一种硅基叠层双面太阳电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种硅基叠层双面太阳电池，包括顶电池和底电池；所述顶电池为非晶硅异质结太阳电池；所述底电池为P型太阳电池；所述底电池背面有钝化膜；所述底电池背面制备有下电极；所述底电池与所述下电极的接触区域有通过选择性区域掺杂形成的P

A silicon-based double-sided stacked solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种硅基叠层双面太阳电池
本技术涉及太阳电池领域，具体涉及一种硅基叠层双面太阳电池。
技术介绍
目前硅基太阳电池是光伏行业的主流产品，随着太阳电池技术不断发展和创新，硅基单太阳电池转换效率已经接近Shockley-Queisser光伏转换效率理论极限；为了满足光伏行业持续降本提效发展趋势，早日实现平价上网目标，需要开发设计新型结构太阳电池。其中叠层太阳电池可以不受Shockley-Queisser转换效率理论极限限制。叠层太阳电池是由两个太阳电池组成，分为顶电池和底电池；顶、底电池具有两种不同禁带宽度的材料可以吸收不同波段的太阳光，大大提高了光利用率，转换效率最高可达45％。叠层太阳电池类型和结构可以设计为多种多样，可以通过砷化镓、CIGS薄膜基底设计各类叠层太阳电池，但是存在工艺步骤复杂、技术不成熟不稳定、工艺窗口小、制作成本高等特点，很难实现产业化。因此，特别需要一种可产业化、工艺简单、制造成本低的叠层太阳电池解决上述难题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术公开了一种硅基叠层双面太阳电池。本技术所采用的技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基叠层双面太阳电池，其特征在于：包括顶电池(13)和底电池(14)；所述顶电池(13)为非晶硅异质结太阳电池；所述底电池(14)为P型太阳电池；所述底电池(14)背面有钝化膜；所述底电池(14)背面印刷有下电极(1)；所述底电池(14)与所述下电极(1)的接触区域有通过选择性区域掺杂形成的P

【技术特征摘要】
1.一种硅基叠层双面太阳电池，其特征在于：包括顶电池(13)和底电池(14)；所述顶电池(13)为非晶硅异质结太阳电池；所述底电池(14)为P型太阳电池；所述底电池(14)背面有钝化膜；所述底电池(14)背面印刷有下电极(1)；所述底电池(14)与所述下电极(1)的接触区域有通过选择性区域掺杂形成的P+重掺区(4)；所述顶电池(13)和所述底电池(14)之间通过隧道结串联。


2.根据权利要求1所述的硅基叠层双面太阳电池，其特征在于：所述底电池(14)包括P型硅基底(5)；在所述P型硅基底(5)正面制备有N+掺杂层(6)；所述P型硅基底(5)与所述N+掺杂层(6)形成pn结；在所述P型硅基底(5)背面制备有氧化铝薄膜(3)；在所述氧化铝薄膜(3)背面制备有氮氧化硅薄膜(2)。


3.根据权利要求2所述的硅基叠层双面太阳电池，其特征在于：所述氧化铝薄膜(3)的厚度为5～20nm；所述氮氧化硅薄膜(2)的厚度为75～85nm。


4.根据权利要求2所述的硅基叠层双面太阳电池，其特征在于：在所述P型硅基底(5)背面开有电极槽，并在所述电极槽处，对所述P型硅基底(5)通过选择性区域掺杂形成有P+...

【专利技术属性】
技术研发人员：康海涛，胡燕，吴中亚，郭万武，
申请(专利权)人：中建材浚鑫科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32