【技术实现步骤摘要】
一种正硅酸乙酯的纯化装置
本技术涉及正硅酸乙酯加工
，特别涉及一种正硅酸乙酯的纯化装置。
技术介绍
正硅酸乙酯是半导体加工中重要的工艺气体，正硅酸乙酯在一定的工艺条件下在硅片表面沉积形成二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到50à/min，薄膜的厚度均匀性小于3％。正硅酸乙酯不仅具有优良的工艺特性，而且在沉积加工过程中也具有较高的安全性，因而正硅酸乙酯沉积工艺已逐步成为沉积二氧化硅薄膜的主流工艺。正硅酸乙酯制备过程中会引入金属杂质，金属杂质会降低正硅酸乙酯的浓度，因而反应后需去除成品中的微量金属杂质、乙醇及其他有机杂质和水分。现有技术通过络合剂络合原料中的金属杂质，再通过亚蒸馏的方式获得浓度较高的正硅酸乙酯。但络合剂容易引入新的金属离子杂质，同时亚沸蒸馏的方式加工难度大、能耗高、效率低，使得产品的生产成本增加，且不能连续生产。因此，如何有效地去除正硅酸乙酯的金属杂质是本领域技术人员急需解决的技术问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种正硅酸乙酯的纯化装置，其设置了吸附器，通过吸...
【技术保护点】
1.一种正硅酸乙酯的纯化装置，其特征在于，包括原料罐(1)和用以吸附原料中的金属离子的吸附器(3)，所述原料罐(1)和所述吸附器(3)间设有输液泵(2)，所述吸附器(3)组下游还连有用以脱除金属离子的精馏塔，所述精馏塔的下游连有成品罐(8)。/n
【技术特征摘要】
1.一种正硅酸乙酯的纯化装置，其特征在于，包括原料罐(1)和用以吸附原料中的金属离子的吸附器(3)，所述原料罐(1)和所述吸附器(3)间设有输液泵(2)，所述吸附器(3)组下游还连有用以脱除金属离子的精馏塔，所述精馏塔的下游连有成品罐(8)。
2.根据权利要求1所述的纯化装置，其特征在于，原料由所述吸附器(3)的下部进入，所述吸附器(3)中具有位于下部的过滤层和位于过滤层上方的吸附剂(34)。
3.根据权利要求2所述的纯化装置，其特征在于，所述过滤层包括位于最下部的孔板(31)，所述孔板(31)上方设有石英棉过滤层(32)，所述石英棉过滤层(32)上方还设有石英砂过滤层(33)。
4.根据权利要求1所述的纯化装置，其特征在于，所述吸附器(3)的数量大于或等于两台，且并联设置。
5.根据权利要求1所述的纯化装置，其特征在于，还包括与所述原料罐(1)顶部相连、用以密封所述原料罐(1)的氮气密封系统，所述氮...
【专利技术属性】
技术研发人员：金向华，李莉，王新喜，孙猛，许军州，
申请(专利权)人：苏州金宏气体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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