本实用新型专利技术提供一种半导体制冷模组，包括第一半导体制冷片及密封罩，所述密封罩内部设置有容纳腔，所述容纳腔中为真空，所述第一半导体制冷片容置于所述容纳腔中。本实用新型专利技术还提供包括上述半导体制冷模组的半导体制冷装置。所述半导体制冷模组及半导体制冷装置通过将半导体制冷片密封于真空中，提高了制冷效率。
Semiconductor refrigeration module and device
【技术实现步骤摘要】
半导体制冷模组及半导体制冷装置
本技术涉及半导体制冷
，尤其涉及一种半导体制冷模组及半导体制冷装置。
技术介绍
半导体制冷是电流换能型制冷方式，既能制冷又能加热，通过对输入电流的控制，可实现对温度的高精度控制。半导体制冷片一般包括两片陶瓷片以及夹设于所述两片陶瓷片之间的半导体材料，并通过密封胶连接两片陶瓷片以密封所述半导体材料。密封胶将半导体制冷片的冷热端连接在一起，其降低了制冷效率。且由于冷热端温差较大，在长时间使用后，密封胶会开裂失效；由于密封胶为大分子结构的材料，水汽还会通过密封胶的分子间隙不断渗透进入半导体制冷片内部，造成半导体材料腐蚀短路，半导体制冷片失效。水汽进入半导体制冷片内部，会在冷端进行冷凝；且当水汽低于0度时，会在冷端结冰，结冰会严重损坏半导体制冷片，因此现有半导体制冷片不能使用在低于0度的环境中。另外，当应用上述半导体制冷片进行制冷时，需在半导体制冷片的冷端设置保温棉以对半导体制冷片进行保温，以获得高的制冷效率，导致应用该半导体制冷片的半导体制冷装置的体积过大。
技术实现思路
基于以上现有技术的不足，本技术提供一种高制冷率的半导体制冷模组及半导体制冷装置。本技术提供一种半导体制冷模组，包括第一半导体制冷片及密封罩，所述密封罩内部设置有容纳腔，所述容纳腔内形成有真空，所述第一半导体制冷片容置于所述容纳腔中。在一种实施方式中，所述密封罩包括第一罩体及与所述第一罩体相连接的第二罩体，所述第二罩体与所述第一罩体合围形成所述容纳腔。在一种实施方式中，所述第一罩体及所述第二罩体的材质为金属、玻璃或陶瓷，所述第一罩体及所述第二罩体通过焊接或烧结方式密封连接。在一种实施方式中，所述半导体制冷模组还包括第一排气管，所述第一排气管密封地插设于所述密封罩上并与所述容纳腔相连通，所述第一排气管远离所述容纳腔的一端为封闭结构。在一种实施方式中，所述半导体制冷模组还包括第一热扩散导热元件，所述第一热扩散导热元件设置于所述密封罩上并与所述第一半导体制冷片相连接。在一种实施方式中，所述半导体制冷模组还包括接线端子，所述接线端子绝缘密封地插设于所述密封罩上并与所述第一半导体制冷片电连接。本技术提供还包括上述半导体制冷模组的半导体制冷装置。在一种实施方式中，所述半导体制冷装置还包括壳体，所述壳体开设有收容腔，所述半导体制冷模组设置于所述壳体上并封盖所述收容腔。在一种实施方式中，所述壳体包括第一壳体部、第二壳体部及连接壁，所述第二壳体部套设于所述第一壳体部外并与所述第一壳体部之间间隔预设距离，所述连接壁连接所述第一壳体部和所述第二壳体部，所述第一壳体部、所述第二壳体部及所述连接壁合围形成一间隙空间。在一种实施方式中，所述间隙空间内形成有真空，所述半导体制冷装置还包括设置于所述间隙空间中的第二半导体制冷片。在一种实施方式中，所述半导体制冷装置还包括第二热扩散导热元件，所述第二热扩散导热元件设置于所述壳体上并与所述第二半导体制冷片相连接。在一种实施方式中，所述半导体制冷装置还包括第二排气管，所述第二排气管密封地插设于所述壳体上并与所述间隙空间相连通，所述第二排气管远离所述间隙空间的一端为封闭结构。在一种实施方式中，所述第一壳体部、所述第二壳体部及所述连接壁的材质为金属、玻璃或陶瓷，所述第一壳体部、所述第二壳体部及所述连接壁通过焊接或烧结方式进行连接。在一种实施方式中，所述半导体制冷装置还包括加热元件，所述加热元件容置于所述间隙空间中。在一种实施方式中，所述半导体制冷装置还包括密封圈，所述密封圈设置于所述壳体上并与所述半导体制冷模组相抵接，用于密封所述收容腔。在一种实施方式中，所述半导体制冷装置还包括设置于所述密封罩上的散热器。在一种实施方式中，所述半导体制冷装置还包括设置于所述散热器上的散热风扇。在一种实施方式中，所述半导体制冷装置还包括外壳，所述外壳内部设置有内腔，所述内腔为封闭腔，所述半导体制冷模组设置于所述外壳上，用于对收容于所述内腔中的物品进行制冷。