一种高频率稳定度的Buck变换器制造技术

技术编号:24361154 阅读:79 留言:0更新日期:2020-06-03 03:40
一种高频率稳定度的Buck变换器,属于模拟集成电路技术领域。本发明专利技术基于单周期输出电压预测技术,根据单周期占空比预测输出电压信息,通过采样前一个周期信息去预测下一个周期等效的输出电压,从而决定下个周期的导通时间,并根据预测的输出电压和负载电流补偿导通时间T

A high frequency stability buck converter

【技术实现步骤摘要】
一种高频率稳定度的Buck变换器
本专利技术属于模拟集成电路
,涉及一种高频率稳定度的Buck变换器,基于单周期输出电压预测技术,属于恒定导通时间(Constantontime,COT)控制的Buck变换器。
技术介绍
随着物联网技术的不断发展,无论是消费级的可穿戴便携设备,还是工业级的汽车电子,这些电子应用都对DC-DC变换器提出了更高的要求。恒定导通时间COT控制的Buck变换器以其结构简单、轻载效率高和瞬态响应速度快等优点广泛应用便携设备中。但是传统的COT控制Buck变换器存在两个问题。第一,COT控制方式属于脉冲频率调制(Pulsefrequencymodulation,PFM),变换器的导通时间TON恒定,开关频率fSW随着输入电压和输出电压的变化而变化。如图1所示,采用COT控制中的自适应恒定导通时间(Adaptiveontime,AOT)控制的Buck变换器,其中单脉冲计时器(One-ShotTimer,OST)通过设定导通时间TON与输出电压成正比,与输入电压成反比,在不同的占空比下变换器的开关频率fSW本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频率稳定度的Buck变换器,包括功率级和环路控制级,所述功率级包括第一开关管、第二开关管、功率电感和输出电容,/n第一开关管的栅极连接第二开关管的栅极并连接所述环路控制级的输出端,其漏极连接所述Buck变换器的输入电压,其源极连接第二开关管的漏极并通过功率电感后连接所述Buck变换器的输出端;/n第二开关管的源极连接功率地;/n输出电容接在所述Buck变换器的输出端和功率地之间;/n所述环路控制级包括第一比较器、第一电阻、第二电阻、单脉冲计时器模块和驱动模块,/n第一电阻和第二电阻串联并连接在所述Buck变换器的输出端和功率地之间,其串联点连接第一比较器的负向输入端;/n第一比较器的...

【技术特征摘要】
1.一种高频率稳定度的Buck变换器,包括功率级和环路控制级,所述功率级包括第一开关管、第二开关管、功率电感和输出电容,
第一开关管的栅极连接第二开关管的栅极并连接所述环路控制级的输出端,其漏极连接所述Buck变换器的输入电压,其源极连接第二开关管的漏极并通过功率电感后连接所述Buck变换器的输出端;
第二开关管的源极连接功率地;
输出电容接在所述Buck变换器的输出端和功率地之间;
所述环路控制级包括第一比较器、第一电阻、第二电阻、单脉冲计时器模块和驱动模块,
第一电阻和第二电阻串联并连接在所述Buck变换器的输出端和功率地之间,其串联点连接第一比较器的负向输入端;
第一比较器的正向输入端连接基准电压;
其特征在于,所述单脉冲计时器模块包括第一开关、第二开关、第三开关、第一电容、第二电容、第三电阻、电压转电流单元、数字逻辑单元和第二比较器,其中第一电容和第二电容的电容值相同;
第一电容一端连接第二比较器的正向输入端和充电电流,另一端连接模拟地;
所述充电电流为与所述Buck变换器的输入电压成正比的电流信号;
第一开关并联在第一电容两端;
第二电容一端通过第二开关后连接所述充电电流,另一端连接模拟地;
第三开关并联在第二电容两端;
所述电压转电流单元用于将第二电容上的电压转换为电流信号;
所述数字逻辑单元用于将所述充电电流与所述电压转电流单元输出的电流信号相减获得差值电流并连接第二比较器的负向输入端;
第二比较器的负向输入端通过第三电阻后连接模拟地,其输出端输出导通时间控制信号;
当第一比较器的负向输入端信号低于其正向输入端信号时,第一比较器输出信号翻转控制第一开关断开、第二开关闭合、第三开关断开;
当第二比较器的负向输入端信号与其正向输入端信号相等时,第二比较器输出的导通时间控制信号翻转,控制第一开关闭合、第二开关断开、第三开关闭合;
所述驱动模块根据所述导通时间控制信号产生所述第一开关管和第二开关管的栅极驱动信号从所述环路控制级的输出端输出。


2.根据权利要求1所述的高频率稳定度的Buck变换器,其特征在于,所述环路控制级还包括第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一运算放大器、第一NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,
第四电阻的一端连接所述Buck变换器的输入电压,另一端连接第一运算放大器的正向输入端并通过第五电阻后连接模拟地;
第一NMOS管的栅极连接第一运算放大器的输出端,其源极连接第一运算放大器的负向输入端并通过第六电阻后连接模拟地,其漏极连接第一PMOS管的栅极和漏极以及第二PMOS管的栅极;
第二PMOS管的源极连接第一PMOS管的源极并连接电源电压,其漏极输出所述连接第一电容的充电电流。


3.根据权利要求2所述的高频率稳定度的...

【专利技术属性】
技术研发人员:甄少伟章玉飞杨明宇罗攀易子皓方舟罗萍张波
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:四川;51

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