新型ISGW过孔簇馈电天线制造技术

本实用新型专利技术公开了新型ISGW过孔簇馈电天线，其包括辐射结构和集成基片间隙波导结构，集成基片间隙波导结构包括用于屏蔽电磁辐射能量的电磁带隙结构、用于传输能量的馈电结构、上层介质板、下层介质板以及设置在上层介质板和下层介质板之间的间隔介质板，辐射结构形成在上层介质板的上表面，馈电结构形成在上层介质板的下表面并具有由至少一个贯穿上层介质板的第一金属过孔组成的金属过孔簇，电磁带隙结构形成在下层介质板上。本实用新型专利技术能够实现宽带宽和高增益的线极化天线和圆极化天线，适用于在射频、微波、毫米波和太赫兹波的应用，可用于射频、微波、毫米波和太赫兹波天线，特别是5G毫米波天线，例如5G毫米波天线。

A new type of through hole cluster feed antenna for isgw

【技术实现步骤摘要】
新型ISGW过孔簇馈电天线
本技术涉及天线
，特别是涉及新型ISGW过孔簇馈电天线。
技术介绍
随着雷达技术和通信技术的广泛发展和应用，低频段的微波技术已经不能适应当前要求，当前对空间传输的各个微波频段开发要求越来越高，因此天线研究者开始开发研究更高频段的空间资源，这不仅要求天线小型化、重量轻、具有良好的隐蔽性和机动性，同时为了满足大容量通信的需求，要求天线具有宽频带、双极化、多频点的特性，贴片天线以其诸多优点使得在通信领域备受青睐。相对于线极化天线，圆极化天线可以提供更优秀的信道性能，圆极化的电磁波在减小信道极化适配、抑制多径干涉等方面具有显著优势。到目前为止，在毫米波段工作的天线已有很多报道。这些天线可大致分为微带天线、金属矩形波导(RectangleWaveguide，RW)天线和基片集成波导(SubstrateIntegratedWaveguide,SIW)天线。但是，面对毫米波段运用，传统的天线存在一些问题，比如纯金属的结构在毫米波段难以制造，馈电网络的屏蔽性不高、结构复杂。近年来，一种称为集成基片间隙波导(Integr本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.新型ISGW过孔簇馈电天线，其特征在于，包括辐射结构和集成基片间隙波导结构，所述集成基片间隙波导结构包括用于屏蔽电磁辐射能量的电磁带隙结构、用于传输能量的馈电结构、上层介质板(1)、下层介质板(3)以及设置在所述上层介质板(1)和下层介质板(3)之间的间隔介质板(2)，所述辐射结构形成在所述上层介质板(1)的上表面，所述馈电结构形成在所述上层介质板(1)的下表面并具有由至少一个贯穿所述上层介质板(1)的第一金属过孔组成的金属过孔簇(15)，所述电磁带隙结构形成在所述下层介质板(3)上。/n

【技术特征摘要】
1.新型ISGW过孔簇馈电天线，其特征在于，包括辐射结构和集成基片间隙波导结构，所述集成基片间隙波导结构包括用于屏蔽电磁辐射能量的电磁带隙结构、用于传输能量的馈电结构、上层介质板(1)、下层介质板(3)以及设置在所述上层介质板(1)和下层介质板(3)之间的间隔介质板(2)，所述辐射结构形成在所述上层介质板(1)的上表面，所述馈电结构形成在所述上层介质板(1)的下表面并具有由至少一个贯穿所述上层介质板(1)的第一金属过孔组成的金属过孔簇(15)，所述电磁带隙结构形成在所述下层介质板(3)上。


2.根据权利要求1所述的新型ISGW过孔簇馈电天线，其特征在于，所述上层介质板(1)的上表面印刷有第一覆铜层(11)，所述辐射结构包括形成在所述第一覆铜层(11)上的缝隙(12)以及形成在所述缝隙(12)中的辐射贴片(13)。


3.根据权利要求2所述的新型ISGW过孔簇馈电天线，其特征在于，所述馈电结构包括设于所述上层介质板(1)的下表面的微带线(14)，所述金属过孔簇(15)分别与所述微带线(14)和辐射贴片(13)相连。


4.根据权利要求3所述的新型ISGW过孔簇馈电天线，其特征在于，所述缝隙(12)为圆形或多边形，所述辐射贴片(13)为圆形或矩形切角后形成的多边形。


5.根据权利要求4所述的新型ISGW过孔簇馈电天线，其特征在于，所述金属过孔簇(15)由一个第一金属过孔组成，所述第一金属过孔位于微带线(14)的端部。


6.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：申东娅，皇甫兵帅，卢丽珠，袁洪，
申请(专利权)人：云南大学，
类型：新型
国别省市：云南;53