一种性能优越的二氧化硅高速雾化器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种性能优越的二氧化硅高速雾化器，包括密封箱和安置架，所述密封箱的顶侧的内部固定连接有温控闭环控制器，所述温控闭环控制器电性连接有磁控管，所述磁控管固定连接在密封箱一侧的内部，所述安置架底部固定连接在密封箱内部的底部，所述密封箱的一侧开设有箱门，所述箱门的一侧固定连接有合页，所述合页远离箱门的一端固定连接在密封箱靠近箱门的一侧，所述箱门和密封箱的连接处之间设置有连锁微动开关，所述密封箱的内壁覆盖一层铝金属层，本雾化器结构简单合理，能够防止二氧化硅雾化不彻底造成返喷现象发生，并且加快二氧化硅雾化速度，提高后续工序物品的效率。

A high speed atomizer of silica with superior performance

【技术实现步骤摘要】
一种性能优越的二氧化硅高速雾化器
本技术涉及二氧化硅高速雾化
，具体为一种性能优越的二氧化硅高速雾化器。
技术介绍
二氧化硅的雾化如果不彻底，浇筑时二氧化硅内部的水分气化很容易在浇筑过程中造成返喷的情况发生，严重威胁工作人员的人身安全以及造成后续工序物品的质量大打折扣，二氧化硅的雾化若想防止二氧化硅雾化不彻底，可能会增加雾化时间，而且模型并不能耐受很高的温度，这就造成了效率低下，不利于提高经济效益。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种性能优越的二氧化硅高速雾化器，以解决上述
技术介绍
中提出的二氧化硅赶早不彻底容易造成返喷现象，影响产品质量，威胁工作人员人身安全，传统烘干雾化器效率低的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种性能优越的二氧化硅高速雾化器，包括密封箱和安置架，所述密封箱的顶侧的内部固定连接有温控闭环控制器，所述温控闭环控制器电性连接有磁控管，所述磁控管固定连接在密封箱一侧的内部，所述安置架底部固定连接在密封箱内部的底部，所述密封箱的一侧开设有箱门，所述箱门的一侧固定连接有合页，所述合页远离箱门的一端固定连接在密封箱靠近箱门的一侧，所述箱门和密封箱的连接处之间设置有连锁微动开关。优选的，所述密封箱为铁或铝金属材质作为密封外壳，所述密封箱的内壁覆盖一层铝金属层，所述密封箱内部的顶部设置有与温控闭环控制器相匹配的铝金属材质的控制器屏蔽罩。优选的，所述磁控管与温控闭环控制器串联电性连接，所述磁控管的发射端位于密封箱的内部，且磁控管与密封箱的连接处采用铝金属材质做焊接屏蔽处理，所述磁控管串联电性连接有有高压整流器、高压电容和高压熔断丝，以上所述电器元件集成在与所述磁控管同侧的密封箱一侧的内部。优选的，所述温控闭环控制器的温度传感器位于密封箱的内部，所述温控闭环控制器、磁控管和连锁微动开关串联电性连接。优选的，所述安置架为聚酰亚胺或耐热塑料或非金属材质。与现有技术相比，本技术的有益效果是：1.本技术，通过将温控闭环控制器和磁控管与密封箱内部的连接处都进行了屏蔽处理，可以避免电磁波对电器元件造成损坏，影响其正常工作，同时以铁或铝金属作为密封箱的外壳，既可以屏蔽内部电磁波对外界的干扰，又可以防止电磁波穿透密封箱，降低对模型二氧化硅雾化的效果。2.由于温控闭环控制器、磁控管和连锁微动开关都集成在密封箱的内部，可以防止外部的震动造成电器元件的损坏，又能够将电器元件和密封箱内部的高密度电磁波隔开，防止对正常功能造成影响。3.由于安置架是耐热型塑料或是其它非金属耐热材料，可以防止在温度升高时安置架出现损坏，安置架不是金属可以防止金属屏蔽电磁波的情况发生，不会对模型的二氧化硅雾化造成影响。附图说明图1为本技术实施例密封箱内部结构示意图；图2为本技术实施例密封箱顶部结构示意图；图3为本技术实施例电器元件电路连接原理图。图中：1、密封箱；11、箱门；12、合页；13、连锁微动开关；2、安置架；3、温控闭环控制器；31、控制器屏蔽罩；4、磁控管；41、高压整流器；42、高压电容；43、高压熔断丝。具体实施方式为了能够防止二氧化硅雾化不彻底造成返喷现象发生，并且加快二氧化硅雾化速度，不影响后续工序物品效率，特提出一种性能优越的二氧化硅高速雾化器。