本技术提供的半导体制冷模组及半导体制冷装置，通过将半导体制冷片密封于真空中，可避免半导体制冷片冷热端之间的对流换热，提高了制冷效率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术一实施方式的半导体制冷模组立体图。图2为图1所示半导体制冷模组的分解图。图3为图1所示半导体制冷模组沿III-III的剖视图。图4为本技术第一实施方式的半导体制冷装置的立体图。图5为图4所示半导体制冷装置的分解图。图6为图4所示半导体制冷装置沿VI-VI的剖视图。图7为本技术第二实施方式的半导体制冷装置的剖视图。图8为本技术第三实施方式的半导体制冷装置的立体图。图9为本技术第四实施方式的半导体制冷装置的立体图。图10为本技术第五实施方式的半导体制冷装置的结构示意图。主要元件符号说明如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本技术。具体实施方式下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。在本技术实施方式中使用的术语是仅仅出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本技术。当一个组件被称为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。下面结合附图，对本技术的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述各实施方式中的特征可以相互组合。请参阅图1至图3，本实施方式提供一种半导体制冷模组10，包括密封罩11、第一半导体制冷片12、连接线缆17及第一接线端子15。所述密封罩11内部设置有容纳腔13，所述容纳腔13中为真空。所述第一半导体制冷片12容置于所述收容腔13中，所述连接线缆17容置于所述容纳腔13中并与所述第一半导体制冷片12电连接。所述第一接线端子15与所述连接线缆17电连接，并伸出所述密封罩11外。所述密封罩11包括第一罩体112以及第二罩体113，所述第一罩体112的内表面以及所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体制冷模组，包括第一半导体制冷片，其特征在于，所述半导体制冷模组还包括密封罩，所述密封罩内部设置有容纳腔，所述容纳腔内形成有真空，所述第一半导体制冷片容置于所述容纳腔中。/n
【技术特征摘要】
20190505 CN 20192063389651.一种半导体制冷模组，包括第一半导体制冷片，其特征在于，所述半导体制冷模组还包括密封罩，所述密封罩内部设置有容纳腔，所述容纳腔内形成有真空，所述第一半导体制冷片容置于所述容纳腔中。
2.如权利要求1所述的半导体制冷模组，其特征在于，所述密封罩包括第一罩体及与所述第一罩体相连接的第二罩体，所述第二罩体与所述第一罩体共同形成所述容纳腔。
3.如权利要求2所述的半导体制冷模组，其特征在于，所述第一罩体及所述第二罩体的材质为金属、玻璃或陶瓷，所述第一罩体及所述第二罩体通过焊接或烧结方式密封连接。
4.如权利要求1所述的半导体制冷模组，其特征在于，所述半导体制冷模组还包括第一排气管，所述第一排气管密封地插设于所述密封罩上并与所述容纳腔相连通，所述第一排气管远离所述容纳腔的一端为封闭结构。
5.如权利要求1所述的半导体制冷模组，其特征在于，所述半导体制冷模组还包括第一热扩散导热元件，所述第一热扩散导热元件设置于所述密封罩上并与所述第一半导体制冷片相连接。
6.如权利要求1所述的半导体制冷模组，其特征在于，所述半导体制冷模组还包括接线端子，所述接线端子绝缘密封地插设于所述密封罩上并与所述第一半导体制冷片电连接。
7.一种半导体制冷装置，包括如权利要求1-6中任一项所述的半导体制冷模组。
8.如权利要求7所述的半导体制冷装置，其特征在于，所述半导体制冷装置还包括壳体，所述壳体开设有收容腔，所述半导体制冷模组设置于所述壳体上并封盖所述收容腔。
9.如权利要求8所述的半导体制冷装置，其特征在于，所述壳体包括第一壳体部、第二壳体部及连接壁，所述第二壳体部套设于所述第一壳体部外并与所述第一壳体部之间间隔预设距离，所述连接壁连...
【专利技术属性】
技术研发人员：佟贵年，
申请(专利权)人：佟贵年，
类型：新型
国别省市：广东;44
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