进行离子交换制备离子液体插层的纳米二硫化钼方法。
技术介绍
二硫化钼具有类石墨烯的层状结构。单层的二硫化钼可以看作是一个钼原子层夹在两层硫原子层中间形成的类“三明治”结构。S-Mo-S单层中,每个钼原子与六个硫原子成共价键,呈“三棱柱”状或“八面体”状。层与层之间通过较弱的范德华力连接,形成多层堆积的结构,层与层直接的间距为0.62nm,层内通过较强的化学键相连接。插层结构的二硫化钼具有层间距较大、堆积层数少、缺陷位数量多等特点,这些特点均有助于增加二硫化钼纳米片活性位的暴露,进而提高其在油品催化加氢、电化学催化等过程中的反应活性。插层是利用二硫化钼层状结构的特性,将客体物质插入到二硫化钼层间而不引起层内化学键的断裂。目前,关于插层结构二维二硫化钼纳米片的合成已有报道,如通过水热溶剂热等方法制备金属离子、有机大分子、O原子(P原子或NH4+)等杂原子插入的硫化钼材料。CN本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n(1)将可溶性的钼源和生物硫源分别溶于水中,将钼源和硫源的水溶液分别加入到两份配好的乳化溶液中,分别乳化形成反相微乳液A和B,将反相微乳液A和B混合得到反相微乳液C,将C进行微乳热处理后分离、洗涤、干燥得到纳米二硫化钼;/n(2)将步骤(1)制备的纳米二硫化钼分散在离子液体水溶液中,在15~80℃下进行离子交换2~72h,将获得的产物分离、洗涤、干燥,得到离子液体插层的纳米二硫化钼。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将可溶性的钼源和生物硫源分别溶于水中,将钼源和硫源的水溶液分别加入到两份配好的乳化溶液中,分别乳化形成反相微乳液A和B,将反相微乳液A和B混合得到反相微乳液C,将C进行微乳热处理后分离、洗涤、干燥得到纳米二硫化钼;
(2)将步骤(1)制备的纳米二硫化钼分散在离子液体水溶液中,在15~80℃下进行离子交换2~72h,将获得的产物分离、洗涤、干燥,得到离子液体插层的纳米二硫化钼。


2.根据权利要求1所述的离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法,其特征在于步骤(1)所述的微乳热过程采用的可溶性钼源为七钼酸铵、钼酸铵、钼酸钠、磷钼酸中的一种或两种以上,配制的钼源水溶液中钼浓度为0.05~0.50mol/L。


3.根据权利要求1所述的离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法,其特征在于步骤(1)所述的微乳热过程采用的硫源为生物硫源L-半胱氨酸、谷胱甘肽中的一种或二者的混合物,配制的硫源水溶液浓度为0.20~2.00mol/L。


4.根据权利要求1所述的离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法,其特征在于步骤(1)所述的乳化溶液为聚乙二醇辛基苯基醚(TritonX-100):正戊醇:环己烷按照质量比为(1~5):1:(1~50)配制。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:王冬娥田志坚潘振栋李鹏王琳韩健强王从新
申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
类型:发明
国别省市:辽宁;21

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