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1请参阅图1-3，本实施例提供了一种性能优越的二氧化硅高速雾化器，包括密封箱1和安置架2，所述密封箱1为铁或铝金属材质作为密封外壳，所述安置架2为聚酰亚胺或耐热塑料或非金属材质，所述密封箱1的内壁覆盖一层铝金属层，所述密封箱1的顶侧的内部固定连接有温控闭环控制器3，所述密封箱1内部的顶部设置有与温控闭环控制器3相匹配的铝金属材质的控制器屏蔽罩31，所述温控闭环控制器3电性连接有磁控管4，所述磁控管4固定连接在密封箱1一侧的内部，所述安置架2底部固定连接在密封箱1内部的底部，所述密封箱1的一侧开设有箱门11，所述箱门11的一侧固定连接有合页12，所述合页12远离箱门11的一端固定连接在密封箱1靠近箱门11的一侧，所述箱门11和密封箱1的连接处之间设置有连锁微动开关13，由于安置架2是耐热型塑料或是其它非金属耐热材料，可以防止在温度升高时安置架2出现损坏，安置架2不是金属可以防止金属屏蔽电磁波的情况发生，不会对模型的二氧化硅雾化造成影响，所述温控闭环控制器3的温度传感器可用型号为M292871的红外线温度探测器代替，可以使得温控闭环控制器3反应更加迅速灵敏，而且红外线温度探测器可以避免与发热物体有直接接触，更加利于整体雾化器的安全性。以二氧化硅高速雾化实际使用过程中以可发性聚苯乙烯树脂珠粒为模型材料为例：已知可发性聚苯乙烯树脂珠粒一般在80℃左右软化，420~480℃时分解，在进行模型二氧化硅雾化时，为防止模型出现精度上的误差，需将温控闭环控制器3的数值调至80℃以下，此时将需雾化的模型放置在安置架2上，关闭箱门11，此时箱门11通过挤压连锁微动开关13，使得整个工作电路闭合，当模型表面温度未达到温控闭环控制器3预设的温度时，磁控管4便持续工作，直至模型表面温度达到预设值，此时温控管4即刻停止工作，因为二氧化硅所含的水分相对较少，所以雾化过程中产生的水蒸气对雾化器整体的影响可以忽略不计，箱门11可以通过打开和闭合进行随时控制密封箱1内部工作电路的闭合与断开，非常方便。本实施例中，所述磁控管4型号为2M278、高压整流器41型号为ABS210、高压电容42型号为BFM11/√3-12-1W、高压熔断丝43型号为RW，连锁微动开关13型号为KBM-A13，所述温控闭环控制器3型号为OHR-A303D-02-K4/X-A，以上所述磁控管4、高压整流器41、高压电容42、高压熔断丝43、连锁微动开关13和温控闭环控制器3均为现有技术，且接线方式为已知现有技术。所述磁控管4与温控闭环控制器3串联电性连接，所述磁控管4的发射端位于密封箱1的内部，且磁控管4与密封箱1的连接处采用铝金属材质做焊接屏蔽处理，所述磁控管4串联电性连接有有高压整流器41、高压电容42和高压熔断丝43，以上所述电器元件集成在与所述磁控管4同侧的密封箱1一侧的内部，所述温控闭环控制器3的温度传感器位于密封箱1的内部，所述温控闭环控制器3、磁控管4和连锁微动开关13串联电性连接，通过将温控闭环控制器3和磁控管4与密封箱1内部的连接处都进行了屏蔽处理，可以避免电磁波对电器元件造成损坏，影响其正常工作，同时以铁或铝金属作为密封箱1的外壳，既可以屏蔽内部电磁波对外界的干扰，又可以防止电磁波穿透密封箱1，降低对模型二氧化硅雾化的效果，由于温控闭环控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种性能优越的二氧化硅高速雾化器，包括密封箱（1）和安置架（2），其特征在于：所述密封箱（1）的顶侧的内部固定连接有温控闭环控制器（3），所述温控闭环控制器（3）电性连接有磁控管（4），所述磁控管（4）固定连接在密封箱（1）一侧的内部，所述安置架（2）底部固定连接在密封箱（1）内部的底部，所述密封箱（1）的一侧开设有箱门（11），所述箱门（11）的一侧固定连接有合页（12），所述合页（12）远离箱门（11）的一端固定连接在密封箱（1）靠近箱门（11）的一侧，所述箱门（11）和密封箱（1）的连接处之间设置有连锁微动开关（13）。/n

【技术特征摘要】
1.一种性能优越的二氧化硅高速雾化器，包括密封箱（1）和安置架（2），其特征在于：所述密封箱（1）的顶侧的内部固定连接有温控闭环控制器（3），所述温控闭环控制器（3）电性连接有磁控管（4），所述磁控管（4）固定连接在密封箱（1）一侧的内部，所述安置架（2）底部固定连接在密封箱（1）内部的底部，所述密封箱（1）的一侧开设有箱门（11），所述箱门（11）的一侧固定连接有合页（12），所述合页（12）远离箱门（11）的一端固定连接在密封箱（1）靠近箱门（11）的一侧，所述箱门（11）和密封箱（1）的连接处之间设置有连锁微动开关（13）。


2.根据权利要求1所述的一种性能优越的二氧化硅高速雾化器，其特征在于：所述密封箱（1）为铁或铝金属材质作为密封外壳，所述密封箱（1）的内壁覆盖一层铝金属层，所述密封箱（1）内部的顶部设置有与温控闭环控制器（3）相匹配的铝金属材质的控制器屏蔽罩...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈光伟，庄洪运，胡金星，李品，蒋文国，蔡新华，
申请(专利权)人：山东联科科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37