抗米勒效应功率模块的驱动装置及电子设备制造方法及图纸

本公开涉及一种抗米勒效应功率模块的驱动装置及电子设备，所述装置包括信号产生模块、功率模块，所述功率模块包括晶体管模块、变容模块，其中：信号产生模块，用于输出第一控制信号和第二控制信号；晶体管模块，电连接于信号产生模块，包括并联连接的多个晶体管，每个晶体管的栅极用于接收第一控制信号，并根据第一控制信号导通或断开；变容模块，电连接于信号产生模块及晶体管模块，用于接收第二控制信号，并根据第二控制信号改变晶体管模块中每个晶体管的栅极与源极之间的电容大小。通过以上装置，本公开消除米勒效应产生的尖峰电压的影响，避免晶体管模块因米勒效应损坏，提高晶体管模块的可靠性，并延长装置的使用寿命。

The driving device and electronic equipment of anti Miller effect power module

【技术实现步骤摘要】
抗米勒效应功率模块的驱动装置及电子设备
本公开涉及集成电路
，尤其涉及一种抗米勒效应功率模块的驱动装置及电子设备。
技术介绍
栅极驱动器是电源、电驱等电力电子系统中必须的一类器件，处在信号处理的弱电信号和大功率的强电信号之间，其作用是将较弱的控制信号转换成较强的驱动信号，从而推动大功率器件完成能量转换的功能，同时更高端的栅极驱动器具有检测和保护功能，以确保电力电子系统安全运转。栅极驱动器驱动的大功率电源的功率管多为MOSFET,IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiCFET（碳化硅场效应管）。由于SiC具有更小的寄生电容，更小导通阻抗和更快的开关速度，使用SiC的电源可以用更高的效率，更小的体积。随着SiC技术成熟和成本降低，SiC的应用越来越普及。由于米勒效应（MillerEffect，ME）存在，在高开关速度时，门电压产生的电压尖峰可能会使功率器件误导通或误关断，或使得驱动电压超出安全驱动范围，造成器件损坏，影响器件寿命及可靠性，因此，如何有效抑制米勒效应成了当下的一大难题。
技术实现思路
>有鉴于此，本公开提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗米勒效应功率模块的驱动装置，其特征在于，所述装置包括信号产生模块、功率模块，所述功率模块包括晶体管模块、变容模块，其中：/n所述信号产生模块，用于输出第一控制信号和第二控制信号，所述第一控制信号用于控制所述晶体管模块的导通状态，所述第二控制信号用于控制所述变容模块的工作状态；/n所述晶体管模块，电连接于所述信号产生模块，包括并联连接的多个晶体管，每个晶体管的栅极用于接收所述第一控制信号，并根据所述第一控制信号导通或断开；/n所述变容模块，电连接于所述信号产生模块及所述晶体管模块，用于接收所述第二控制信号，并根据所述第二控制信号改变所述晶体管模块中每个晶体管的栅极与源极之间的电容大小，...

【技术特征摘要】
1.一种抗米勒效应功率模块的驱动装置，其特征在于，所述装置包括信号产生模块、功率模块，所述功率模块包括晶体管模块、变容模块，其中：
所述信号产生模块，用于输出第一控制信号和第二控制信号，所述第一控制信号用于控制所述晶体管模块的导通状态，所述第二控制信号用于控制所述变容模块的工作状态；
所述晶体管模块，电连接于所述信号产生模块，包括并联连接的多个晶体管，每个晶体管的栅极用于接收所述第一控制信号，并根据所述第一控制信号导通或断开；
所述变容模块，电连接于所述信号产生模块及所述晶体管模块，用于接收所述第二控制信号，并根据所述第二控制信号改变所述晶体管模块中每个晶体管的栅极与源极之间的电容大小，
其中，所述信号产生模块，还用于根据晶体管模块中晶体管的栅极端电压输出所述第二控制信号。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述根据晶体管模块中晶体管的栅极端电压输出所述第二控制信号包括：
在输出第一控制信号以控制所述晶体管模块中每个晶体管断开时，根据晶体管模块中晶体管的栅极端电压输出第二控制信号以控制所述变容模块增加所述晶体管模块中每个晶体管的栅极与源极之间的电容；或
在输出第一控制信号以控制所述晶体管模块中每个晶体管导通时，根据晶体管模块中晶体管的栅极端电压输出第二控制信号以控制所述变容模块减小所述晶体管模块中每个晶体管的栅极与源极之间的电容。


3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述信号产生模块包括第一控制单元、第二控制单元及第一电容，所述第一控制单元的输出端电连接于所述第一电容的第一端，所述第二控制单元的输入端电连接于所述第一电容的第二端，所述第一电容的第二端电连接于所述晶体管模块中每个晶体管的栅极，其中：
所述在输出第一控制信号以控制所述晶体管模块中每个晶体管断开时，根据晶体管模块中晶体管的栅极端电压输出第二控制信号以控制所述变容模块增加所述晶体管模块中每个晶体管的栅极与源极之间的电容，包括：
当所述第一控制单元输出第一控制信号以控制所述晶体管模块中每个晶体管断开时，所述第二控制单元根据所述第一电容的第二端的电压信号输出第二控制信号以控制所述变容模块增加所述晶体管模块中每个晶体管的栅极与源极之间的电容。


4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述在输出第一控制信号以控制所述晶体管模块中每个晶体管导通时，根据晶体管模块中晶体管的栅极端电压输出第二控制信号以控制所述变容模块减小所述晶体管模块中每个晶体管的栅极与源极之间的电容，包括：
当所述第一控制单元输出第一控制信号以控制所述晶体管模块中每个晶体管导通时，所述第二控制单元根据所述第一电容的第二端的电压信号输出第二控制信号以控制所述变容模块减小所述晶体管模块中每个晶体管的栅极与源极之间的电容。


5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第二控制单元包括比较器、第一电压源、第一晶体管，所述第一电压源的正极电连接于所述第一晶体管的漏极和所述第一电容的第一端，所述第一电压源的负极电连接于所述比较器的负极和所述第一电容的第二端，所述比较器的正极用于接收预设电压信号，所述比较器的输出端电连接于所述第一晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶忠，
申请(专利权)人：上海瞻芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31