【技术实现步骤摘要】
波形转换电路以及栅极驱动电路本申请是申请人为台达电子工业股份有限公司，申请日为2017年5月15日，申请号为201710339308.2，专利技术名称为“波形转换电路以及栅极驱动电路”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及用以驱动开关元件的栅极端的栅极驱动电路。
技术介绍
氮化镓元件与现存的硅元件相比极具潜力，且如预期地实际使用。标准的氮化镓场效晶体管为常开型(normally-on)元件，因此需要负电源将其关断。另一方面，常闭型氮化镓场效晶体管难以生产，而常闭型氮化镓场效晶体管具有约为+1V的临界电压，该临界电压与现存的硅金氧半场校晶体管的临界电压相比非常低。这是常闭型氮化镓场效晶体管的第一个问题。再者，因常闭型氮化镓场效电晶耐压较低，当高电压施加于常闭型氮化镓场效晶体管的栅极端时，常闭型氮化镓场效晶体管很容易损毁，使得常闭型氮化镓场效晶体管无法采用一般的驱动集成电路来使用。这是常闭型形氮化镓场效晶体管的第两个问题。由于这两个问题，硅金氧半场校晶体管(如，绝缘栅双极晶体管(InsulatedGate...
【技术保护点】
1.一种波形转换电路，用以通过将来自一控制器的一控制信号施加至一开关元件的一栅极端而将上述开关元件导通以及关断，其中上述开关元件具有上述栅极端、一漏极端以及一源极端，其中波形转换电路将上述控制信号转换至一驱动信号，其中上述波形转换电路转换上述控制信号的范围是自一高电压电平至一低电压电平，上述驱动信号的范围是自第二电压至第一电压，其中一第一电压是转换自上述控制信号的上述低电压电平，一第二电压是转换自上述控制信号的上述高电压电平，其中上述第二电压是不大于上述高电压电平，上述波形转换电路包括：/n一并联电路，包括一第一电容以及一第一电阻，其中上述并联电路耦接于上述控制器以及上述开...
【技术特征摘要】
20160706 US 15/203,4681.一种波形转换电路，用以通过将来自一控制器的一控制信号施加至一开关元件的一栅极端而将上述开关元件导通以及关断，其中上述开关元件具有上述栅极端、一漏极端以及一源极端，其中波形转换电路将上述控制信号转换至一驱动信号，其中上述波形转换电路转换上述控制信号的范围是自一高电压电平至一低电压电平，上述驱动信号的范围是自第二电压至第一电压，其中一第一电压是转换自上述控制信号的上述低电压电平，一第二电压是转换自上述控制信号的上述高电压电平，其中上述第二电压是不大于上述高电压电平，上述波形转换电路包括：
一并联电路，包括一第一电容以及一第一电阻，其中上述并联电路耦接于上述控制器以及上述开关元件的上述栅极端之间；以及
一电压箝位单元，耦接于上述开关元件的上述栅极端以及上述源极端之间，且用以箝制上述栅极端以及上述源极端之间的跨压，
其中上述电压箝位单元包括第一齐纳二极管以及第二齐纳二极管，该第一齐纳二极管的第一阴极端耦接至该第二齐纳二极管的第二阴极端，该第一齐纳二极管的第一阳极端耦接至该开关元件的栅极端，并且该第二齐纳二极管的第二阳极端耦接至该开关元件的源极端。
2.如权利要求1所述的波形转换电路，其中上述第一电压是不大于上述低电压电平。
3.如权利要求1所述的波形转换电路，其中当该波形转换电路接收的该控制信号位于该高电压电平时，该驱动信号箝制于该第一齐纳二极管的第一顺向导通电压以及该第二齐纳二极管的第二反向崩溃电压的和，其中当该波形转换电路接收的该控制信号位于该低电压电平时，该驱动信号随之箝位在该低电压电平减去该第一齐纳二极管的第一反向崩溃电压以及该第二齐纳二极管的第二顺向导通电压的和。
4.如权利要求1所述的波形转换电路，其中上述电压箝位单元以及上述开关元件是封装在一起。
5.一种波形转换电路，用以通过将来自一控制器的一控制信号施加至一开关元件的一栅极端而将上述开关元件导通以及关断，其中上述开关元件具有上述栅极端、一漏极端以及一源极端，其中波形转换电路将上述控制信号转换至一驱动信号，其中上述波形转换电路转换上述控制信号的范围是自一高电压电平至一低电压电平，上述驱动信号的范围是自第二电压至第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄博钦，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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